Текст ФХОТЭС часть 1-2 для 2015 (1245610), страница 6

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 6)

С фокусировкой и без фокусировки

ионных пучков

С компенсацией и без компенсации

объемного заряда

Рис. 2.15. Три основных метода ионно-плазменной обработки

Классификация процессов ионно-плазменного травления

Ионное травление – это такое травление, при котором для удаления поверхностных слоёв материала (металл, полупроводник, диэлектрик и даже органические вещества) используется кинетическая энергия ионов газа.

Обычно в качестве среды используют инертные газы, но в отдельных случаях используют также кислородную плазму, плазму фреонов и другие вещества, позволяющие добиться требуемого технологического результата.

Разнообразие методов, в соответствии с приведённой схемой, обусловлено способом получения ионов, средой и способами управления потоком заряженных частиц.

В зависимости от способа получения ионов и среды, в которую помещают образцы, ионное травление подразделяется:

 ионно-плазменное травление – это когда образцы помещаются на отрицательный электрод газоразрядного устройства и подвергают бомбардировке ионами, вытягиваемыми из плазмы разряда.

 ионно-лучевое травление – это когда образцы помещают на мишени в высоковакуумной рабочей камере и бомбардируют ионами, вытягиваемыми из автономного ионного источника.

При ионно-лучевом травлении может применяться фокусировка ионных пучков с помощью магнитных и электрических полей, а также компенсация из объёмного заряда с помощью инжекции электронов.

Плазмо-химическое травление, при котором используют для удаления поверхностных слоёв материала реакции между ионами и радикалами активного газа или пара и атомами или молекулами обрабатываемой детали, с образованием летучих стабильных соединений.

В зависимости от среды, в которую помещают образцы или детали, плазмо-химическое травление подразделяют на:

плазменное травление, когда образцы помещают в газоразрядную плазму химически активных газов

радикальное травление, когда образцы помещают в вакуумную камеру, отделённую от газоразрядной химически активной плазмы перфорированными металлическими экранами или электромагнитными (магнитными) полями.

Травление осуществляется незаряженными химически активными частицами (свободными атомами или радикалами), поступающими из газоразрядной плазмы. Этими методами можно травить даже био образцы.

Ионно-химическое травление — при котором для удаления поверхностных слоев материала используется как кинетическая энергия ионов химически активных газов, так и энергия их химической реакции с атомами или молекулами материала.

В зависимости от способов получения ионов и среды ионно-химическое травление подразделяется на:

 реактивное ионно-плазменное травление – это, когда образцы помещаются на электрод газоразрядного устройства и подвергаются бомбардировке ионами химически активных газов, вытягиваемых из плазмы разряда.

 реактивное ионно-лучевое травление – это, когда образцы помещаются на мишени в высоковакуумной рабочей камеры и бомбардируются ионами химически активных газов, вытягиваемых из автономного источника.

Ионное травление применяется для:

 очистки поверхностей различных материалов от загрязнений и адсорбированных газов с целью получения атомно чистых поверхностей, используемых в качестве подложек для нанесения плёнок в микроэлектронике.

 выявления строения поверхностных слоёв материалов, например для образцов металлографических исследований.

 фрезерования поверхностей пластин из “драгоценных” радиоэлектронных материалов (ортоферритов и гранатов, используемых для создания ЗУ на ЦМД). В таких материалах плазменная обработка повышает подвижность доменов, благодаря улучшению поверхности.

 трёхмерной механической обработки любых материалов, с целью предания им необходимой формы и размеров.

 полировки оптических поверхностей

 получения особо тонких плёнок и пластин из различных материалов (например, СВЧ-резисторы, маски для ренгенографии и т.п.)

Ионное травление обладает наибольшей эффективностью из известных способов очистки материалов).

Физический механизм удаления материалов позволяет применять процесс для любых материалов (металлы, полупроводники и т.п.), поэтому отпадает необходимость разработки специальных травителей для существующих и перспективных материалов в электронике и микроэлектронике.

При ионном травлении можно обеспечить такой режим. при котором ионы бомбардируют материал перпендикулярно к его поверхности. Это исключает подтравливание под маской, способствует получению чётких и резко очерченных краёв элементов микроэлектронных приборов, снижает требования к высокой адгезии маскирующих материалов, обеспечивает минимальный размер задаваемый маской.

Фигуры травления получаются с вертикальными стенками и с большими отношениями глубины и ширины.

После ионного травления не нужны вспомогательные операции очистки, промывки и сушки образцов. Процесс ионного травления проводят в вакуумных камерах, что обеспечивает необходимую стерильность, предотвращает загрязнения окружающей среды и поражения обслуживающего персонала токсичными материалами. Вместе с тем, ионному травлению свойственны недостатки:

 малая скорость процесса травления, потому что применяемые для маскирования рабочих поверхностей материалы фоторезистивных масок не допускают нагрева выше температуры 500^оK

 высокоэнергичные заряженные частицы могут создавать в полупроводниковых структурах, например, радиационные эффекты (МОП структуры особенно чувствительны)

 низкая селективность при одновременном травлении нескольких материалов, поскольку большинство из них имеет близкие по значению коэффициенты распыления, а следовательно, и скорость травления. Поэтому для селективного травления последовательно применяют разные маски, следовательно это вызывает усложнение процесса. Фоторезист при этом приходится наносить значительной толщины, что уменьшает разрешающую способность метода.

Плазмо-химическое травление позволяет обеспечить селективное травление, поскольку в основе его лежат химические реакции между атомами или молекулами обрабатываемых материалов и радикалами (ионами) химически активных газов или паров. В точности этот метод не уступает жидкостному химическому травлению.

При одних и тех же удельных мощностях разряда и давления рабочего газа ПХТ позволяет получать на порядок большие скорости травления материалов по сравнению с ионным травлением.

а) б)

Рис. 2.16. Профили структур после химического и плазмо-химического травления: а – химическое травление; б – плазмо-химическое травление; 1 и 4 – поликристаллический и монокристаллический кремний; 2 – нитрид кремния; 3 – диоксид крем

Рис. 2.17. Схема автоматической установки плазмо-химического травления с диодной

высокочастотной системой: 1 – электроды; 2 – натекатель; 3 – блок управления ВЧ источника питания; 4 – система откачки; 5 и 8 – механический и диффузионный насосы; 6 – блок управления последовательностью операций; 7 – вентиль; 9 – подложка; 10 – регулятор давления; 11 – рабочая камера

Недостатки ПХТ:

трудность получения воспроизводимых параметров процесса (скорости и однородности травления) из-за нестабильности температуры, неустойчивости состава среды, связанного с натеканием, газовыделением материалов;

подтравливание, увеличивающееся с ростом давления;

трудности контроля профиля среды

ПХТ применяется для удаления фоторезистивных масок после травления, очиски поверхностей материалов от загрязнений, обработка поверхностей контактных площадок перед приваркой выводов ИС с целью повышения качества соединений, подгонка номиналов резисторов и т.п.

Наиболее важным является применение ПХТ для селективного травления рабочих материалов через фоторезистивные маски для получения конфигураций микросхем.

Ионно-химическое травление

Ионно-химическое травление (ИХТ) применяется для того же, что и ПХТ. Оно позволяет совместить высокую скорость травления материалов с избирательностью, повысить разрешающую способность и обеспечить контроль профилей, получаемых при травлении.

К ограничениям метода следует отнести возможность загрязнения обрабатываемых структур чужеродными материалами ионного источника и мишени, а также радиационные загрязнения поврежденных структур.

Технологические возможности ионно-химического травления определяются конструктивными особенностями систем, в которых она реализуется.

Важны среды, виды газового разряда, так как от этого зависит качество ионных пучков. Характер газового разряда накладывает технические ограничения на скорость травления, на разрешающую способность, степень универсальности, на возможности управления и контроля процесса.

По методу размещения образцов, подвергаемых травлению, относительно среды, в которой существуют ионные пучки системы ионно-химического травления подразделяют на две большие группы:

 ионно-плазменные – это, в которых мишень с образцами помещается в газоразрядную плазму, являющуюся источником бомбардирующих ионов.

 ионно-лучевое (с автономным ионным источником), то есть мишень с образцами отделена от области газоразрядной плазмы.

С автономным ионным источником

Без фокусировки ионного пучка С фокусировкой ионного пучка

С компенсацией Без компенсации

объемного заряда объемного заряда

Рис. 2.18.

2.4.2. Газовое травление полупроводниковых подложек. Пример

При газовом травлении, совмещаемом, с операциями окис­ления или эпитаксии, обеспечивается максимальная чистота поверхности пластин. Этот процесс называют также газовой полировкой. Загрязнения удаляются вместе с поверхностным слоем материала пластин, что улучшает структуру полученной поверхности.

В качестве газов-реагентов для травления кремниевых плас­тин применяют галогены (F₂, Сl₂, Вr₂), галогеноводороды (HBr, HF, HCl, Hl), пары воды, соединения серы (H₂S, SF₆), которые добавляют в небольших количествах (1-5 %) к газу-носителю (водороду, аргону или гелию). Обработку пластин выполняют в диапазоне температур от 850 до 1250 °С.

В промышленной технологии преимущественно применяют предэпитаксиальное газовое травление поверхности кремниевых пластин в безводном хлористом водороде, сопровождаемое реакцией

Si + 4НСl  SiCl ₄  + 2H₂ 

При содержании 2 % HCl в водороде скорость полировки при 1200 °С составляет ~1 мкм/мин. При снижении температуры и повышении концентрации хлористого водорода полирующее травление может перейти в селективное, и поверхность покроется ямками травления.

Сухую очистку, основанную на химическом взаимодействии газовой среды и металлических ионов загрязнений, выполняют также в галoгeносодержащих средах (1-25 % НСl, трихлорэтилена, хлористого нитрозила в газе-носителе) при 500-1300 °С в реакционной камере перед окислением, диффузией или эпитаксией. Очистка состоит из распада молекул галогенных соеди­нений, взаимодействия продуктов распада с ионами металлов и образования летучих соединений, которые легко удаляются газо­вым потоком.

Газовое травление и сухую химическую очистку выполняют в эпитаксиальном реакторе или диффузионной печи.

4.4.2. ИОННО-ПЛАЗМЕННОЕ И ИОННО-ЛУЧЕВОЕ ТРАВЛЕНИЕПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

Эти виды травления поверхности полупроводниковых плас­тин, используемые в технологическом процессе изготовления ИМС после операций фотолитографии для создания рельефа (формирования канавок, углублений, меза-областей, меток для проекционной фотолитографии), относятся к классу анизотроп­ного травления. Коэффициент его анизотропности (отношение скорости травления материала по нормали к поверхности к ско­рости бокового травления) может быть от 10 до 100, что значи­тельно больше, чем для жидкостного травления. Кроме того, при ионно-плазменном травлении повышается воспроизводи­мость глубины вытравленных областей по пластине (± 2 %) и в партии пластин (± 5 %), а из-за небольшого бокового подтрава можно уменьшать зазоры между элементами ИМС и увеличивать степень интеграции.

Характеристики

Список файлов учебной работы