Диссертация (1091353), страница 21
Текст из файла (страница 21)
Pribble "A Review of GaN on SiC High ElectronMobility Power Transistors and MMICs" // IEEE Transactions onMicrowave Theory and Techniques, vol. 60, № 6, 2012. pp. 1764-178342. Polyakov A.Y., In-Hwan Lee "Deep traps in GaN-based structures asaffecting the performance of GaN devices" // Materials Science andEngineering R, vol. 94, aug. 2015, pp. 1-5615343. Debashis De "Basic Electronics" // Dorling Kindersley (India), 2010,632 p.44.
Донсков А.А., Дьяконов Л.И., Козлова Ю.П., Малахов С.С.,Меженный М.В., Павлов В.Ф., Югова Т.Г. "Влияние ориентацииподложки сапфира на особенности морфологии поверхности иструктурное совершенство толстых слоев GaN, выращенных методомхлоридно-газофазной эпитаксии" // Кристаллография, 2011, том 56,№2, с. 298-30645. НижанковскийС.В.,КрухмалевА.А.,КалтаевХ.Ш.-оглы,Сидельникова Н.С., Будников А.Т., Ткаченко В.Ф., ДобровотскаяМ.В., Вовк Е.А., Кривоногов С.И., Адонкин Г.Т.
"Термохимическаянитридизация подложек сапфира различных кристаллографическихориентаций". // Физика твердого тела, 2012 г. том 54, вып. 9,с. 1777-178246. Jacobs B. "Towards integrated AlGaN/GaN based X-band high-poweramplifiers" // Technische Universiteit Eindhoven, 2004, 204 p.47. Кривулин Н.О. "Ультратонкие слои кремния на сапфире" // Учебнометодич. пособ. Нижегородский университет 2011 г., 40 с.48. Радьков А.В. «Карбид кремния – перспективный материал силовойэлектроники: свойства и характеристики» // Молодой ученый, 2016,№7, с. 149-152.49. Тронов А.А. "Карбид кремния: его основные свойства и панорама егоисследований в России" // Российско-белорусская научно-техническаяконференция "Элементная база отечественной радиоэлектроники",Нижний Новгород, 2016 г.
49 c.50. Лучинин В., Таиров Ю. "Карбид кремния - алмазоподобный материалсуправляемыминаноструктурно-зависимымиНаноиндустрия, №1, 2010 г., с. 36-40свойствами"//15451. Комов А.Н. "Перспективные полупроводниковые материалы дляразвитияСВЧинаноэлектроники"//ВестникСамГУ,Естественнонаучная серия, №3 (114), 2014 г., с. 121-12752. Туркин А. "Нитрид галлия как один из перспективных материалов всовременной оптоэлектронике" // Компоненты и технологии №5, 2011,с. 6-1053.
Лебедев А.А., Белов С.В., Лебедев С.П., Литвин Д.П., Никитина И.П.,Васильев А.В., Макаров Ю.Н., Нагалюк С.С., Смирнов А.Н., ПоповВ.В., Вьюгинов В.Н., Шифман Р.Г., Кульмичев Ю.С., Травин Н.К.,ВенедиктовО.В.примененияв"Полуизолирующиесовременной6H-SiCподложкиэлектронике"//дляЖурналрадиоэлектроники, №2, 2014 г., с. 56-6754. Отчет о прикладных научных исследованиях "Разработка базовойтехнологии создания МИС усилителей мощности и малошумящихусилителейпередающихнанитридныхмодулейгосударственноенаногетероструктурахна частоту 8-12 ГГц"бюджетноеучреждениедля//наукиприемо-ФедеральноеИнститутсверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российскойакадемии наук, ФЦП "Исследования и разработки по приоритетнымнаправлениям развития научно-технологического комплекса Россиина 2014-2020 годы", Соглашение о предоставлении субсидии от5 июня 2014 г.
№ 14.607.21.0011, 2015 г.55. Крапухин Д.В., Мальцев П.П. "Монолитная интегральная схемамалошумящего усилителя на нитриде галлия для диапазона 57-64ГГц" // Российский технологический журнал, том. 4, №4, 2016 г.,с. 42-5456. Shah A. «Samsung starts production of 3D DDR4 DRAM modules». //PCWorld, aug. 201457. Michallet, Jean-Eric. «CoolCube: A True 3DVLSI Alternative to Scaling»// www.3DInCites.com.
Retrieved March 24, 201515558. von Trapp, Francoise. «Monolithic 3D IC Heats Up at DATE 2015» // 3DInCites. 3D InCites. Retrieved March 16, 201559. Palesko A. «The Cost of 3D ICs» // 3D InCites Knowledge Portal, January9, 201560. Patti R. «Impact of Wafer-Level 3D Stacking on the Yield of ICs» // FutureFab Intl. Volume 23, 2007, 7 p.61. ВикуловИ.«МонолитныеинтегральныесхемыСВЧ–технологическая основа АФАР» // Электроника: Наука, Технология,Бизнес №7, 2012 с.
60-7362. DobrovinskayaE.R.etal.«Sapphire:material,manufacturing,applications». Springer Science + Business Media, LLC 2009, 480 с.63. Иванов В.И. "Методы резки кремниевых приборных пластин на чипыв производстве органических микродисплеев" // Интернет-журналНауковедение №4 2014 г.64. Парфенов В.А. "Лазерная микрообработка материалов" учеб.
пособие.СПб. Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ" 2011, 59 с.65. Попов В.В., Вьюгинов В.Н., Травин Н.К. "Результаты разработкитехнологиирезкиНанотехнологии:монокристалловразработка,карбидаприменение-ХХIкремния"век,//изд-воРадиотехника, том. 6, №2, 2014, с. 22-2566. Цветков Ф.Ф., Григорьев Б.А. "Тепломассообмен" // Учебник длявузов, Москва, Изд. дом МЭИ, 2011, 298 с.67.
Федоров Ю.В., Майтама М.В. Топология ИМС «Интегральныймалошумящийусилительдлядиапазоначастот8-12ГГц»Свидетельство о государственной регистрации № 2016630103 от19.08.2016 г.68. Федоров Ю.В., Майтама М.В. Топология ИМС «Интегральныйусилитель мощности для диапазона частот 8-12 ГГц» Свидетельство огосударственной регистрации № 2016630104 от 19.08.2016 г.15669. Мельников А.А. "Расчет электромагнитных и температурных полейметодом конечных элементов" // Уч. пособие. Москва, МИРЭА,2001 г. 35 с.70. ЖаркойМ.Ф.«Технологическиеосновыпроизводстваполупроводниковых интегральных схем» учебн.
пособ. / Балт. гос.техн. ун-т. СПб., 2016, 123 с.71. Wang Bin, Qu Yu-xuan, Hu Shi-gang, Tang Zhi-jun, Li Jin, Hu Ying-lu«Simulation and Analysis of GaN wafer bowing on Sapphire substrate» //Hindawi Publishing Corporation, Advances in Condensed Matter Physics,Volume 2013, Article ID 465498, 5 pages72. Fumihiro Inoue, Anne Jourdain, Joeri De Vos, Erik Sleeckx, Eric Beyne,Jash Patel, Oliver Ansell, Huma Ashraf, Janet Hopkins, Dave Thomas,Akira Uedono.
«Characterization of Extreme Si Thinning Process forWafer-to-Wafer Stacking» // 2016 IEEE 66th Electronic Components andTechnology Conference, pp. 2095-210273. Tom Dunn, Chris Lee, Mark Tronolone, Aric Shorey «Metrology forcharacterization of wafer thickness uniformity during 3DS-IC procesing» //Electronic Components and Technology Conference (ECTC), 2012 IEEE62nd, San Diego USA74. MichaelRajMarks,ZainuriahHassan,KuanYewCheong«Characterization methods for ultrathinwafer and die quality: a review»// IEEE Transactions on Components, Packaging and ManufacturingTechnology, Volume: 4, Issue: 12, Dec.
2014, pages 2042-205775. Thomas Bristow "Wafer thickness TTV bow and warp for thin waferapplication" // SEMANTECH Workshop on 3D Intercorrect Metrology,San Francisco, USA, 2012, 22 pages76. Janssen G.C.A.M., Abdalla M.M., van Keulen F., Pujada B.R., vanVenrooy B., Celebrating the 100th anniversary of the Stoney equation forfilm stress: Developments from polycrystalline steel strips to single crystalsilicon wafers // Thin Solid Films 2009, vol. 517, No 6, pp. 1858-186715777.
Громовик А.И. "Расчет круглых пластин" // Методические указания.Изд-во СибАДИ, Омск, 2011, 33 с.78. Jang Y., Kim W.R., Jang D.-H., Shim J.-I.,. Shin D.-S. Analysis of thestress distribution in the nonuniformly bent GaN thin film grown on asapphire substrate // Journal of Applied Physics 2010, vol. 107, No 11,p. 11353779. Thokala R., Chaudhuri J. Calculated elastic constants of wide band gapsemiconductor thin films with a hexagonal crystal structure for stressproblems // Thin Sold Films 1995, vol. 266, No 2, pp.
189–19180. Kukushkin S.A., Osipov A.V., Bessolov V.N., Medvedev B.K., NevolinV.K., Tcarik K.A. Substrates for Epitaxy of Gallium Nitride: NewMaterials and Techniques // Reviews on Advanced Materials Science,2008, vol. 17, No 1/2, pp. 1–3281. ВороненковВ.В.Оптимизациятехнологическихусловийэпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия : дис. канд.
физ.мат. наук : 01.04.10. – СПб., 2015. – 175 с.82. Груздов В.В., Колковский Ю.В., Концевой Ю.А. «Контроль новыхтехнологий в твердотельной СВЧ электронике» // Техносфера,Москва, 2016 г., 328 с.83. Gilles Fresquet "A versatile optical systems for metrology and inspectionof 3D IC TSV integration processes" // SEMANTECH Workshop on 3DIntercorrect Metrology, San Francisco, USA, 2012, 19 pages84. "Optical profilometry of substrate bow reduction using temporaryadhesives. FRT multi-sensor 3D IC Metrology" // SEMANTECHWorkshop on 3D Intercorrect Metrology, San Francisco, USA, 2012,25 pages85.
Бондарь Д. "Ультратонкие пластины как тенденция развитияполупроводниковых технологий" // Компоненты и технологии № 11,2012 г. с. 116-12215886. Трофимов А.А. "Оптимизация толщины подложки приборныхпластин сапфира и карбида кремния" // Нано- и микросистемнаятехника, 2017, № 4, с. 219-22687.
Федоров Ю.В., Михайлович С.В. «Перспективы замены арсенидныхМИС на нитридные» // Нано- и микросистемная техника том 18, №4,2016 г. с. 217-22688. Галиев Р.Р., Гнатюк Д.Л., Зуев А.В., Крапухин Д.В., Майтама М.В.,Матвеенко О.С., Михайлович С.В., Федоров Ю.В., Щербакова М.Ю.«Нитридные технологии для освоения миллиметрового диапазонадлин волн» // Нано- и микросистемная техника №2, 2015 г.
с. 21-2989. www.brewerscience.com WaferBOND CR-200 MSDS DataSheet, 201090. www.logitech.uk.com Glycol Phtalate 0CON-324 MSDS DataSheet, 201091. Pastirik E. "Anti-reflection coatings on large area glass sheets" // Quarterlytechnical report №2, Motorola report №2365/2, 1979, pp. 1392. Трофимов А.А. «Защита нитридных СВЧ МИС на пластине дляопераций шлифования, полирования и резки на кристаллы» // Приборы,2017, № 5, с. 37-4393. Гамкрелидзе С.А., Кондратенко В.С., Стыран В.В., Трофимов А.А.,Щаврук Н.В.
«Влияние методов резки приборных пластин сапфира икарбидакремниянатехнико-эксплуатационныепараметрымонолитных интегральных схем» // Приборы 2017 г., № 1, с. 43-5094. Щаврук Н.В., Редькин С.В., Скрипниченко А.С., Трофимов А.А.,ИвановаН.Е.,КондратенкоВ.С.,СтыранВ.В.«Разделениеполупроводниковых пластин из твердого материала на кристаллы». //МатериалыМеждународнойнаучно-техническойконференцииINTERMATIC МИРЭА 2016 г. с.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
