ДЗ2 (804563)
Текст из файла
Рассчитать параметры диффузии и топологию транзисторов на основании исходных данных, представленных в таблице:
Вариант | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 |
18 | 2,9 | 1,9 | 2,0 | 0,55 | 0,09 | 6 | 0,8 | 2∙1015 | 4∙1016 | 3∙1020 | 8∙1020 | 0,5 | 0,1 | 0,15 |
1 – толщина области p-кармана, мкм
2 – толщина областей истока и стока n-канального транзистора, мкм
3 – толщина областей истока и стока p-канального транзистора, мкм
4 – толщина изолирующего окисла (SiO2), мкм
5 – толщина подзатворного диэлектрика (SiO2), мкм
6 – ширина поликремниевого затвора, мкм
7 – толщина металлизации, мкм
8 – концентрация примеси в подложке, см-3
9 – концентрация примеси p-кармана, см-3
10 – концентрация примеси истока и стока p-канального транзистора, см-3
11 – концентрация примеси истока и стока n-канального транзистора, см-3
12 – проектная норма, мкм
13 – погрешность совмещения топологических слоев, мкм
14 – погрешность получения размера на подложке, мкм
Примеси: p-области: бор, n-области: фосфор
Расчет параметров диффузии при формировании p-кармана
-
Расчет параметров разгонки:
Произведение коэффициента диффузии на время разгонки вычисляется по формуле:
где – толщина области p-кармана, мкм;
– концентрация примеси p-кармана, см-3;
– концентрация примеси в подложке, см-3;
Необходимо задать значение поверхностной концентрации примеси из условия
. Поскольку в данном случае примесью является бор, то
. Значит
. Было выбрано значение
.
Задавшись температурой разгонки , по графику
,
,
) (рис. 3.1.1.) . Dp=4∙10−18 м2/с.
Рисунок 3.1.1. – Температурная зависимость коэффициента диффузии фосфора и бора в кремний. и
– исходная и поверхностная концентрации примесей, см-3
Время разгонки вычисляется по формуле:
Необходимая доза легирования вычисляется по формуле:
-
Расчет параметров загонки:
Произведение коэффициента диффузии на время загонки вычисляется по формуле:
Задавшись температурой загонки , по графику
,
,
) (рис. 3.1.1.) . Dз=1.5∙10−19 м2/с.
Время загонки вычисляется по формуле:
Расчет параметров диффузии при формировании p+- областей (областей стока и истока p-канального транзистора)
-
Расчет параметров загонки:
Значение функции ошибок определяется по формуле:
где –концентрация примеси истока и стока p-канального транзистора, см-3;
– концентрация примеси в подложке, см-3;
По таблице значений функции (таблица 3.2.1.), определяется
Таблица 3.2.1. – Значения функции
Произведение коэффициента диффузии на время диффузии вычисляется по формуле:
где – толщина областей истока и стока p-канального транзистора, мкм;
Задавшись температурой загонки , по графику
,
,
) (рис. 3.1.1.) .
Время диффузии вычисляется по формуле:
Расчет параметров диффузии при формировании n+- областей (областей стока и истока n-канального транзистора)
Так как области стока и истока n-канального транзистора формируются в p-кармане, то исходной концентрацией примеси является концентрация, полученная после диффузии p-кармана. Её можно рассчитать по формуле:
-
Расчет параметров загонки:
Значение функции ошибок определяется по формуле:
По таблице значений функции (таблица 3.2.1.), определяется
Произведение коэффициента диффузии на время диффузии вычисляется по формуле:
где – толщина областей истока и стока p-канального транзистора, мкм;
Задавшись температурой загонки , по графику
,
,
) (рис. 3.1.1.) .
Время диффузии вычисляется по формуле:
Топологический расчет транзистора
Минимальная длина канала определяется из условия смыкания (пробоя) областей стока и истока (за счет расширения области пространственного заряда перехода “сток-подложка”) определяется по формуле:
где – напряжение питания;
– концентрация примеси в подложке на уровне дна истока (стока).
Рассчитываем длину тонкого окисла:
Рис.Определение длины тонкого окисла
Где =0.15 мкм – погрешность размера топологического элемента на подложке;
=0.1 мкм – погрешность совмещения двух топологических слоев.
Рассчитываем длину затвора:
=2.499+0.3+0.5 = 3.299 мкм
Рис. Определение длины затвора
Длина истоковых и стоковых областей:
=6 + 1 + 0.3 + 0.4 = 7.7 мкм.
Размеры p-карманов:
При определении размеров p-кармана нужно соблюдать те же принципы, что и в случае базовой и коллекторной областей биполярного транзистора.
=6 +0.3 + 0.8 = 7.1 мкм.
Характеристики
Тип файла документ
Документы такого типа открываются такими программами, как Microsoft Office Word на компьютерах Windows, Apple Pages на компьютерах Mac, Open Office - бесплатная альтернатива на различных платформах, в том числе Linux. Наиболее простым и современным решением будут Google документы, так как открываются онлайн без скачивания прямо в браузере на любой платформе. Существуют российские качественные аналоги, например от Яндекса.
Будьте внимательны на мобильных устройствах, так как там используются упрощённый функционал даже в официальном приложении от Microsoft, поэтому для просмотра скачивайте PDF-версию. А если нужно редактировать файл, то используйте оригинальный файл.
Файлы такого типа обычно разбиты на страницы, а текст может быть форматированным (жирный, курсив, выбор шрифта, таблицы и т.п.), а также в него можно добавлять изображения. Формат идеально подходит для рефератов, докладов и РПЗ курсовых проектов, которые необходимо распечатать. Кстати перед печатью также сохраняйте файл в PDF, так как принтер может начудить со шрифтами.