диплом (1227502)
Текст из файла
ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ
ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ
«ДАЛЬНЕВОСТОЧНЫЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ПУТЕЙ СООБЩЕНИЯ»
ЕСТЕСТВЕННОНАУЧНЫЙ ИНСТИТУТ
Кафедра «Физика и теоретическая механика»
К ЗАЩИТЕ ДОПУСТИТЬ
Заведующий кафедрой
«Физика и теоретическая механика»
А.В. Сюй
«___» ____________ 2016 г.
Приёмник излучения на основе кристалла с фотогальваническим и пироэлектрическим эффектами
Магистрант гр. (ФО-2) __________ «___» __________ 2016 г. Ю.О. Перков
Консультант по … (подпись) И.О. Фамилия
(должность, уч. степень, звание) (дата)
(дата)
Консультант по .. (подпись) И.О. Фамилия
(должность, уч. степень, звание) (дата)
Руководитель
(профессор каф. ФиТМ, д. ф.-м.н, ____ В.И. Иванов
«___» _______ 2016 г.
Нормоконтроль (подпись) И.О. Фамилия
(должность, уч. степень, звание) (дата)
Хабаровск - 2016
СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ 3
ГЛАВА 1. ФОТО- И ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ 6
В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ 6
1.1. ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ 6
1.2. ПИРОЭФФЕКТ 10
1.3. РЕЛАКСАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ 13
1.4. ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ 24
1.5. ОСНОВНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТЕПЛОВЫХ ПРИЁМНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ 26
ГЛАВА 2. ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРИЁМНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛА С ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКИМ И ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИМ ЭФФЕКТАМИ 63
2.1. ВОЛЬТ-ВАТТНАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ФОТОГАЛЬВАНИЧЕСКОГО ПРИЁМНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ 63
2.2. ВОЛЬТ-ВАТТНАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРИЁМНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ 71
2.3. КОМБИНИРОВАННЫЙ ПРИЁМНИК ИЗЛУЧЕНИЯ 81
2.4. ОБНАРУЖИТЕЛЬНАЯ СПОСОБНОСТЬ КОМБИНИРОВАННОГО ПРИЁМНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ 83
ЗАКЛЮЧЕНИЕ 84
ЛИТЕРАТУРА 85
ВВЕДЕНИЕ
Тепловые приемники излучения нашли широкое применение в различных областях науки и техники для регистрации излучения в широком спектральном диапазоне, в том числе в транспортной промышленности. При измерении энергетических параметров и характеристик лазеров пироэлектрические приёмники излучения оказались во многих случаях предпочтительнее других приёмников оптического диапазона.
Развитие лазерной техники, достижения электронной техники и необходимость метрологического обеспечения лазерных измерений способствовали становлению пироэлектрического приборостроения. Это привело к тому, что большое число зарубежных фирм включили их в основную номенклатуру разработок и поставок. Всё больше синтезируется новых пироактивных материалов, предназначенных для создания высокочувствительных пироэлектрических устройств.
По сравнению с другими типами приемников они обладают целым рядом преимуществ - в частности, высокой вольт-ваттной чувствительностью. Однако частотная зависимость этой чувствительности имеет спады в области низких и высоких частот модуляции излучения. Это объясняется тем, что пироэлектрический ток – есть производная по температуре. Поэтому, когда сигнал меняется медленно, для низких частот модуляции производная по температуре равна нулю и чувствительность приёмника стремится к нулю. В области высоких частот спад чувствительности происходит из-за конечных времен тепловой и электрической релаксации.
Для того чтобы пироэлектрический приёмник излучения мог регистрировать сигналы в широком диапазоне частот, он должен обладать равномерной частотной зависимостью вольт-ваттной чувствительности. Известен фотогальванический эффект, который имеет постоянную чувствительность для низких частот.
В связи с этим, целью данной работы является исследование характеристик комбинированного фотоприемника, в котором в качестве чувствительного элемента используется кристалл (например, ниобат лития), проявляющий два эффекта: пироэлектрический и фотогальванический, для получения равномерной зависимости вольт-ваттной чувствительности от частоты.
Основные задачи данной работы:
1. Аналитическое исследование амплитудно-частотной характеристики фотогальванического приёмника излучения;
2. Аналитическое исследование амплитудно-частотной характеристики пироэлектрического приёмника излучения;
3. Аналитическое исследование амплитудно-частотной характеристики комбинированного приёмника излучения;
4. Анализ обнаружительной способности комбинированного приёмника излучения.
Работа состоит из введения, двух глав и заключения.
Первая глава посвящена обзору теоретических и экспериментальных работ по фото- и термоиндуцированным эффектам в сегнетоэлектрических кристаллах.
Во второй главе проведено расчётно-аналитическое исследование амплитудно-частотной зависимости вольт-ваттной чувствительности фотоприемника излучения на основе пироэлектрического кристалла с фотогальваническим эффектом.
Основные результаты работы, полученные автором, опубликованы в статьях [89-91] доложены на следующих конференциях:
1)
2)
3)
ГЛАВА 1. ФОТО- И ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ
В СЕГНЕТОЭЛЕКТРИКАХ
1.1. ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТ
Пироэлектричество – это явление возникновения электрического поля в кристаллах при изменении их температуры. Отличительной особенностью пироэлектриков является наличие спонтанной поляризации, пэтому при изменении температуры кристалла на его поверхности появляются электрические заряды. В стационарном состоянии спонтанная поляризация скомпенсирована электрическими зарядами, натекающими на поверхность изнутри и снаружи пироэлектрика, при изменении температуры она меняется, что приводит в возникновению тока. [5, 12].
Пироэлектрический кристалл, температура которого изменяется под действием падающего на него излучения можно использовать как чувствительный элемент теплового пироэлектрического детектора излучения.
Величина пироэлектрического тока:
, (1.1)
где: – пироэлектрический коэффициент,
– величина приёмной площадки,
– температура кристалла,
– время.
Для определения динамики температуры надо решить уравнение теплового баланса:
, (1.2)
где: – теплоёмкость чувствительного элемента,
– изменение температуры кристалла,
– коэффициент теплопотерь,
– поглощательная способность приёмной площадки,
–плотность излучательного потока.
Если изменение температуры кристалла при облучении на много меньше начальной температуры среды ( ), и для слабых интенсивностях излучения уравнение (1.2) можно линеаризовать. Для начальных условий [
], его решение примет вид:
. (1.3)
Основные рабочие характеристики приёмника излучения можно определить из эквивалентной схемы пироэлектрического приёмника излучения. Для получаем из (1.2) и (1.3):
, (1.4)
где: ,
– входная электроёмкость измеряемой схемы,
– электроёмкость кристалла;
– входное сопротивление схемы,
и
– сопротивление нагрузки и кристалла, соответственно.
Пироэлектрические коэффициенты свободного и зажатого кристаллов отличаются по величине, поскольку второй обусловлен только изменением поляризации кристалла, а первый еще и связан с его тепловой деформацией. [15,88-96]. В общем случае имеем два слагаемых для величины пироэлектрических коэффициентов свободного и зажатого кристаллов [15,88]:
, (1.5)
где: – компонента вектора электрической индукции.
Используя закон Гука, получаем следующее выражение:
, (1.6)
где: – пироэлектрический коэффициент при постоянных электрическом поле
и механических напряжениях σ,
– пирокоэффициент при постоянной деформации,
– тензор пьезоэлектрических коэффициентов с изменением электрического поля при обратном пьезоэлектрическом эффекте,
– теплоёмкость единицы объёма кристалла при постоянных напряжениях и температуре,
– компоненты тензора теплового расширения при постоянном электрическом поле, связывающие изменение деформации с изменением температуры.
Второе определяет пьезоэлектрический вклад в пироэлектрический коэффициент, обусловленный тепловым расширением равномерно нагретого кристалла (так называемый вторичный пироэлектрический эффект).
Первичный и вторичный пироэлектрические эффекты существуют при равномерном нагреве кристаллов, которые принадлежат лишь к десяти полярным классам. Третичный же пироэлектрический эффект возникает не только в этих средах, сопровождая их неоднородный нагрев, но может появиться и в любом из двадцати пьезоэлектрических классов.
При неоднородном температурном нагреве кристаллов, не принадлежащих ни к одному из десяти полярных классов, их симметрия изменяется так, что в них становится возможным появление третичного пироэлектрического эффекта, обусловленного возникновением термоупругих напряжений в кристалле под действием неоднородного нагрева. Для свободной от внешних механических воздействий поверхности кристалла, имеем для тензора напряжений [99-101]:
, (1.7)
(где: – i-я составляющая плотности внешней силы, действующей на поверхность кристалла, V – некоторый объём , ограниченный поверхностью S). Момент этого тензора:
, (1.8)
Характеристики
Тип файла документ
Документы такого типа открываются такими программами, как Microsoft Office Word на компьютерах Windows, Apple Pages на компьютерах Mac, Open Office - бесплатная альтернатива на различных платформах, в том числе Linux. Наиболее простым и современным решением будут Google документы, так как открываются онлайн без скачивания прямо в браузере на любой платформе. Существуют российские качественные аналоги, например от Яндекса.
Будьте внимательны на мобильных устройствах, так как там используются упрощённый функционал даже в официальном приложении от Microsoft, поэтому для просмотра скачивайте PDF-версию. А если нужно редактировать файл, то используйте оригинальный файл.
Файлы такого типа обычно разбиты на страницы, а текст может быть форматированным (жирный, курсив, выбор шрифта, таблицы и т.п.), а также в него можно добавлять изображения. Формат идеально подходит для рефератов, докладов и РПЗ курсовых проектов, которые необходимо распечатать. Кстати перед печатью также сохраняйте файл в PDF, так как принтер может начудить со шрифтами.