Автореферат (1097818), страница 7
Текст из файла (страница 7)
Компенсация кристаллов 2 приводит кизменению концентрации свободных носителей заряда, но не изменяет предела сходимости ОВС.4. В кристаллах 2 исследованы C- серия экситона, обусловленая синглетными экситонами симметрии Γ−2 (), разрешенными в поляризации ‖ , и серия состоя−ний ортоэкситона симметрии 2Γ−1 () + Γ2 () в поляризации ⊥ . В диарсени-де цинка контуры экситонных спектров отражения имеют поляритонный характер.Проведены расчеты экситонных спектров отражения и определены параметры экситонов и зон.
Параметры синглетных экситоных Γ−2 () и ортоэкситонов симметрии−2Γ−1 () + Γ2 () практически совпадают, подтверждая, что оба экситона обусловленыодной и той же парой зон электронов и дырок.Определены величины расщеплений зон из-за спин-орбитального взаимодействия(∆ ) и кристаллического поля (∆ ) на основе экситонных спектров кристаллов2 и с учётом величин спин - орбитальных расщеплений атомов цинка и мышьяка.5. На основе экспериментальных результатов рассчитаны спектральные зависимостиоптических функций , , 1 , 2 ,2 1 2и2 2 230для кристаллов 3 2 , 2 (48 ), 2 ,52 (2ℎ) и 2 в области энергий (1 ÷ 11 эВ).
Проведена интерпретация сингу-лярностей в оптических функциях и показано, что они обусловлены прямыми электронными переходами между максимумами валентных зон и минимумами зоны проводимости в точках Γ, , и зоны Бриллюэна.6. Методами оже — электронной спектроскопии исследованы поверхности кристаллов5), 2 , 4 , 2 . Разработана модель и восстановлены по2 (48 ), 2 (2ℎдифференциальным спектрам «истинные» оже — линии элементов (, , и ). Показано, что оже — линии фосфора в соединениях 2 (48 ), 2 , 4 согласуются с рентгеновскими эмиссионными линиями фосфора 2,3 и . Показано,что валентная зона в соединениях 2 , 2 , 2 и 4 состоит из групп зон(подзон), максимумы плотности занятых состояний в которых отстоят друг от другана различные величины.
Показано, что валентные зоны в этих кристаллах сформированы − или − состояниями цинка или фосфора. Получено распределениеплотности занятых состояний в валентной зоне.7. Разработаны технологические режимы получения чистых поверхностей с составами, близкими к стехиометрическим. Установлена корреляция между физическими иструктурными свойствами поверхности в процессе технологических операций. Разработана технология понижения работы выхода на поверхности — типа 2 и 4и 2 и 2 — и — типа проводимости из молекулярных и ионных источников цезия и кислорода. Получено эффективное отрицательное электронное сродствона поверхности — типа 2 и исследованы спектральные характеристики квантового выхода фотоэлектронной эмиссии.
Показаны перспективы применения диарсенида цинка для создания высокоэффективных термостабильных фотоэмиттеровближней ИК — области спектра.8. Разработаны технологии получения выпрямляющих и невыпрямляющих контактов55для кристаллов 2 (2ℎ), 2 (48 ), 2 (2ℎ), 2 (48 ). Исследованы электри-ческие, фотоэлектрические, частотные и другие свойства выпрямляющих структурметалл (, , , , , и др.) — полупроводник. Установлены зависимости высот барьеров от работы выхода металла в структурах Шоттки на исследуемых материалах и отсутствие жесткой стабилизации уровня Ферми на их поверхностях. Изучены закономерности поведения контактных токов на полупроводниках,проводимость которых определяется глубокими уровнями.
Показаны особенности впереносе заряда в контактах Шоттки, связанные с влиянием нескольких глубоких31уровней собственных дефектов. Построены энергетические модели разработанныхструктур.9. Установлена возможность эпитаксии в системе полиморфных фаз − 2 — − 2 с образованием изотипных и анизотипных гетеропереходов.
Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства этих гетеропереходов. Показанавозможность создания на их основе фотоприемников с разнообразными фотоэлектрическими свойствами и поляризационной чувствительностью.10. Показана возможность создания на основе двулучепреломляющих кристаллов552 (48 ), 2 (2ℎ), 2 (48 ), 2 (2ℎ) приборов различного назначения. Раз-работаны и исследованы терморезисторы, электрические переключатели, высокочувствительные оптические датчики температуры, нуль индикаторы линейно поляризованного излучения (поляризационно-чувствительные фотоприемники), фотоэмиттеры для ближней ИК — области спектра, фильтры и др.32Основные работы, включенные вдиссертацию:[1] Excitonic Polaritons in 2 / N.N.Syrbu, I.G.Stamov, A.Dorogan, L.Nemerenco //Japanese Journal of Applied Physics. — 2006. — Vol.
45, no. 11R. — P. 8724. http://stacks.iop.org/1347-4065/45/i=11R/a=8724.[2] Current sign inverter guided by polarization / I.G.Stamov, N.N.Syrbu, A.V.Dorogan,L.L.Nemerenco // Optics. — 2008. — Vol. 281, no. 9. — Pp. 2459 – 2466.Communicationshttp://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0030401807013971.[3] Testing of birefringence in 2 crystals and application of the interleaving operation /I.G.Stamov, N.N.Syrbu, A.Dorogan, V.Trofim // Transactions on metrology and analytical methods of research / Ed. by Ion Geru. — Chisinau: Publishing house of the Academyof Sciences of Moldova, 2010.
— P. 192 – 211.[4] Polarization-selective devices for fiber optic communication systems /A.Dorogan,I.G.Stamov, N.N.Syrbu, V.Trofim // 2nd International Conference „Telecommunications,Electronics and Informatics” ICTEI, 15-18 May, Vol. II. — Moldova, Chisinau: 2008. —Pp. 49 – 52.[5]И.Г.Стамов, С.И.Берил, В.В.Косюк. Влияние температуры и электрического поля наводородоподобные состяния в 2 //.—Вестник Приднестровского университета1996. — Vol. 1.
— P. 174.[6] Экситонывкристаллах2вэлектрическомполебарьераС.О.Романовский, А.В.Селькин, И.Г.Стамов, Н.А.Феоктистов //ФТТШоттки/. — 1998. —Vol. 40, no. 5. — Pp. 884 – 886. http://journals.ioffe.ru/ftt/1998/05/page-884.html.ru.[7]И.Г.Стамов,. Особенности оптических свойств и зонной структурыН.Н.Сырбудифосфида кадмия // Математическое моделирование в образовании, науке и33производстве, материалы VIII Международной научно-практической конференции,3-5 октября / ПГУ. — Тирасполь: изд-во ПГУ, 2013. — P.
103.[8]I.G.Stamov, N.N.Syrbu, A.V.Dorogancrystals. //5. Photodetectors and birefringence in 2 − 2ℎPhysica B: Condensed Matter. — 2013. — Vol. 412, no. 0. — Pp. 130 – 137.http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921452612010290.[9]. Free and Bound Excitons Luminescence of theN.N.Syrbu, L.Nemerenco, I.S.Stamov2 − 48 // 3rd International Conference on Material sciencies and Cond.Mat.Phys.— 2006. — P. 5.[10] Free and bound exciton luminescence of 2 – 48 /A.V.Dorogan, L.L.Nemerenco //I.G.Stamov,N.N.Syrbu,Moldavian Journal of the Physical Sciences. — 2007.— Vol.
2, no. 2. — Pp. 202 – 206. http://sfm.asm.md/moldphys/2007/vol6/n2/index.html.[11]И.Г.Стамов,Д.В.. Об определении характеристик гиротропии вТкаченкотетрагональных кристаллах дифосфидов цинка и кадмия // ЖТФ. — 2016. — Vol. 86,no. 9. — Pp. 102–106.[12] Birefringence and band structure of 2 crystals / S.I.Beril, I.G.Stamov, N.N.Syrbu,V.V.Zalamai //Physica B: Condensed Matter.
— 2013. — Vol. 422, no. 0. — Pp. 12 – 19.http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921452613002408.[13]I.G.Stamov, N.N.Syrbu, V.V.Zalamai48 //Journal of Luminescence. Optical properties and band structure of 2 −. — 2014. — Vol. 149, no. 0. — Pp. 19 – 27. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022231313008090.[14] Superposition of free and bound exciton emission spectra in 2 − 48 / N.N.Syrbu,I.G.Stamov, V.V.Ursaki, Yu.Ivanenko //.—Moldavian Journal of the Physical Sciences2011.
— Vol. 10, no. 3-4. — Pp. 247 – 253. http://sfm.asm.md/moldphys/2011/vol10/n3-4/index.html.[15] Excitons and Energetic Bands Structure of 2 −A.V.Dorogan, N.N.Syrbu, V.V.Zalamai. //Application52ℎCrystals. /I.G.Stamov,American Journal of Materials Science and. — 2014. — Vol. 2, no. 6. — Pp. 96 – 107. http://www.openscienceonline.com/journal/archive2?journalId=730&paperId=1392.[16].
Energetic band structure of 3 2 crystals //I.G.Stamov, N.N.Syrbu, A.V.DoroganPhysica B: Condensed Matter. — 2013. — Vol. 408, no. 0. — Pp. 29 – 33. http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0921452612008861.34[17]. Особенности валентных зон некоторыхН.Н.Сырбу, А.Ю.Камерцель, И.Г.Стамовсоединений AIIBV //. — 1992. — Vol. 26, no.
04. — Pp. 669 – 681. http:ФТП//journals.ioffe.ru/ftp/1992/04/page-669.html.ru.[18]Н.Н.Сырбу,И.Г.Стамов,А.Ю.Камерцель. Свойства поверхности и структура5энергетических зон соединений AIIBV симметрий 48 и 2ℎ// ФТП. — 1992. — Vol. 26,no. 07. — Pp. 1191 – 1224. http://journals.ioffe.ru/ftp/1992/07/page-1191.html.ru.[19] Влияние уровней собственных дефектов в запрещенной зоне дифосфида кадмия нафотоэффект и электрические свойства структур Шоттки на его основе / И.Г.Стамов,Е.И.Брусенская,А.В.Воронов,Д.В.Ткаченко //ВестникПриднестровского.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
