Лабораторная работа 2: Исследование полупроводникового диода вариант 4

Цель работы
Получение и исследование статических и динамических характеристик германиевого и кремниевого полупроводниковых диодов с целью определение по ним параметров модели полупроводниковых диодов, размещения моделей в базе данных программ схемотехнического анализа. Приобретение навыков в использовании базовых возможностей программ схемотехнического анализа, на примере программы Multisim, для исследования статических и динамических характеристик полупроводниковых диодов с последующим расчетом параметров модели полупроводникового диода. Приобретение навыков расчета моделей полупроводниковых приборов по данным, полученным в экспериментальных исследованиях и включение модели в базу компонентов
1. Занесение данного нам диода в базу MS Открываем вкладку Tools, в ней выбираем Database Manager, в котором создаем сначала Family для нашего диода. После этого заходим в Tools, Component Wizard. В нем и создаем нужный диод. После окончания внесения диода в базу его можно найти в User Database.