Главная » Просмотр файлов » Диссертация

Диссертация (1149550), страница 22

Файл №1149550 Диссертация (Исследование полярных оптических фононов в слоистых гетероструктурах) 22 страницаДиссертация (1149550) страница 222019-06-29СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 22)

Vol. 3. №. 11. P. 1872 – 1884.9.Yu P Y., Cardona M. Fundamentals of semiconductors. Physics and Materialsproperties. 3rd edition. Springer-Verlag. Berlin. Germany. 2002. P. 617.10. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки. пер. с англ. Мир.Москва. 1989. С. 240.11. Келдыш Л.В., О влиянии ультразвука на электронный спектр кристалла//Физика Твердого Тела 1962, Т. 4 Вып. 8. С. 2265 – 2267.15112. Bhattacharya P. K., Bhattacharya P. Properties of III-V quantum wells andsuperlattices.

INSPEC, Institution of electrical engineers, London, 1996. P.420.13. Esaki, L., and Sakaki, Н. IBM Tech. Disc. Bull, 1977. Vol.20. P. 2456.14. Sai-Halasz G. A. et al. A new semiconductor superlattice// Appl. Phys. Lett.1977. Vol. 30, № 12. P. 651 – 653.15. A.

Rogalski, Quantum well photoconductors in infrared detector technology//J. Appl. Phys. 2003. Vol. 93. No. 8. P. 4355-4391.16. Gunapala S. D. and Bandara S . V. Semiconductors and semimetals. Vol . 62,chapter 4, Quantum Well Infrared Photodetector (QWIP) Focal Plane Arrays.Academic Press. San Diego. USA.

2000. P. 197-282.17. Downs C. et al. Progress in Infrared Photodetectors Since 2000// Sensors2013. Vol. 13. P. 5054 – 5098.18. Vardi A. et al. High-speed operation of GaN/AlGaN quantum cascadedetectors at λ≈1.55μm// Appl. Phys. Lett. AIP Publishing 2008.

Vol. 93.№193509. P. 1 – 3.19. Giorgetta F.R. et al. High frequency (f=2.37 GHz) room temperatureoperation of 1.55 μm AlN/GaN-based intersubband detector//ElectronicsLetters. The Institution of Engineering and Technology 2007. Vol. 43. №3. P.185 – 187.20. Edmunds C. et al. Near-Infrared Absorption in Lattice-Matched AlInN/GaNand Strained AlGaN/GaN Heterostructures Grown by MBE on Low-DefectGaN Substrates// Journal of Electronic Materials. Springer. 2012.

Vol. 41.№3. P. 881-886.21. Monemar B., Fundamental energy gap of GaN from photoluminescenceexcitation spectra// Phys. Rev. B. 1974. Vol.10. №2. P. 676 – 681.22. Ramírez-Flores G. Temperature-dependent optical band gap of the metastablezinc-blende structure β-GaN// Phys. Rev. B. 1994.

Vol. 50. №12. P. 8433 –8436.15223. Li J. et al. Band structure and fundamental optical transitions in wurtziteAlN// Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 83. №25. P. 5163 – 5165.24. Thompson M. P. et al. Deposition factors and band gap of zinc-blende AlN//J.Appl. Phys. 2001. Vol. 89. №6. P. 3331 – 3336.25. Ponce F.A., Bour D.P. Nitride-based semiconductors for blue and green lightemitting devices// Nature. 1997. Vol. 386. № P.

351 – 359.26. Nakamura S., Krames M.R., History of gallium-nitride-based light-emittingdiodes for illumination//Proceedings of the IEEE. 2013 Vol. 101. №10. P.2211 – 2220.27. Maier D. et al. Testing the temperature limits of GaN-based HEMT devices//IEEE Transactions on Device and Materials Reliability. 2010. Vol. 10.

№4. P.427 – 436.28. Jiang H.X. et al. III-nitride quantum devices – microphotonics// CriticalReviews in Solid State and Materials Sciences. 2003. Vol. 28. №2. P. 131 –183.29. Belkin M.A., Capasso F. New frontiers in quantum cascade lasers: highperformance room temperature terahertz sources// Phys. Scr. 2015. Vol. 90. P.1 – 13.30. Gmachl C. et al. Intersubband absorption in GaN/AlGaN multiple quantumwells in the wavelength range of λ~1.75–4.2μm// Appl. Phys.

Lett. 2000. Vol.77. №3. P. 334 – 336.31. Kishino K. et al. Intersubband transition in (GaN)m/(AlN)n superlattices in thewavelength range from 1.08 to 1.61 μm// Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 81.№7. P. 1234 – 1236.32. DeCuir E. A. Near-infrared intersubband absorption in nonpolar cubicGaN/AlN superlattices// Appl. Phys. Lett.

2007. Vol. 91. № 041911. P. 1 - 3.33. Capuzzo G. et al. All-nitride AlxGa1-xN:Mn/GaN distributed Braggreflectors for the near-infrared// Sci. Rep. 2017. Vol. 7. № 42697. P. 1 - 9.34. Mitrofanov, O. et al. High-reflectivity ultraviolet AlGaN/AlGaN distributedBragg reflectors// Appl. Phys. Lett. 2006. Vol. 88. № 171101. P. 1-315335.

Fainstein A., Jusserand B. Phonons in semiconductor planar microcavities: ARaman scattering study// Phys. Rev. B 1996. Vol. 54, №16. P. 11505-11516.36. Jain S.C. III–nitrides: Growth, characterization, and properties// J. of Appl.Phys. 2000. Vol. 87. №3. P. 965 – 1006.37.

Morkoc H. Handbook of Nitride Semiconductors and Devices. Vol. 1:Materials Properties, Physics and Growth. WILEY-VCH Verlag. Berlin.Germany. 2008. P. 1316.38. Quay R. Gallium Nitride Electronics. Springer-Verlag. Berlin. Germany.2008. P. 47039. Крестников И.Л., Лундин В.В., Сахаров А.В., Бедарев Д.А., ЗаваринЕ.Е., Мусихин Ю.Г., Шмидт Н.М., Цацульников А.Ф., Усиков А.С.,Леденцов Н.Н., Алферов Ж.И. Гетероструктуры на основе нитридовтретьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы//Успехи Физических Наук. 2001. Т.

171. С. 857 – 858.40. Ciorga M. et al. The influence of MOCVD process scheme on the opticalproperties of GaN layers// Mater. Sci. & Eng. B. 1999. Vol. 59. №1-3. P. 16 –19.41. Панькин Д.В., Смирнов М.Б, Давыдов В.Ю., Смирнов А.Н., ЗаваринЕ.Е., Лундин В.В. Упругие деформации и делокализованные оптическиефононывсверхрешеткахAlN/GaN//ФизикаиТехникаПолупроводников. 2016. Т.

50. №8. С. 1064 – 1069.42. Kyutt R.N. et al. X-ray diffraction study of short-period AlN/GaNsuperlattices//Crystallogr. Rep. 2013. Vol. 58. №7. P. 953–958.43. Gleize J. et al. Anisotropy and strain effects on lattice dynamics in nitridebased superlattices// Phys. Stat. Sol. (a) 2003. Vol. 195. №3.

P. 605 – 611.44. Darakchieva V. et al. Phonon mode behavior in strained wurtzite AlN/GaNsuperlattices// Phys. Rev. B. 2005. Vol. 71. №115329. P. 1 – 9.45. Ahmed N.M. Effects of Si, Al2O3 and SiC substrates on the characteristics ofDBRS structure for GaN based laser// Journal of Physical Science 2006, Vol.17. №2. P. 151 – 159.15446.

Kukushkin S.A. et al. Substrates for Epitaxy of Gallium Nitride: NewMaterials and Techniques// Rev. Adv. Mater. Sci. 2008. Vol. 17. №1. P. 1 –32.47. Lundin W. V. et al. Growth and Characterization of AlGaN/GaNSuperlattices// Phys. Stat. Sol. (a). 2001. Vol. 188. №2. P. 885 – 888.48. Dutta M. et al. Phonons in III–V nitrides:Confined phonons and interfacephonons// Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2001.Vol. 11. №2-3.

P. 277 – 280.49. Pinquier C. et al. Behavior of phonons in short period GaN-AlNsuperlattices// Phys. Stat. Sol. (c). 2004. Vol. 1. №11. P. 2706 – 2710.50. Schubert M. et al. Phonons and free carriers in strained hexagonalGaN/AlGaN superlattices measured by infrared ellipsometry and Ramanspectroscopy// Materials Science and Engineering B 2001.

Vol. 82. №2. P.178 – 181.51. Kladko V. et al. Substrate effects on the strain relaxation in GaN/AlN shortperiod superlattices// Nanoscale Research Letters. 2012. Vol.7. №289. P.1 –9.52. Davydov V. Yu. et al. Raman and photoluminescence studies of biaxial strainin GaN epitaxial layers grown on 6H–SiC// J. Appl. Phys. 1997. Vol. 82 №10.P. 5097 – 5102.53. Frandon J. et al. Lattice dynamics of a strained GaN–AlN quantum wellstructure// Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures. 2003.Vol. 17. №2-3. P. 557-558.54.

Vezian S. et al. In situ imaging of threading dislocation terminations at thesurface of GaN 0001 epitaxially grown on Si 111// Phys. Rev. B. 2000. Vol.61. №11. P. 7618 – 7621.55. Hageman P.R. et al. Growth of GaN epilayers on Si(111) substrates usingmultiple buffer layers// Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2002. Vol. 693. P. I3.20.1- I3.20.6.15556.

Davydov V. Yu. et al. Role of an ultra-thin AlN/GaN superlattice interlayeron the strain engineering of GaN films grown on Si(110) and Si(111)substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy//Appl. Phys. Lett. 2013Vol. 103. №231908. P. 1-4.57. Wosko M. et al. GaN/AlN superlattice high electron mobility transistorheterostructures on GaN/Si(111)// Phys. Stat. Sol. B. 2015. Vol 252, №5, P.1195 – 1200.58. Cantarero A. Raman scattering applied to materials science// ProcediaMaterials Science. 2015. Vol.

9 P. 113 – 122.59. Colvard C. et al. Observation of Folded Acoustic Phonons in a SemiconductorSuperlattice// Phys. Rev. Lett. 1980. Vol. 45. №4. P. 298 – 301.60. Colvard C et al. Folded acoustic and quantized optic phonons in (Ga,Al)Assuperlattices// Phys.

Rev. B. 1985. Vol. 31. №4. P. 2080 – 2091.61. Popovic Z.V. et al. Phonon properties of GaAs/A1As superlattice grownalong the [110]direction// Phys. Rev. B. 1989. Vol. 40. №5. P. 3040 – 3050.62. Davydov V. Yu. et al. Lattice dynamics of short-period AlN/GaNsuperlattices: Theory and experiment// Phys. Stat. Sol. A 2013. Vol 210. №3.P. 484 – 487.63. Sood A.K. et al. Resonance Raman Scattering by Confined LO and TOPhonons in GaAs-A1As Superlattices// Phys. Rev.

Характеристики

Список файлов диссертации

Свежие статьи
Популярно сейчас
Как Вы думаете, сколько людей до Вас делали точно такое же задание? 99% студентов выполняют точно такие же задания, как и их предшественники год назад. Найдите нужный учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6951
Авторов
на СтудИзбе
265
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее