074f-concl (1143791), страница 3
Текст из файла (страница 3)
2. В тексте диссертации не унифицирована величина, характеризующая шероховатость, Встречаются следующие названия: «шероховатость» (наиболее часто используемый термин); <ссреднеквадратичная шероховатость» (стр. 81); «среднее квадратичное отклонение неровностей от средней линии» (рис. 2.7, стр. 59); средняя шероховатость (стр. 67). Вероятнее всего, под всеми перечисленными терминами автор понимает один и тот же параметр.
3. Часто встречается очень странная формулировка - «варьирование технологическими параметрами», в различных ее вариантах. При этом только из контекста работы становится понятным, что имелось в виду изменение/варьи рован ие значений технологических параметров (а не изменение их числа или чего-то, что с помощью них варьируется). 4. Одной из основных измеряемых величин в экспериментах являлась толщина слоя фоторезиста. Из текста диссертации не вполне ясно„с какой точностью все же производились измерения. Достаточна ли была точность измерений для формулирования основных выводов'? 5.
В работе автор преимущественно обсуждает влияние технологических параметров процесса плазмохимического травления на скорость процесса, а причинам, обуславливающим одновременные изменения шероховатости поверхности, не уделяет должного внимания. Хорошо бы эти вопросы прояснить при защите диссертации. 6. Во введении вводятся понятия, которым присваивается аббревиатура (микросистемная техника (МСТ), элементы мембранного типа (ЭМТ), 11 микромостиковые структуры (МС)), но далее в тексте они почти не используются. Между тем в основном содержании активно используется аббревиатура МЭМС, которая нигде не вводится.
7. Из подписи к рисунку 4.13 и текста диссертации, к нему относящегося (стр. 115), не ясно какая сторона металлической мембраны обсуждается. Прилегавшая к фоторезисту или внешняя. Если первое, то любопытно, каким образом удалось изучить ее поверхность с помощью АСМ. В заключении официальный оппонент, В.Е. Земляков, отмечает, что перечисленные выше вопросы и замечания не затрагивают общего положительного отношения к диссертации А.Б.
Спешиловой. Официальный оппонент, В.Е. Земляков, также отмечает, что полученные автором данные о режимах травления, в которых удается получать гладкую поверхность фоторезиста, значительно расширяют области применения предлагаемой методики, которая может быть распространена и на другие полимерные материалы, например в области органической микроэлектроники. Диссертационная работа Спешиловой Анастасии Борисовны является законченной научно-квалификационной работой, выполненной лично автором, имеет практическое применение и соответствует пп. 9-11 «Положения о присуждении ученых степеней», утвержденного постановлением Правительства Российской Федерации № 842 от 24 сентября 2013 года (ред.
от 01.10.2018 №1168). Уровень задач, решенных соискателем, представляется соответствующим требованиям, предъявляемым к диссертациям на соискание ученой степени кандидата технических наук. Содержание диссертации соответствует специальности 05.27.06 — «Технология и оборудование для производства полупроводников„ материалов и приборов электронной техники». Автор диссертационной работы Спешилова Анастасия Борисовна заслуживает присуждения ученой степени кандидата технических наук по специальности 05.27.06 «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники». Выбор официальных оппонентов и ведущей организации обосновывается их компетентностью, высокой квалификацией, широкой известностью своими достижениями в отраслях науки, соответствующих теме диссертации, наличием публикаций в области рассматриваемых диссертантом вопросов и способностью определить научную и практическую ценность диссертационной работы, а именно тем.
что: официальный оппонент, доктор химических наук, профессор, профессор кафедры химической нанотехнологии н материалов электронной техники федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего образования "Санкт-Петербургский государственный технологический институт 1технический университет)" Ежовский Юрий Константинович, является известным и авторитетным специалистом в области нанотехнологий и разработки химических технологий материалов и приборов электронной техники.
Публикации оппонента по специальности 05.27.0б — «Технология полупроводников и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники» (технические науки), в частности, представлены: 1. Ежовский, Ю.К. Молекулярное наслаивание нанослоев нитрида кремния. // Журнал физической химии. - 2017. - Т. 91., № 7. - с.1207-1210. 2.
Ежовский, Ю.К. Молекулярное наслаивание нанослоев нитрида кремния с активацией тлеющим разрядом./ Ю.К. Ежовский, С.В. Михайловский // Журнал физической химии. - 2018. - Т. 92., №3, - с.439-443. 3. Ежовский„Ю.К. Формирование диэлектрических нанослоев оксидов алюминия и кремния на полупроводниках А'В'. // Микроэлектроника. - 2019. - Т.48., №2. - с. 106-110. - официальный оппонент, кандидат технических наук, ведущий научный сотрудник кафедры квантовой физики и наноэлектроники федерального государственного автономного образовательного учреждения высшего зз образования «Национальный исследовательский университет «Московский институт электронной техники» Земляков Валерий Евгеньевич является одним из ведущих российских специалистов в области технологии полупроводниковых ВЧ и СВЧ устройств. Публикации оппонента по специальности 05.27.06 — «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», в частности, представлены: 1.
Тихомиров„В.Г. Оптимизация параметров НЕМТ-гетероструктур С~аХ/А1Ь?/А1 Бай? для СВЧ транзисторов с помощью численного моделирования / В.Г. Тихомиров, В.Е. Земляков„В.В. Волков, Я.М. Парнес, В.Н. Вьюгинов, В.В. Лундин, А.В. Сахаров, Е.Е. Заварин, А.Ф. Цацульников, Н.А. Черкашин, М.Н. Мизеров, В.М.
Устинов // Физика и техника полупроводников.- 2016.- Т. 50., № 2.- С. 245-249. 2. ОаппааЬ, Ъ'.1. А яис?у оГ гйе е?Тес1 о?' ?Ье ягцсшге о?' р1аяпа-сЬегп?са1 я1?соп п?ггЫе оп Ьв 1пааЫпа ргореп1еа / 'Ч.?. баппазЬ, У.?. ЕаогЫп, У.Е, Хепт1уа?соь, АХ. Ко~ а1сЬи?с, ЬХ. Я~арсжа1 // Яеппсопс?исгогя - 2015. - Т. 49., № 13. - С. 1727-1730 3. ЕаогЫп, У.?.. Орг?гпыайоп о?' оЬппс сопгас1а го Х-ОаАэ 1ауега о?' гЬе Ьегего Ь1ро1аг папоЬетегоатгисшгез / У.?. ЕаогЫп, Ч.Е. Хегп1уа?соч, АХ. Ь1ехЬептае~, У.1. ОаппазЬ //В.цза1ап М1сгое!есггоп?ся - 2017.
- Т.46., № 4. - С. 272-276 - ведущая организация — Акционерное общество «Светлана-Рост»вЂ” одно из ведущих Российских предприятий полупроводниковой микроэлектронной промышленности полного цикла, Публикации„ аффилированные с ведущей организацией по специальности 05.27.06— «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», в частности, представлены: 1. Калякин, М.А. Практика применения статистических методов контроля технологических процессов / М.А.
Калякин, А.Г. Филаретов, С.И. та Стрельников // Петербургский журнал электроники. - 2018. - № 1 190). - С. 87-96. 2. АпсЫапоч, Х.А. 1пйиепсе оГ запасе ргосезящ 1п ВС11 р1аяпа оп 1Ье Гоппа11оп оГ оЬп11с сопгас15 гоА1баХ/баХ ягистаге5 / Х.А. Апс1г1апоъ:. А.А. КоЬе!е~, А.Б. Бгп1гпоъ., 1/Х. Вагяйо~, т'.М. ХЬц1со~ // ТесЬп1са1 РЬуяся ТЬе Кцзяап .1оигпа1 оГ Арр11ес1 РЬуяся - 2017, - Т.
62., № 3. - С. 436-440. 3. Болтарь, К.О. Матричные фотоприемные устройства длин новол ново го ИК-диапазона на основе кванторазмерной структуры А1баАз/баАя/ К.О. Болтарь, И.Д. Бурлаков, П.В. Власов, А,А. Лопухин, В.П. Чалый, Н.И. Кацавец // Прикладная физика. - 2016. - № 6. - С. 37-41.
Диссертационный совет отмечает, что на основании выполненных соискателем исследований: Установлен характер влияния основных технологических параметров процессов плазм охимичес кого травления, осуществляемых в технологических камерах различных конструкций и при разных способах создания высокочастотных газовых разрядов, на скорость травления и морфологию поверхности фоторезистивных слоев; Получены новые знания о физико-химических закономерностях плазмохимического травления фоторезистивных слоев в установках с удаленной плазмой, на основании которых разработана технология, позволяющая формировать фоторезистивные пленки прецизионной толщины с точностью, достаточной для воспроизводимого получения мембранных элементов микросистем с заданными характеристиками; - Выявлена корреляция между изменениями интенсивностей эмиссионных линий, характеризующих переходы в атомарном кислороде, и соответствующими изменениями скорости травления при варьировании значениями технологических параметров процесса плазмохимического травления, что позволило доказать определяющую роль атомарного кислорода в процессе плазмохимического травления фоторезистивных слоев в установках с удаленным плазмой; Показано, что для "подгонки" плазмохимическим травлением фоторезистивных слоев до требуемой толщины, обладающих наименьшей шероховатостью, необходимо минимизировать ионную бомбардировку поверхности; Экспериментально подтверждено успешное применение разработанной технологии прецизионного травления фоторезистивных с<жертвенных» слоев в установках с удаленной кислородной плазмой при изготовлении МЭМС устройств мембранного типа.
Теоретическая значимость исследования обоснована тем, что: впервые установлен характер влияния основных технологических параметров процесса плазмохимического травления фоторезистивных слоев в установках с удаленной кислородной плазмой на скорость травления и шероховатость обрабатываемой поверхности; - на основе результатов эмиссионной оптической спектроскопии получены новые данные об изменении относительного содержания компонентов кислородной плазмы с расстоянием от области генерации ВЧ разряда и установлена их корреляция с величиной скорости травления и шероховатостью поверхности фоторезистивных слоев; - впервые экспериментально показано, что шероховатость поверхности травления слоев фоторезистивных композиций в основном определяется интенсивностью ионной бомбардировки в процессе плазмохимического травления; установлен характер влияния режимов термообработки и составов фоторезистивных композиций на изменение толщины и шероховатости поверхности образованных ими слоев до и после осуществления процессов плазмохимического травления: выявлена определяющая роль атомарного кислорода в процессе плазмохимического травления фоторезистивных слоев.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
