Boit_K__Cifrovaya_yelektronika_BookZZ_or g (773598), страница 53
Текст из файла (страница 53)
Далее также важны электрические условия эксплуатации и допустимый рабочий диапазон. Рассмотрим по очереди самые важные параметры памяти. Емкость Емкость показывает количество элементов памяти, содержащихся в матрице, т. е. число бит, которые могут быть сохранены. Структура памяти Характеризует объем памяти одной ячейки и способ адресации.
Время доступа Время доступа является временем, которое проходит от момента адресации элемента памяти (ЭП) до возможности располагать информацией на выходе данных. гг.т. о„р... и р ыр тмиг тятт) Длительность цикла обработки Под длительностью цикла обработки понимают минимальное время между двумя следующими друг за другом процессами чтения — записи. Энергопотребление Указывается общее энергопотребление всей микросхемы.
Оно может варьироваться в зависимости от режима работы. Электрические условия эксплуатации Здесь указываются необходимые напряжения питания, необходимые уровни сигнала и диапазоны допустимых значений (см. гл. б «Семейства схеме), а также предельные значения других электрических величин. Диапазон рабочих температур Диапазон рабочих температур — диапазон температур, в котором память стабильно работает в рамках предписанных электрических условий эксплуатации. 12.3.3.3. Некоторые виды ОЗУ Рассмотрим некоторые из выпускаемых схем памяти.
Память ЗАВ 2102 представляет из себя статическое 1024 х 1-битовое ОЗУ в Ф-МОП-исполнении. Она поставляется в 16-полюсных Р1Р-корпусах. Схема и расположение портов показаны на рис. 12.25. Модула ламатн ВДВ Д1еа Влоа-алема Цомтлаека Вид оаврлу А, А, А, Еы а г и, О, 1Б 9 1 а А А Е А, 4 А А 4 ,В до 4 — едраоиьм ВхОды Хм — выбор модуля оамми 1омр ввмое ń— еитнал валлон/чтения г — ввод данны» Π— вывод данны» О, — иалрялвииа витания(+) С, — аемля е Рве.
12.25. Блок-схема и цоколевка 1024 х 1 битового КАМ ЯАВ2102 (51етаепв). ('348 Глава 12 Регистры и запоминающие устройства Х- и У-адреса сохраняются в регистрах и декодируются. Матрица памяти имеет в строке 32 запоминающих элемента и 32 таких строки далее, одна под другой. Для управления используются входы Г,„(разрешить запись) и Р„(разрешить запоминание). Для разрешения запоминания требуется 0-сигнал. Если 0 не приложен, то память заблокирована.
Для разрешения записи также нужен 0-сигнал. Информация сохраняется в регистре выходных данных. Таблица данных блока памяти представлена на рис. 12.2б. Максимальное время доступа 1000 нс. Память работает относительно медленно. Статические параметры При Т = от О до ТО С, Уг = +5 В е 5%, Ог = О В Время перекпючвиия Т„= О до 70 'С, У = 5 В е 5%, О = О В Модуль памати ЗАВ 2102 Статическое МОП-ОЗУ (ВАМ) с 1п-эта1е выходом (три возможных состояния) Емкость 1024 бит ° И-МОП-технология ° Емкость 1024 х 1 бит ° ПЛ-совместима, У = 5 В ° Выход тп-з1а1е, возможность проводного ИЛИ ° Статический режим эксплуатации, нет регенерации данных ° Чтение не меняет содержимого ячеек ° Разнесенный ввод-вывод данных ° Простое расширение с помощью выбора модуля памяти Рн ° Корпус Ой 16 ° Взаимозаменяем с 1птегэй 7552, 1п)е), а также АМО 2102 и др.
Чертеж о размерами Граничные условия Т 0'С до+70'С Диапазон рабочих температур -65 Сдо+160'С -0,5 В до +7 В Температура хранения напряжение на каждом выводе по отношению к 0 максимально допустимая мощность потерь Емкости Тэ= 25'С, У= МГн Условия Входная емкость С 5пФ У = 0 В (все входы) 10 пФ У =ОВ Вьиодная еыкость С Рве.
12.26. Таблица данных модула ЯАВ 2102 (51ещепз). (тихо р гг. р р ~ю тм Достаточно интересным является ОЗУ ктХВ 10147 В, которое построено в ЭСЛ-технике. Эта память является статической 128 х 1-битовой памятью с временем доступа 10 нс. Она работает в сто раз быстрее памяти ВАВ 2102. При напряжении питания -5,2 В эта схема потребляет ток примерно 80 мА, что соответствует рассеиваемой мощности 0,41б Вт. То есть энергопотребление очень высоко. Выдержка из таблицы данных приведена на рис. 12.27. Статическое ЭСЛ-ОЗУ (ИАМ) ОХВ 10147 А Емкость 128 Бит данные для заказа Тип Тип корпуса ВХВ 10147 А О 6700(г — 838 Рис.
1 ° Очень быстрая ЭСЛ-память ° Время доступа 10 нс ° Полностью дешифрован ° Матрица 128 х 1 бит ° Возможность расширения через слцр зе!ес( ° Возможность проводного ИЛИ ° Статический режим эксплуатации, нет регенерации данных ° Стабилизированное потребление тока ° Отрицательный температурный коэффициент токопотребления, самостабилизация ° Металлокерамический корпус с 18 выводами ° Взаимозаменяем с мотого(а МСМ 10147 А~, Га!гсм1С Г 10405 ° Совместим с семействами ЕС(. 10 1( и Га)гснва 95 11 Цоколеака Вид сверху С ОО Сз! Сзг "'Е Сг Д Н.С 15 15 1Я !3 !2 11 !9 9 д, до д, — адраеныа ююды С! — моды данных Сэг, Ст — ВЫбОР МОДтяа ПаМЯтн (ОМР аЕ1ИИ) ЯŠ— оигнал ам!или/нюнил СΠ— аоод данных Π— напряхмние питания (-5,2 В) Π— еамл» Н.С. — не подхлюяен 1 2 9 Я 5 5 7 5 и д, д, д, д,,я. л, и Статические параааетры При 7„= 25 С, (р' = — 5,2 В, В,= 50 Ом по отношению к — 2,0 В Охлшкдение воздухом 2,55 м/с О! ФЕ 28'С 86 'С Ел.
ие несения пеп Время доступа 12 14 Время уотановки сигнала выбора микросхемы б,б Длительность сигнала записи Задержка перехода выхода данных из активного состояния в состояние отключено в режиме чтения нс Время установки А до ЖЕ нс Время установки СВ до ФЕ нс Время установки Рl до ЖЕ Время удержания ЖЕ до А нс Время удержания ЖГ до Сб нс Время удержания ЖЕ до Рг' нс Время переключения и„= 8.2 В * 1О 88 (»»»» г»».Р» ч» ч» Граничные условия Рис.
12.27. Выдержка нз таблицы данньпг элемента памяти ОХВ 10147 А (Яептепз). Как пример динамического ОЗУ рассмотрим модуль НУВ 411б, Он построен в Ф-МОП-технике и имеет емкость 1б384 бит. Каждый бит адресуем индивидуально (1б384 х 1-В(1-ВАМ). Адресные линии переключаются мультиплексором. Структура схемы показана на рис.
12.28. Динамическое МОП-ОЗУ НУВ 4116 Емкость 16364 бит Предварительные данные НУВ 4116 от 6)вгпепз — это динамическое ОЗУ в И-каналыюй МОП-технологии с двухслойным поликристаллическим кремнием. ° И-канальная МОП-технология ° 16384 х 1 бит, полностью декодирован ° Разделенный ввод — вывод данных ° Все входы ТТЛ-совместимы (включая такт) ° Низкое энергопотребление (462 мВт актив, 20 мВт неактив) ° Промежуточная память адресов и вх. данных ° Время доступа 200 нс, время цикла 375 нс (нУВ 4115 — А 3, Р 3) ° Время доступа 250 нс, время цикла 410 нс (нУВ 4116 — А 4, Р 4) ° 3 выходных состояния, 2 ТТЛ-нагрузки ° Может быть заменен МК 4116 ° 128 циклов регенерации ° Нет записи выходных данных ° *10 ЧЬ допуск на напряжения питания (все) Х2.3. О Ч Ч у н г ОЮ6 З~ЯЗ Предельные параметры Динамические данные НУВ 4116 Принцип действия Дазщсация (А;А,] Для выбора 16384 ячеек памяти требуются всего 14 адресных разрядов, которые последовательно передаются через порты А4 — А, двумя таю ами (адресное мультиплексирование).
Сначала считываются 7 адресных слов и с тактом ВАЯ записываются в промежуточную память. В заключение такт САЯ принимает 7 битов адреса в память выборки битов. При этом необходимо обращать внимание на то, что сигнал адресации к моменту времени отрицательного фронта ВАЯ или САЯ находится в установившемся состоянии. ВАЯ и САЯ определяют момент старта для внутреннего тактирования. ВАЯ вызывает кодировщик слова и активизирует усилитель чтения. САЯ управляет кодировщиком битов, а также информационным входом и выводным усилителем.
12 — 2П4 (Ззч Глава 12 Регистры и запоминающие устройства Цоколевка Вид сверху Ат тта А — виианпв «нади С4З вЂ” бнт-вдрваммй атраб О! — ВВОД Авннмх ОΠ— выпад двннттн ЛАЗ вЂ” атраб вдрваната апавв йг — твнт авпнамт пвнмп о — -б В о — юг в й-+бв 4 о — ов 4, А 4 А А 4 Запись/чтение (Игй) Цикл запись/чтение запускается, если сигнал ИгЕ имеет (: или Н-уровень (низкий или высокий уровень сигнала). Информационный вход О( заблокирован, если идет процесс чтения.
Самый короткий цикл записи будет в том случае, когда ФЕ до или одновременно с САЯ перейдут на Е (ранняя запись). Посредством САЯ записываемые данные передаются в память входных данных. Замедленная запись, цикл читать/изменить/писать При замедленной записи или чтении/изменении/письме САЯ уже стоит на Ц так что данные запиоываются оо следующим ЫЕ-сигналом в буфер входных данных. Информационный клод ((и) Данные могут быть введены во время записи и цикла чтения(изменения/записи.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
