Диссертация (1105627), страница 25
Текст из файла (страница 25)
Mater. Chem. — 2012. — Т. 22,вып. 25. — С. 12915—12920. — (Цит. на с. 14).18. «Increased sensitivity and selective capacity of gas sensors based on SnO2−x films exposedto light-emitting diodes» / A. M. Gulyaev [и др.] // Measurement Techniques. — 2008. —Т. 51, № 6. — С. 694—698. — (Цит. на с. 14).19. «Light-enhanced sensitivity of SnO2−x gas sensors» / A. M.
Gulyaev [и др.] //Semiconductors. — 2008. — Т. 42, № 6. — С. 726—730. — (Цит. на с. 14).20. «Highly sensitive room temperature sensors based on the UV-LED activation of zinc oxidenanoparticles» / B. de Lacy Costello [и др.] // Sensors and Actuators B: Chemical. —2008. — Т.
134, № 2. — С. 945—952. — (Цит. на с. 14).21. Рывкин С. М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. — М., Физматгиз,1963. — С. 496. — (Цит. на с. 14).22. Моррисон С. Химическая физика поверхности твёрдого тела. — «Мир», 1980. — (Цит.на с. 14, 47, 97).23. Medved D. «Photoconductivity and chemisorption kinetics in sintered zinc oxidesemiconductor» // Journal of Physics and Chemistry of Solids. — 1961. — Т.
20, 3–4. —С. 255—267. — (Цит. на с. 15, 27, 97, 109).13224. Barsan N., Weimar U. «Conduction Model of Metal Oxide Gas Sensors» // Journal ofElectroceramics. — 2001. — Т. 7, № 3. — С. 143—167. — (Цит. на с. 16).25. Kurtin S., McGill T. C., Mead C. A. «Fundamental transition in the electronic natureof solids» // Phys. Rev. Lett. — 1969. — Июнь. — Т. 22, вып. 26. — С. 1433—1436. —(Цит. на с. 17).26.
Wriedt H. O — Zn (Oxygen — Zinc) // Binary Alloy Phase Diagrams, 2nd ed. Т. 3. — T.B.Massalski, ASM International, Materials Park, Ohio, 1990. — С. 2938—2940. — (Цит. нас. 18).27. Hagemark K. I., Toren P. E. «Determination of Excess Zn in ZnO: The Phase BoundaryZn − Zn1+x O» // Journal of The Electrochemical Society. — 1975. — Т. 122, № 7. — С. 992—994. — (Цит. на с. 18, 19).28. Okamoto H.
O — Sn (Oxygen — Tin) // Binary Alloy Phase Diagrams, Second Edition. —T.B. Massalski, ASM International, Materials Park, Ohio 3, 1990. — (Цит. на с. 19).29. «High temperature gravimetric study on nonstoichiometry and oxygen adsorption ofSnO2 » / J. Mizusaki [и др.] // Journal of Solid State Chemistry. — 1990. — Т. 88, № 2.
—С. 443—450. — (Цит. на с. 19).30. Fitzner K., Chang Y. «The Solubility of Gases in Liquid Metals and Alloys» // Progressin Materials Science. — 1988. — Т. 32, 2-3. — С. 97—259. — (Цит. на с. 19).31. Knacke O., Kubaschewski O., Hesselmann K. Thermochemical Properties of InorganicSubstances I, 2nd ed. — Springer, Berlin, 1991. — (Цит. на с. 19).32.
«Thermodynamic evaluation of the In–Sn–O system» / I. Isomäki [и др.] // Journal ofAlloys and Compounds. — 2006. — Т. 422, 1–2. — С. 173—177. — (Цит. на с. 20).33. «Nanocrystalline rhombohedral In2 O3 synthesized by hydrothermal andpostannealing pathways» / M. Sorescu [и др.] // Journal of Materials Science.
— 2004. —Т. 39, № 2. — С. 675—677. — (Цит. на с. 20).34. «A comprehensive review of ZnO materials and devices» / Ü. Özgür [и др.] // Journal ofApplied Physics. — 2005. — Т. 98, № 4. — (Цит. на с. 20).35. Janotti A., Van de Walle C. G. «Fundamentals of zinc oxide as a semiconductor» // Reportson Progress in Physics. — 2009.
— Дек. — Т. 72, № 12. — (Цит. на с. 21).36. Djurišić A. B., Leung Y. H. «Optical Properties of ZnO Nanostructures» // Small. —2006. — Т. 2, 8-9. — С. 944—961. — (Цит. на с. 21).37. Erhart P., Albe K., Klein A. «First-principles study of intrinsic point defects in ZnO: Roleof band structure, volume relaxation, and finite-size effects» // Phys. Rev. B.
— 2006. —Май. — Т. 73, вып. 20. — С. 205203. — (Цит. на с. 21, 24).13338. Djurišić A., Ng A., Chen X. «ZnO nanostructures for optoelectronics: Material propertiesand device applications» // Progress in Quantum Electronics. — 2010. — Т. 34, № 4. —С. 191—259. — (Цит. на с. 21).39. Jarzebski Z. M., Marton J. P. «Physical Properties of SnO2 Materials: I .
Preparation andDefect Structure» // Journal of The Electrochemical Society. — 1976. — Т. 123, № 7. —С. 199C—205C. — (Цит. на с. 21).40. «Structural Studies of Rutile-Type Metal Dioxides» / A. A. Bolzan [и др.] // ActaCrystallographica Section B. — 1997. — Июнь. — Т. 53, № 3. — С. 373—380. — (Цит.на с. 21).41. Maier J., Göpel W. «Investigations of the bulk defect chemistry of polycrystalline Tin(IV)oxide» // Journal of Solid State Chemistry. — 1988. — Т. 72, № 2. — С. 293—302. —(Цит.
на с. 22).42. «Phase stability, electronic structure, and optical properties of indium oxide polytypes» /S. Z. Karazhanov [и др.] // Phys. Rev. B. — 2007. — Авг. — Т. 76, вып. 7. — С. 075129. —(Цит. на с. 22, 23).43. Bierwagen O. «Indium oxide — a transparent, wide-band gap semiconductor for(opto)electronic applications» // Semiconductor Science and Technology. — 2015. — Т. 30,№ 2. — (Цит. на с. 22, 24).44. Wit J. D. «Structural aspects and defect chemistry in In2O3» // Journal of Solid StateChemistry. — 1977.
— Т. 20, № 2. — С. 143—148. — (Цит. на с. 22).45. Özgür Ü., Morkoç H. Chapter 5 - Optical Properties of ZnO and Related Alloys // ZincOxide Bulk, Thin Films and Nanostructures. — Oxford : Elsevier Science Ltd, 2006. —С. 175—239. — (Цит. на с. 23).46. Heiland G., Mollwo E., Stöckmann F. Electronic Processes in Zinc Oxide //. Т. 8. —Academic Press, 1959. — С. 191—323. — (Цит. на с. 23, 26).47. «Growth, characterization, and properties of bulk SnO2 single crystals» / Z. Galazka [идр.] // physica status solidi (a). — 2014.
— Т. 211, № 1. — С. 66—73. — (Цит. на с. 23, 26).48. «Determination of optical properties of SnO2 films» / F. Demichelis [и др.] // Il NuovoCimento D. — 1984. — Т. 4, № 1. — С. 68—78. — (Цит. на с. 23).49. Wang Y., Ramos I., Santiago-Avilés J. J. «Optical bandgap and photoconductance ofelectrospun tin oxide nanofibers» // Journal of Applied Physics. — 2007.
— Т. 102, № 9. —(Цит. на с. 23, 29).50. Floriano E. A. [и др.] «Evaluation of bulk and surfaces absorption edge energy of sol-gel-dipcoating SnO2 thin films» // Materials Research. — 2010. — Дек. — Т. 13. — С. 437—443. —(Цит. на с. 23, 29).13451. Weiher R. L., Ley R. P. «Optical Properties of Indium Oxide» // Journal of AppliedPhysics.
— 1966. — Т. 37, № 1. — С. 299—302. — (Цит. на с. 24).52. Klein A. «Electronic properties of In2 O3 surfaces» // Applied Physics Letters. — 2000. —Т. 77, № 13. — С. 2009—2011. — (Цит. на с. 24).53. «Influence of shallow core-level hybridization on the electronic structure of post-transitionmetal oxides studied using soft X-ray emission and absorption» / C. McGuinness [и др.] //Phys. Rev.
B. — 2003. — Окт. — Т. 68, вып. 16. — С. 165104. — (Цит. на с. 24).54. «Nature of the Band Gap of In2 O3 Revealed by First-Principles Calculations and X-RaySpectroscopy» / A. Walsh [и др.] // Phys. Rev. Lett. — 2008. — Апр. — Т. 100, вып. 16. —С. 167402. — (Цит. на с. 24).55. «Optical, structural, and electrical properties of indium oxide thin films prepared by thesol-gel method» / R. Bel Hadj Tahar [и др.] // Journal of Applied Physics.
— 1997. —Т. 82, № 2. — С. 865—870. — (Цит. на с. 24).56. Форш Е., Форш П., Кашкаров П. «Особенности оптических и фотоэлектрическихсвойств нанокристаллического оксида индия» // Физика и техника полупроводников. — 2015. — Т. 49, вып. 9. — С. 1184—1188. — (Цит. на с. 24, 30, 31).57. «Band structure of ZnO from resonant x-ray emission spectroscopy» / A. R. H. Preston[и др.] // Phys.
Rev. B. — 2008. — Окт. — Т. 78, вып. 15. — С. 155114. — (Цит. на с. 24).58. Vogel D., Krüger P., Pollmann J. «Ab initio electronic-structure calculations for IIVI semiconductors using self-interaction-corrected pseudopotentials» // Phys. Rev. B. —1995. — Нояб. — Т. 52, вып. 20. — R14316—R14319.
— (Цит. на с. 24, 25).59. Ginley D., Hosono H., Paine D. C. Handbook of transparent conductors. — Springer Science& Business Media, 2010. — (Цит. на с. 25, 26).60. Robertson J. «Electronic structure of SnO2 , GeO2 , PbO2 , TeO2 and MgF2 » // Journalof Physics C: Solid State Physics. — 1979. — Т. 12, № 22.
— С. 4767. — (Цит. на с. 25).61. Weiher R. L. «Electrical Properties of Single Crystals of Indium Oxide» // Journal ofApplied Physics. — 1962. — Т. 33, № 9. — С. 2834—2839. — (Цит. на с. 26).62. Collins R. J., Thomas D. G. «Photoconduction and Surface Effects with Zinc OxideCrystals» // Phys. Rev. — 1958. — Окт. — Т. 112, вып. 2.
— С. 388—395. — (Цит. на с. 27,28).63. Gurwitz R., Cohen R., Shalish I. «Interaction of light with the ZnO surface: Photoninduced oxygen “breathing,” oxygen vacancies, persistent photoconductivity, and persistentphotovoltage» // Journal of Applied Physics. — 2014. — Т. 115, № 3. — (Цит. на с. 27, 28).64. Zhang D.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
