Диссертация (1091353), страница 20
Текст из файла (страница 20)
Определен метод защиты СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN сосложными конструктивными особенностями при операциях шлифования,полирования и резки приборных пластин сапфира и карбида кремния наотдельные кристаллы, который обеспечивает защиту СВЧ МИС,изготовленных на пластине, с учетом их особенностей, однородностьпланаризирующей плоскости, необходимую стабильность и химическуюинертность, обладает гибкостью применения, а также соответствует147современным ключевым требованиям для приклеивания приборныхпластин на диск-носитель для последующих операций шлифования иполирования.3.
Экспериментально установлены режимы одностороннего шлифования иполирования свободным абразивом обратной стороны приборныхпластин сапфира и карбида кремния, содержащих сверхвысокочастотныемонолитные интегральные схемы на гетероструктурах AlGaN/GaN,обеспечивающие, при достижении рекомендованного диапазона толщиныдля приборных пластин 110-150 мкм, разброс толщины по пластине впределах 2 мкм, а также высокое качество обработанной поверхности споказателем шероховатости около 2 нм при сохранении целостностипластины.4.
Решена задача разделения на кристаллы СВЧ МИС на гетероструктурахAlGaN/GaN, изготовленных на приборных пластинах сапфира и карбидакремния, с выходом годных не уступающим существующим показателямдля планарных изделий микроэлектроники.5. ПоказаноотсутствиевлияниянаэлектрофизическиепараметрыСВЧ МИС разработанных технологических процессов разделения накристаллы СВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN, изготовленных наприборных пластинах сапфира и карбида кремния.Полученные результаты можно рекомендовать принять к сведению припроектировании изделий СВЧ электроники в части расчетов рабочиххарактеристик приборов применительно к конечной толщине подложки, а,следовательно,ипродолжающейсянеизменномкконечнойтолщинеминиатюризациисохраненииихСВЧэлектронныхкачестваиМИС,всветекомпонентовпринадежности,чтопредставляетсяактуальным.Указанный диапазон толщин приборных пластин сапфира и карбидакремния справедлив для определенных значений рабочей температурыСВЧ МИС, а также диаметра пластины и толщины выращенного слоя GaN.148При изменении указанных величин диапазон толщин приборных пластинзакономерно может изменяться, что следует принимать во внимание.Разработанные технологические процессы разделения на кристаллыСВЧ МИС на гетероструктурах AlGaN/GaN, изготовленных на приборныхпластинах сапфира и карбида кремния, могут быть использованы впроизводствесовременныхСВЧМИСнаосновенитридныхнаногетероструктур, что с учетом малой ширины реза и высокого выходагодных, способно дать большее количество кристаллов с пластины, а,следовательно, понизить себестоимость отдельной СВЧ МИС.Перечисленные преимущества разработанных в данной диссертациирешений могут значительно расширить возможности технологическихсистем производства и повысить качество продукции в области СВЧэлектроники на основе нитридных наногетероструктур.149Список литературы1.Мальцев П.П., Шахнович И.
"СВЧ технологии основа электроникибудущего. Тенденции и рынки". // Электроника №8, 2015 с. 72-842.Алферов Ж.И. "Перспективы электроники в России" // Электроника:наука, технологии, бизнес. №6, 2004 г. с. 90-933.Semiconductor Today.
vol. 11, issue 2, march 2016, page 84.Федоров Ю., Мальцев П., Матвеенко О., Гнатюк Д., Крапухин Д.,Путинцев Б., Павлов А., Зуев А."МИС усилителей со встроеннымиантеннамиСВЧдиапазонанананогетероструктурах"//Наноиндустрия №3 2015 г. с. 44-515.Мухина Е. "Технология обработки ультратонких полупроводниковыхпластин" // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. № 3, 2009,с. 80-816.Ramm P., Lu J., Taklo M. "Handbook of wafer bonding" // Wiley-VCHVerlag & Co. KGaA. Germany. 2012.
pp. 4167.Marinescu I., Uhlmann E., Doi T.K. "Handbook of lapping and polishing"// CRC Press, Taylor & Francis Group, USA, 2007, pp. 5108.W.M. Shewakh "Comparison between grinding and lapping of machinedpart surface roughness in micro and nano scale" // Journal of mechanicalengineering and technology, 2012, vol. 4, № 1, pp. 91-969.«Сборка интегральных микросхем в металлокерамические корпуса» //ИнститутмикротехнологийРНЦ"Курчатовскийинститут"НИИ системных исследований РАН, 2008 г. с. 4510. Polcari S.M.
"Some practical aspects of scribing" // Electronics researchcenter Cambridge. NASA technical note TN D-5811, 1970, pp. 1811. Жуков Ю.Н., Савиных К.М., Тихонов Э.Е. "Геометрия алмазногоинструмента для скрайбирования с криволинейной режущей кромкой"// ВИНИТИ РАН, депонированная рукопись, № 5-В2011, 2011, 32 с.12. "Dicing technologies for SiC" // DISCO technical review. Mar. 2016, pp.
415013. Wang Y.-H., Hsu J.M., Weng M.-H., Chen C.-H., Hsieh Y.C., Wang W.C., Cho I-Te, Wohlmuth W. "Quality and throughput improvement ofGaN/SiC wafer sawing with the addition of ultrasonic power" //CS MANTECH Conference, Denver, Colorado, USA, 2014, pp. 271-27414. Albelo J.
"LED Dicing: The Sapphire Blaze Indeed" // Chip Scale ReviewNov/Dec 2011 pp. 38-4115. Чабанов А. "Режем вместе" // Степень интеграции, №4, окт. 2010 г.с. 16-2016. Cooke M. "Scribe and dice" // III-Vs Review, vol. 19, is. 4, 2006, pp. 20-2417. Tamhankar A., Patel R. "Optimization of UV laser scribing process forlight emitting diode sapphire wafers" // Journal of laser applications,vol. 23, is. 3, 2011 (electronic journal)18. Пячин С.А., Пугачевский М.А.
"Новые технологии полученияфункциональных наноматериалов: лазерная абляция, электроискровоевоздействие" // Хабаровск, 2013 г., 38 с.19. Mak G.Y., Lam E.Y., Choi H.W. "Precision laser micromachining oftrenches in GaN on sapphire" // Journal Vacuum Sciences Technology,vol. 28, No. 2, 2010, pp. 380-38520. Kawaguchi D., Hamamatsu Photonics K.K., "Application of the internalresorption type laser dicing technology for chemically tempered glass" //NEW GLASS, Vol. 27, No. 3 (106), 2012, p. 25-3021. "Stealh laser dicing engine lineup" // DISCO Technical Review, Feb. 2016,pp.
1-422. Алексеев А., Руссов Д., Хаит О. "Лазерное внутриобъемноескрайбирование - эффективная технология для светодиодов" //Электроника: Наука, Технология, Бизнес, выпуск 3, 2012, с. 70-7123. Alissa M. Fitzgerald, Brent M. Huigens "How to dice fragile MEMSdevices // Chip Scale Review, nov/dec 2011, pp. 34-3515124. Хаит О., Алексеев А., Крыжановский В., Артамонова Е., Руссов Д."Лазерное внутриобъемное скрайбирование – ключ к технологиямсветодиодной микроэлектроники" // Фотоника №6, 2012, с. 16-19;25.
Алексеев А. "Лазерная обработка в микроэлектронике" // Печатныймонтаж, №2, 2010 с. 14-19;26. Мухина Е., Башта П. "Революционная технология лазерной резкиполупроводниковыхпластинLaserMicroJet"//Производствоэлектроники: технологии, оборудование, материалы. № 5, 2008,с. 63-6527. Lu X., Xie H., Lin C., Huang Y. "The enhanced measurements of LaserMicroJet Processing" // Journal of modern physics, No. 2, 2011,pp. 109-11228. Башта П.
"Лазерная резка методом Laser MicroJet" // Электроника:Наука, Технология, Бизнес. №3, 2010 г. с. 2-529. Кондратенко В.С. Патент РФ №2024441, МКИ5 СО3 В 33/02. Способрезки хрупких материалов / Заявл. №5030537/33 от 02.04.1992; Опубл.15.12.1994, Бюл. №2330. Kondratenko V. Patent № WO9320015. Splitting of non-metallic materials/ - 1993-10-1431. Kondratenko V., Gindin P., Tchernykh S. Laser controlled thermocrackingdie separation technique for sapphire substrate based devices. // Phys.
Stat.Sol. (c) 0, № 7, 2232-2235 (2003)32. Кондратенко В.С., Борисовский В.Е., Иванов В.И. «Разделениеорганических светоизлучающих диодов на кремниевой подложкеметодом лазерного управляемого термораскалывания» // Оборонныйкомплекс – научно-техническому прогрессу России №2 (122) 2014 г.с. 76-81, Изд-во Научно-технический центр оборонного комплекса«Компас», Москва15233.
Кондратенко В.С., Наумов А.С. Патент РФ № 2404931, МКИ5 СО3 В33/09. Способ резки пластин из хрупких материалов / Заявл №2009132338/03 от 28.08.2009, Опубл. 27.11.2010, Бюл. № 3334. Кондратенко В.С., Голубятников И.В., Жималов А.Б. "Развитиетеорииипрактикиметодалазерногоуправляемоготермораскалывания". – Приборы, 2009, № 12, с. 1-635.
Кондратенко В.С., Зобов А.К., Наумов А.С., Лу Хунг-Ту «Технологияпрецизионной лазерной резки сапфировых пластин» // Фотоника №22015 г. с. 42-5236. Балакирев А., Туркин А. "Развитие технологии нитрида галлия иперспективы его применения в СВЧ электронике" // Современнаяэлектроника №4, 2015 г. с. 28-3237. Kazukiyo Joshin, Toshihide Kikkawa, Satoshi Masuda, Keiji Watanabe"Outlook for GaN HEMT Technology" // Fujitsu Sci.
Tech. Journal.vol. 50, No. 1, 2014, pp. 138-143.38. Burns C., LeFevre M., Mellor M., Runton D. “Advancements in GaNtechnology” // European Microwave Conf., Amsterdam, 2012.39. Persson E."Höherer Wirkungsgrad dank Galliumnitrid" // Design &Electronic № 11, 2015 pp. 25-2740. Matheson R. " Making the new silicon: Gallium nitride electronics coulddrastically cut energy usage" // Massachusetts Institute of Technology201541. Raymond S. Pengelly, Simon M. Wood, James W. Milligan, Scott T.Sheppard, William L.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
