175000-49-(МКМ) (1088631), страница 4

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 4)

Произведем расчет суммарной длины связей, которая определяется отдельно для каждого уровня компоновки (L_свi), а затем все длины связей суммируются для кристалла в целом (L_св^кр). Для кристалла БИС, суммирование длин связей имеет свои особенности:

L_свi=l_свi N_свi - для внутренних уровней МКМ (i=1,2,3)

L_свi=l_свi N_свi – для внешнего уровня (i=4).

Расчет плотности трасс в кристалле (П_тр^кр) производится по формулам

и с учетом общей суммарной длины связей в

кристалле, его площади и эффективности использования трасс равной 0,7. Результаты расчетов сведены в таблицу 6.4:

Параметры устройства: тип: МКМ; схемотехника: КМОП; принцип компоновки: МП;

Шаг размещения кристаллов БИС: 10мм; Табл. 6.4

6.5. Расчет трассировочной способности и слойности коммутационных элементов

При определении трассировочной способности используем ранее рассчитанные значения параметров, а также то, что кристалл МКМ является симметричным (квадратная форма K_Li=1) и внешние контакты расположены равномерно по 4-ём сторонам (C_xi=C_yi=1/4).Результаты расчетов сведены в таблицу 6.5:

Параметры устройства: тип устройства: МКМ; схемотехника: КМОП; принцип компоновки: МП

Шаг размещения кристаллов БИС: 10мм; Табл. 6.5

6.6. Расчет основных параметров проводников

Значения проводников в конструкции кристалла определяются по формулам:

ширина - W_пр = a_тр / 2,5…3; толщина - h_пр =W_пр /8…9.

Принимаем значение коэффициентов 3 и 8 соответственно.

Параметры проводников одного направления (X), полностью совпадают со значениями параметров другого - (Y), поэтому в таблице приведены параметры только для направления (Х).

Результаты расчетов основных параметров проводников сведены в таблицу 6.7:

Табл. 6.7

По ТЗ: 1 проводник в шаге 0,5 мм(рис.3.а)

0,5

0,25

0,083

(рис.3.а)Трасса логического слоя.

6.7 . Расчет слойности, структуры и выбор числа потенциальных слоев

Шаг размещения трасс по направлениям Х, У составляет а_{тр x} = а_{тр y} =250 мкм, => на одном слое может быть размещено: L_кр 10^-3 / a_{тр x}^кэ 10^-6 =

=5,14 10^-3 / 250 10^-6= 0,00514 / 0,00025 = 20,56 трасс, при этом их средняя длинна равна: 20,56 5,14 10^-3=0,105678 м.

n_{сл x}^кэ

162

0,13

6

Рис.7(а).

6

5,14мм

= t_x^кэ/ t_x1^кэ = 262/20 = 13,

n_{сл. лог.общ}^кэ = 2 n_{сл x}^кэ = 26 слоёв.

n_сл.Е1+Е0=26/2=13

n_сл.Σ=13_х+13_у+13_Е1+Е0=39 слоёв.

Топология расположения слоёв в подложке (рис. 3.б).

Рис.3.б

7. Выбор и обоснование общей конструкции МКМ

8. Расчет параметров системного и функционального быстродействия МКМ

Для определений значений схемной задержки (_лэ) и входного сопротивления (R_вых) ЛЭ типа КМОП используем эмпирические соотношения, полученные на основе «принципа масштабирования»:

_лэ=0,188 ^0,91 ; R_вых=1200 ^0,91 , Здесь:  = [мкм],_лэ = [нс],R_вых = [Ом].

Результаты сведем в таблицу 8.1:

Параметры устройства: тип: МКМ; схемотехника: КМОП; принцип компоновки: МП;

Шаг размещения кристаллов БИС: 10мм; Табл. 8.1

Конструктивная задержка ЛЭ по уровням компоновки (_свi) определялась по формуле (7.16) главы 7 по схеме, представленной на стр. 105(кн.в списке лит-ры).

Все цепи кристалла рассматривались применительно к КМОП – элементам как RC – цепи и время задержки сигнала в них (t_цi) определялась по формуле (7.20), где средняя длинна логической цепи рассчитывается по формуле (6.8).

При расчете задержки сигнала в логических цепях учитывались ограничения на топологические нормы проектирования МКМ, Исходные данные для получения которых были получены в п. 6.4.

W_пр  1,5 , получим 83,33 1,5 1,09 , т.е. 83,33 1,635 (верно)

h_пр  0,2 , получим 9,26 0,2 1,09 , т.е. 9,26 0,218 (верно)

Результаты расчета параметров проводников металлизации и логических элементов представлены в таблице 8.2:

Характеристики

Список файлов курсовой работы