Отзыв оппонента Дорошевич (1091343)
Текст из файла
официального оппонента на диссертационную работу Трофимова Александра Александровича на тему: «Технология разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах АК аМСаХ», по специальности 05.27.0б — «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», представленную на соискание ученой степени кандидата технических наук Работа посвящена решению задач, связанных с проблемами качества резки приб ори ых пластин сапфира и карбида кремния на отдельные сверхвысокочастотные монолитные интегральные схемы 1СВЧ МИС) на нитридных гетероструктурах А1баХ/ОаХ. В работе разрабатывались технологические основы и комплекс операций, высокопроизводительных и экономически выгодных, повышающих эффективность применения существующих методов резки для разделения на кристаллы приборных пластин сапфира и карбида кремния со сформированными на них трехмерными СВЧ МИС с выходом годных не уступающих существующим показателям для планарных изделий микроэлектроники.
Известные на сегодняшний день методы разделения сапфира и карбида кремния, представленные в основном методами на основе применения лазеров или дисков с алмазной режущей кромкой, применяются к чистым подложкам, либо для разделения светоизлучающих диодов. Трехмерные СВЧ МИС с «воздушными мостами» на нитридных гетероструктурах изготовленные на подложках сапфира и карбида кремния в России появились сравнительно недавно, и научные коллективы проводят полный цикл изготовления СВЧ МИС, за исключением операции разделения готовых приборных пластин на отдельные кристаллы. Сложность в разделении приборных пластин из сапфира и карбида кремния на кристаллы, связана с их высокой твердостью и хрупкостью.
Твердость по шкале Мооса, у сапфира 9 баллов, у карбида кремния 9-9,5 баллов, Напомню твердость алмаза 10 баллов, а у арсенида галлия и кремния составляет 4,5 и 6,5 баллов соответственно. В связи с изложенным, тема диссертации «Технология разделения на кристаллы сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах А1СаМ/СаХ», является а альной. Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. Наиболее существенными, пол ченными лично авто ом являются следующие новые результаты исследований: 1. Установлены допустимые границы конечной толщины для приборных пластин сапфира и карбида кремния с изготовленными на них трехмерными СВЧ МИС; 2. Разработано решение для надежной защиты трехмерных СВЧ МИС при операциях шлифования, полирования и резки приборных пластин сапфира и карбида кремния на отдельные кристаллы трехмерных СВЧ МИС; 3.
Экспериментально определены режимы одностороннего шлифования и полирования свободным абразивом обратной стороны приборных пластин сапфира и карбида кремния с изготовленными трехмерными СВЧ МИС; 4. Выполнен анализ влияния на злектрофизические параметры трехмерных СВЧ МИС комплекса разработанных решений по разделению приборных пластин сапфира и карбида кремния на отдельные кристаллы. На чная новизна результатов исследований состоит в следующем: 5.
Предложена методика, позволяющая определить диапазон конечных толщи н подложки для кристаллов сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах А1баХ/баМ на основе компьютерного моделирования и математических расчетов тепловыделения приборов и деформации пластины вследствие внутренних напряжений; 6, Предложен метод, позволяющий обеспечить надежную защиту сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах А1баХ/баХ со сложными конструктивными особенностями; 7.
Разработан технологический процесс разделения на кристаллы с верх высокочастотных монолитных интегральных схем на гетероструктурах А1баХ/баХ. Обоснованность и остове ность результатов исследований, основных положений и выводов, сформулированных в работе, базируется на анализе литературных источников по теме диссертации, обеспечивается применением математических моделей и компьютерного моделирования с использованием известных программ и формул, выполнением экспериментальных работ, сравнением теоретических и экспериментальных результатов, а также подтверждается полученными результатами исследований на практике. П актическая значимость на чных еэ льтатов заключается: 1.
В разработке технологического маршрута резки методом лазерного управляемого термораскалывания приборных пластин сапфира с монолитными интегральными схемами, который использовался при выполнении ОКР «Разработка комплекта монолитных интегральных схем 5 мм диапазона длин волн», шифр «Многоцветник-22», Государственный контракт №13411.1400099.11.018 от 02 апреля 2013 г. выполненный в рамках реализации государственного оборонного заказа. 2. В разработке технологического маршрута резки дисками с алмазной режущей кромкой приборных пластин карбида кремния с монолитными интегральными схемами, который использовался при выполнении ПНИ «Разработка базовой технологии создания МИС усилителей мощности и малошумящих усилителей на нитридных наногетероструктурах для приемо- передающих модулей на частоту 8-12 ГГц» по заказу Минобрнауки России (Соглашение о предоставлении субсидии № 14.607.21.0011 от 05 июня 2014 г., уникальный идентификатор проекта КГМЕН60714Х0011)з в рамках реализации федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014- 2020 годы», утвержденными постановлением Правительства Российской Федерации от 28 ноября 2013 г.
№ 1096. Полученные в лиееертании результаты реалнзоввназ в Лонлалах и обсуждениях на научно-технических конференциях и научных сессиях: э международных научно-технических конференциях 1ХТЕВМАТ1С (МИРЗА 2015, 2016 гг.) ° 63-ей научно-технической конференции МИРЗА 2014 г; ° З-ей, 5-ой и 6-ой научно-практических конференциях по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники «Мокеровские чтения» (Москва, 2013, 2014, 2015 гг.). Основные на чные ез льтаты, полученные автором в диссертации, нашли отражение в достаточном количестве опубликованных научных работ, в числе которых 13 печатных работ, включая 7 работ, опубликованных в научных журналах, входящих в перечень изданий, рекомендованных ВАК Министерства образования и науки РФ для публикации основных научных результатов диссертаций на соискание ученой степени доктора и кандидата наук.
Оценивая работу в целом, следует отметить ее целостность и лаконичность изложения материала. Диссертация хорошо оформлена, снабжена достаточным количеством иллюстраций и списком литературы. Структура работы логична и отвечает задачам исследований. Автореферат правильно и полно передает основное содержание диссертации, он оформлен в соответствии с требованиями ВАК России, стиль изложения способствует пониманию содержания работы. Однако работа не лишена некоторых недостатков: 1. В работе отсутствует экономический анализ и сравнение методов скрайбирования существующих и разработанного по стоимостным показателям.
2. Не проработан вопрос статистического контроля и регулирования технологического процесса ~настроенность, стабильность) разделения приборных пластин сапфира и карбида кремния с изготовленными на них трехмерными СВЧ МИС. 3. Отсутствуют акты внедрения разработанной технологии на предприятиях промышленности. Однако отмеченные недостатки не снижают значимости выполненной научно-квалификационной работы и не влияют на ее об ю положитель ю оценку, Выводы по диссертации: Представленная к защите диссертация является научно-квалификационной работой, в которой содержится новое ешение акт альной на чной за ачи заключаю ейся в аз аботке технологии аз еления и ибо ных пластин сап и а и ка би а емния на исталлы СВЧ МИС на гете ост кт ах А1СаМСаИ, имею ей важное значение ля обеспечения обо оноспособности с аны.
Диссертация соответств ет спе иальности 05.27,06 — «Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники», отвечает критериям ВАК Министерства образования и науки Российской Федерации, предъявляемым к кандидатским диссертациям, в технических на к. Официальный оппонент Начальник отдела НТЦ «Применения, разведывательных, информационных и управляющих систем» АО «РТИ» доктор технических наук В,К. Дорошевич Адрес: 8-го Марта ул., д. 10, стр.
1, г. Москва, 127083 Телефон:+71495)788-00-07, доб. 39-34 Е-п~а11:УОогозЬемсЬ(®оаог6,ги ~"~"~~ с~ ~ф 2017 г. Подпись официального оппонента Дорошевича В.К. заверяю. Ученый секретарь диссертационного совета ДСО 409.032. 01 при АО "РТИ" кандидат физико-математических наук А,А. Кочкаров о соответствии с п,п, 1 п, 9 «Положения о порядке присуждения ученых степеней», в части требований к кандидатским диссертациям, а ее автор, Трофимов Александр Александрович заел живает п ис ения еной степени кан и ата .
Характеристики
Тип файла PDF
PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.
Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
