Boit_K__Cifrovaya_yelektronika_BookZZ_or g (773598), страница 54
Текст из файла (страница 54)
Определяющим для времени записи данных является отрицательный фронт САЯ или ЯЕ в зависимости от того, какой фронт придет позднев. Вывод данных (ОО) Выход данных может имать три состояния (Тлгев-Я(а(е) и предназначен дпя двух ТТЛ- нагрузок. Выходные данные по отношению к входным данным не инвертируются. Во время цикла чтения данные появляются на входе через соответствующее САЯ время доступа ( После окончания цикла чтения выход данных посредством САЯ-Н снова переводится в высокоомное состояние. Во время цикла чтения/изменения/записи данные подаются на выход, как при цикле чтения.
При «ранней записи» выход данных в течение всего цикла высокоомен. регенерация Для сохранения данных в динамической памяти каждая адресная ячейка должна опрашиваться минимум каждые 2 мс. То есть для регенерации всех адресов необходимо в течение каждых 2 мс проводить т28 циклов регенерации. При чтении или записи данные 128 ячеек памяти запрашиваемой линии слов автоматически обновляются. гг.г. а .р... и г гы тыну э~в Цикл зарядки После подачи напряжения на модуль необходимо подождать несколько циклов, пока не будет обеспечено правильное функционирование. Для етой цели могут быть использованы, например, 8 циклов регенерации.
Условия эксплуатации и испытаний 7„=0 — 70С,У =ОВ,У ЮЧ12ВВ10%,У = — 5ВВ10%,У и+5ВЮ!0% Статические параметры' Ед. из- мерения мм услаВнв испытаний тнп Н-напряжение питания' исключая 648 СА8 и УУВ!ТЕ 7,0 2,4 Н-напряжение питания' 848 СА8 и ИГ81ТЕ 7,0 2,7 0,8 — 1,0 Е-напряжение питания го Н-заводное напряжение l =42МА 0,4 Е-выходное напряжение Токопотребление из У 35 648 на Уи-уровне СА8на У -уровне Токопотреблвние покоя У / 2 2,7 мА /Оа 3 -10 10 гю Входной ток утечки СА8 на Уи-уровне У,=У„доУ -10 10 Выходной ток утечки 'а(о 848 на У -уровне СА8 на У -уровне Токопотреблвние покоя из У -10 10 Среднее токопотреблвнив из У Токопотребление покоя из У / 2 Входная емкость' (Я;Аз1, ОГ пФ Входная емкость' 10 пФ т2 ЙА8 СА8 и Иг81ТЕ СΠ— три состояния Выходная емкость Са Примечвниж При лоде ю нзлр»жени» литания НРОетригь, ЧТО и . и и и бо»ЬОю, чвм и 0,3 В.
* Повышение вксднык сигналов до уравнл В,б В или ланижение да -2 В длительнсспю нв более б нс не нривсдит к выводу модул» из стра». ' г вввиаит от иродоллительмюти рабачета цикла. Максимельныд так измерен лри минимем нам времени цикле. ' Эффективна» емкость алреееллвтс» из урввнени»г г.м С= — Ри Ьи=з В. = ьи Рнб.
12.28. Выдержка из таблицы данных динамического ОЗУ НУВ 4116. Среднее токопотреблвние из У в течение одного цикла регенерации' ЯА8 последовательность импульсов СА8 на У -уровне (ЗБ6 Г ИР ~ ~ 1 РЫ 12.4. Постоянные запоминающие устройства (ПЗУ, ЯОМ) ПЗУ (КОМ) содержат нестираемую и неизменяемую информацию. Понятие КОМ является сокращением от Квай Оп1у Мепюгу. ПЗУ можно сравнить с книгой. Занесенная в нее информация является доступной в любое время.
Однако невозможно заменить или изменить информацию. В ПЗУ сохраняют часто используемые сведения, например команды, программы и таблицы. По мере необходимости могут быть считаны отдельные ячейки таблицы. Для организации ПЗУ применяют два типа запоминающих элементов, Запоминающие элементы первого типа должны всегда содержать значение 1. Запоминающие элементы второго типа должны всегда содержать значение О. Представление данных в памяти и организация памяти ПЗУ похожи на ОЗУ.
Запоминающая матрица состоит из строк и столбцов. Отдельные ячейки памяти выбираются адресацией (рис. 12.29). денные ~ ц~инв и ВОА ивх Рис. 12.29. Схеме б4 х 1 битового ПЗУ. ПЗУ производятся чаще всего в )т'-МОП-технике. Возможная степень интеграции велика, а энергопотребление незначительно. Как построен запоминающий элемент, который всегда содержит значение 1? Это можно сделать с помощью отсутствующего Лг-МОП-транзистора. Запоминающий элемент, который всегда имеет значение О, образуется )т-МОП-транзистором (рис.
12.30). У-адресные шины являются одновременно линиями данных. Если запоминающий элемент считывается, на Т-адресную шину прикладывается 1-сигнал. гг.з. и. и г зы гпзг, зпзп знззн31 Пенные анна П данные ° п Статичеокое ПЗУ, 16384 бит ЗАВ 8316 А Структура 2048 х 8 бит Время доступа азаке. 850 нс Напряжение питания 6 В ТТЛ-совместим по всем входам-выходам Программируемый модуль выборкм входов для легкого расширения модуля памяти Трн состояния выхода — возможность подсоединения проводного ИЛИ Полностью дешифрован — адресная дешифровка всего модуля Все шшды зааааШены против статического разряда 8АВ 8316 — статическое ПЗУ со структурой 2048 олов по 8 бит Входы и выходы полностью ттЛ-совместимы.
Этот модуль использует только одно значение напряжения питания — +5 В. Три входа выборки являются программируемыми. Каждая комбинация Ь- и Н-уровней активных модулей выборки входов может быть распознана таким образом, что желаемый код выборки модуля в течение процесса мвсочного программирования может быть зафиксирован. Этн трн программируемых модуля выборки входов, в также возыожность проводного ИЛИ облегчают расширение устройства памяти.
ВАВ 8318 изготовлен в КМОП-технологии. Рве. 1аыче. Элемент памяти ПЗУ (гУ-МОП-технология). Если выбранный запоминающий элемент является О-элементом, то на линии данных действует О-сигнал, транзистор открыт и связывает линию данных с землей. Если выбранный запоминающий элемент является 1-элементом, то на линии данных действует 1-сигнал. На линии данных не может быть О-сигнал, так как транзистор отсутствует. Постоянные запоминающие устройства этого вида называются также масочными ПЗУ. Информация записывается при изготовлении. Покрытием (маскированием) на определенных участках предотвращается изготовление полевых транзисторов.
Пользователь должен указать заранее, какая информация должна быть записана и соответственно где должны и где не должны быть размещены палевые транзисторы. Изготовление ПЗУ является экономически обоснованным только при массовом производстве, так как для каждого информационного наполнения должна быть изготовлена соответствующая маска. На рис. 12.31 приведена сокращенная таблица данных постоянного запоминающего устройства БАВ 831б. Это ПЗУ построено в Ф-МОП-технике и содержит 2048 слов по 8 бит, организованных в виде 128 строк и 1б столбцов. Для 128 строк требуются 7 адресных линий.
1б столбцов управляются по 4 адресным линиям. Всего в наличии имеются 11 адресных входов. (ИВ Глава 12. Регистры и заломииаюи1ие устройства Статические парввдетры и условия вкоплуатации Т„= 0 до+70'С, У = 5 В и 5% )если не указаны другие данные) Время переключения Т„ю 0 до+ТО'С, У = +5 В в 5% (если нв указаны другие данные) Условия испытаний 1,5 В О,йб до 2,2 В Емкопп — выборочный контроль при Т„м 25'С, Г = 1 мгц Примзчвнив: ' Типавмн знвчзния дпя гз'С и наминзлыато ивпрмкяння питвння. * Вав вмвадм, крома вянюдя, ив «атщюм проводитая ивнвряннв п «атармй азизян а землей. Уровень импульсов на входе Передний и задний фронт на входе )от Нагруака на выходе 1 Уровни проведения измерений: для входов для выходов О 8 до 2 В 10 до 90%) 20 нс ТТЛ-нагрузка и С, = 100 пФ Цоколевка о, Обозначения вводов О, А;Ан — адраенме пледы О;О, — амапд данник СЗ;СЗ, — еитнал еыйара мнкраскам» гт — напршкениа питании(+5 В) ойо — мзм <с в~ о, о, О, о, Блок-схема Выше данныи О, От О, О, О.
О, О, От А, Предельные значения' Температура округкающей среды в рабочем режима 0 до+ 70'С Температура хранения -абдо+ 180'С Напряжение на каждом выводе относительно земли-0,5 до + 7 В Потребление мощности 1 Вт Примечания ' Приаеденные данные ншшштье граничным», пр» ик превышении медаль мОжет амати нз «трп» * типичные значани» при т = 25'С и намннальнам напраженнн. Интересным является незначительное потребление энергии — 31,4 мкВт на бит и относительно малое время доступа. В этой микросхеме дополнительно содержится модуль схемы выборки.
Буфер вывода доступен только Прн УСЛОВИИ, ЧтО На ВХОдаХ СЯ„СЮ2 И Соз дЕИСтВуЮт ОнрЕдЕЛЕННЫЕ бниарные сигналы. Таким образом, облегчается объединение нескольких таких ПЗУ в устройство памяти большего объема А А Ан А А, А, А А, гг.ч. л, ч т м ы тлзх логе зф Ряс. 12.31. Данные на статическое ПЗУ 8АВ 8316 А (31ептаоа). 12.5.
Программируемое постоянное запоминающее устройство (ППЗу, РяОМ) Сокращение РКОМ происходит от РгойгапппаЫе Кель Оп1у Мепюгу — программируемое ПЗУ. Развитие программируемых постоянных запоминающих устройств явилось следствием пожелания пользователей самим вводить данные в постоянное запоминающее устройство. Также они не хотели быть связанными большим количеством экземпляров.
Целью было экономически выгодное производство малых партий, до одной штуки. Представим себе ПЗУ, которое состоит только из элементов памяти для записи 0 согласно рис. 12.30. То есть на перекрестиях находятся полевые транзисторы. Если один из транзисторов будет прожжен, то в этом месте будет сохранена 1. Почему нельзя всегда целенаправленно прожигать транзисторы в тех местах, в которые нужно записать 17 Таким способом программируется ППЗУ, т. е.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
