Диссертация (1091353), страница 22
Текст из файла (страница 22)
94-96.95. Аникин А.В., Литвинов Ю.М. "Исследование механических свойствсапфира различной ориентации" / ПЭМ-2006: Труды девятоймеждународной научно-технической конференции - Дивноморское,2006. – c. 60-6315996. Бритвин А.А. "Моделирование процессов механической обработкипластинполупроводниковыхидиэлектрическихматериаловсвободным абразивом" // автореферат дисс. на соискание уч. степ.канд. тех. наук по спец. 05.27.06, Москва. 2007 г., 28 с.97. Bhagavat S., Liberato J., Kao I..
«Effects of mixed abrasive slurries inslurries on free abrasive machining (FAM) processes» // InternationalJournal of Machine Tools and Manufacture Volume 50, Issue 9, September2010, Pages 843–84798. Трофимов А.А. «Режимы шлифования и полирования пластин изсапфираикарбидакремния,содержащихСВЧмонолитныеинтегральные схемы» // Прикладная физика, 2017, № 3, с. 89-9599. Kan-Yin Ng and Timothy Dumm "Advancements in lapping and polishingwith diamond slurries" // CS MANTECH Conference, Boston, USA, 2012,4 pages.100. Вьюгинов В.Н., Добров В.А., Кириллов А.В., Морозов С.Н., ШифманР.Г. Обзор новых разработок твердотельных ИЭТ ЗАО «СветланаЭлектронприбор»//МатериалыВсероссийскойконференции«Электроника и микроэлектроника СВЧ», Санкт-Петербург, 2014,с.
176-181101. Kirstin Forsyth "Akribis Air: Innovation in wafer lapping and polishing" //SEMICON Europa 2014, Grenoble, France, 9 pages.102."Hard material thinning process development and full auto thinningmachine" Okamoto Corporation, 2013, 38 pages. Confidential.103. Levinson G. “Dicing through hard and brittle materials in themicroelectronic industry” // ADT report, 2005, 21 p.104. Nakajima A., Tateishi Y., Murakami H., Takahashi H., Ota M., Kosugi R.,Mitani T., Nishizawa S.I., Ohashi H., "High-Speed Dicing of SiC Wafersby Femtosecond Pulsed Laser" // Materials Science Forum, Vols. 821-823,2015, pp.
524-527160105. Lewke D. “Thermal laser separation — TLS. Wafer dicing der Zukunft” //Fraunhofer IISB-Jahrestagung, 2015, pp. 22106. "Dicing technologies for SiC” // DISCO technical review, 2016, pp. 4107. Green S., Perrottet D., Richerzhagen B. “Damage-free dicing of SiCwafers by water-jet-guided laser” // CS MANTECH conference,Vancouver, 2006, pp. 145-146108. Klug G.
“Solutions for thinning, dicing and packaging of power devicesmade of Si, Sapphire, SiC and GaN” // DISCO report, 2013, pp. 31109. Roth G.-L., Adelmann B., Hellmann R. “Cutting and drilling of SiCsemiconductorbyfiberlaser”//JLMN-Journaloflasermicro/nanoengineering, vol. 10, # 3, 2015, pp. 279-283110. Skelton W., Li V., Yang Y., Ketterson A., Lube M., Isom H., Lee C., KraftR.
“Ablation laser dicing for GaN HEMT device on 100 m SiC/Ausubstrates” // CS MANTECH conference, Miami, 2016, pp. 109-112111. "Stealth laser dicing engine lineup” // DISCO technical review, 2016,pp. 1-4112. Кондратенко В.С., Наумов А.С. «Новая технология лазерной резкисапфировых пластин на кристаллы» // Приборы. 2011. № 10. с.
37-40.113. Кондратенко В.С., Борисовский В.Е., Наумов А.С. «Оптимизацияпроцесса лазерного термораскалывания приборных пластин» //Прикладная физика. 2012. № 5. с. 25-30.114. Кондратенко В.С., Зобов А.К. «Высокоэффективная технология иоборудование для прецизионного лазерного раскроя сапфировыхпластиннакристаллы»//Фундаментальныепроблемырадиоэлектронного приборостроения. 2014. Т. 14. № -2.
с. 73-77.115. Иванов В.И., Кондратенко В.С., Борисовский В.Е. «Оптимизациялазерного термораскалывания кремниевых пластин на кристаллы сорганическими светоизлучающими структурами» // Инновационныетехнологии в науке и образовании. 2015. № 2 (2). с. 175-183.161116. Кондратенко В.С., Борисовский В.Е., Иванов В.И., Зобов А.К.«Повышение эффективности процесса лазерной резки кремниевыхприборных пластин на кристаллы ОСИД» // Приборы. 2015.
№ 9.с. 49-55.117. НаумовА.С."Разработкатехнологиилазерногоразделенияприборных пластин на кристаллы" автореф. канд. техн. наук. 2007118. Сорокин А.В. "Разработка технологического процесса лазерногопараллельного термораскалывания хрупких материалов" автореф.канд. техн. наук. 2011119. Мальцев П.П., Щаврук Н.В., Трофимов А.А., Кондратенко В.С.,Зобов А.К. «Разделение сапфировых пластин толщиной выше 300 мкмнакристаллы».//6-аяМеждународнаяНаучно-практическаяконференция по физике и технологии наногетероструктурной СВЧэлектроники «Мокеровские чтения», Сборник трудов // НИЯУМИФИ, 2015 г., с.
54-55120.Щаврук Н.В., Редькин С.В., Трофимов А.А., Иванова Н.Е.,Скрипниченко А.С., Кондратенко В.С., Стыран В.В. «Разделениевысокотвердых полупроводниковых пластин сапфира на монолитныеинтегральныесхемыметодомлазерногоуправляемоготермораскалывания» // Микроэлектроника, 2017, т. 46, № 3, с. 1-5121.Гамкрелидзе С.А., Кондратенко В.С., Стыран В.В., ТрофимовА.А., Щаврук Н.В. «Изучение влияния разработанных базовыхтехнологических маршрутов резки приборных пластин сапфира икарбида кремния на выход годных нитридных СВЧ МИС» // Успехиприкладной физики, 2017, № 1, с. 80-85122.
ОСТ 11 14.1011-99 «Микросхемы интегральные. Системы и методыстатистическогоконтроляирегулированиятехнологическогопроцесса» // Разраб. 22 ЦНИИ Минобороны России, АОЗТ«Электронтест», АОЗТ «Эланг-2», ГУП ЦКБ «Дейтон», исп.162Богданов Ю.И., Дорошевич К.К., Иванов А.В., Критенко М.И.,Попов В.Н., Подъяпольский С.Б., Рогулин Ю.Ф., Телец В.А., 78 стр.123. ОСТ 11 14.1012-99 «Микросхемы интегральные.
Техническиетребования к технологическому процессу. Система и методыоперационного контроля» // Разраб. 22 ЦНИИ Минобороны России,АОЗТ «Электронтест», АОЗТ «Эланг-2», исп. Амирбегов А.А.,Дорошевич К.К., Дорошевич В.К., Иванов А.В., Критенко М.И.,Краюшкин В.М., Подъяпольский С.Б., Рогулин Ю.Ф., Телец В.А.,71 стр.124.Application report ADT 7100 ProVectus dicing system, 2008, pp. 11125.Щаврук Н.В., Редькин С.В., Трофимов А.А., Иванова Н.Е.,Скрипниченко А.С., Кондратенко В.С., Стыран В.В.
«Разделениеприборных пластин из твердого материала на кристаллы» // Нано- имикросистемная техника, 2017, том 19, № 5, с. 317-320.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
