175000-49-(МКМ) (1088631), страница 3
Текст из файла (страница 3)
Р
ассчитаем мощность, потребляемую одним ЛЭ, его задержку и напряжение питания:
Для КМОП-схемотехники:
З
ная энергетические параметры одного ЛЭ, определим параметры всей БИС:
Рмкм = Рблэ N4
Iмкм = I блэ N4
Для ТТЛ-логики:
Рблэ = 1 7/6 = 1.27 мВт
Рбис = Рблэ N4 = 1.27 10-3 174930 = 222,45 Вт
Для ЭСЛ-логики:
Рблэ = 3 7/6 = 3.81 мВт
Рбис = Рблэ N4 = 3.81 10-3 174930= 667.357 Вт
При анализе параметров рассеиваемой мощности для КМОП, ТТЛ и ЭСЛ видно, что мощность и
выше, чем PКМОП,
при этом возникает не решаемая проблема отвода тепла. Следовательно, в качестве схемотехники СБИС выбираем КМОП технологию.
4. Выбор системы охлаждения МКМ и обоснование требований
к элементам конструкций
Из п.3 известно:
PМКМ = 26 Вт
Для выбора системы охлаждения воспользуемся отношением
PМКМ / S [ PS ], где
S - площадь корпуса МКМ, равная 7,742=59,9 см2;
PS – плотность теплового потока, Вт / см2 (выбирается по таблице 2 в зависимости от вида системы охлаждения).
=>26/59,9 =0,434
Табл. 2
Вид Системы Охлаждения Плотность теплового потока, Ps [Вт/см]
Естественная(Воздушная) 0.2
Принудительная воздушная 1.0
Жидкостная система 20
Испарительная система 200
Специальная система >200
Выбераем принудительную воздушную систему охлаждения т.к. 0,434 1.0 выполняется.
Параметры радиатора, необходимого для охлаждения МКМ:
Для отвода тепла необходима площадь S=26/0.2=130см2.
Зададимся высотой ребра радиатора 0,8 см. Тогда количество рёбер, необходимых для охлаждения найдём из соотношения Sрад=2 n
Sреб. , где n - кол-во рёбер.
Отсюда: n= S/(2 Sреб)=130/(2
0,8
7,74)=10,497 Т.е. число рёбер равно 11.
Шаг расположения рёбер радиатора на устройстве: d=77,4/11=7 мм.
Таким образом, выбранная конструкция радиатора (рис.2) реализует площадь
Sрад=7,74 0,8
11
2=136.22 см2, 136.22>130, следовательно, проблема теплоотвода
решена.
5. Описание принципов обеспечения помехоустойчивости конструкции
Обеспечение помехоустойчивости МКМ достигается конструктивными особенностями, среди которых:
-
достаточное число контактов земли и питания в кристаллах БИС и МКМ;
-
равномерное распределение контактов питания и земли по отношению к сигнальным контактам на корпусе ;
-
выбор топологии и трассировки цепей питания в кристалле и на подложке МКМ;
-
компоновка и трассировка логических цепей в кристалле и на подложке МКМ;
-
развязка цепей питания за пределами корпуса МКМ;
Проведем расчет числа контактов питания и земли в конструкции корпуса МКМ.
Общее число внешних контактов МКМ может быть рассчитано по формуле:
mобщМКМ=mi+mE0+mE1
где: mi – число внешних связей;
mE0 – число контактов нулевого потенциала Е0;
mE1 – число контактов потенциального питания Е1,
Так как m4=mвх4+mвых4, при этом mвых4=m4/(K4+1), где K4=mвх4/mвых4, можно записать для КМОП (mE0=mE1=mвыхi/6) следующую формулу:
Подставляя значения из таблицы 1, получим:
mобщМКМ= 836+836/(3 (1+1))=936 шт.;
936 =836+ mE1+ mE0 => mE1= mE0 =50
Чтобы избежать помех в цепях питания и земли необходимо равномерно распределить контакты цепей по корпусу . Такое размещение представлено на рис.4.
Для обеспечения требований к топологии подложки МКМ, цепи питания и земли выполним сплошными отдельными слоями с перфорацией в соответствукющих местах.
0,13
6
162
162
40
5,14
Рис.2(б). конструктивно – топологический
чертеж кристалла БИС
6. Расчет конструкции коммутационных элементов.
6.1. Результаты исследования параметров кристалла БИС
Результаты сведены в таблицу 6.1:
Параметры устройства: тип устройства: МКМ; схемотехника: КМОП; принцип компоновки: МП
Табл. 6.1
i | Ni | Mi | Ээi | NS i | MS i | mi | mS i | λ, мкм | Lкр, мм | lкп, мм | PБЛЭ, мВт | Pкр, мВт |
1 | 10 | 10 | 0,70 | 14,29 | 14,29 | 10,86 | 12,16 | 1,09 | --- | --- | --- | --- |
2 | 170 | 17 | 0,56 | 303,57 | 21,25 | 37,55 | 42,06 | 1,09 | --- | --- | --- | --- |
3 | 3570 | 21 | 0,50 | 7083,33 | 23,33 | 144,89 | 162,28 | 1,09 | 5,14 | 0,13 | 0,15 | 1096,60 |
6.2. Расчет среднего числа связей в логической цепи устройства
Расчет производим по формулам (5.6), (5.8), (5.9) и сводим в таблицу 6.2:
Параметры устройства: тип устройства: МКМ; схемотехника: КМОП; принцип компоновки: МП
Шаг размещения кристаллов БИС: 10мм;
Табл. 6.2
i | Ni | Mi | mi | Ki | ni | li | ΣNц i | ΣNсв i | nсв i |
1 | 10 | 10 | 10,86 | 2,43 | 2,69 | 1,29 | 14,31 | 35,08 | 2,45 |
2 | 170 | 17 | 37,55 | 1,88 | 2,69 | 1,36 | 61,74 | 157,20 | 2,55 |
3 | 3570 | 21 | 144,89 | 1,42 | 2,25 | 1,33 | 288,54 | 640,77 | 2,22 |
4 | 174930 | 49 | 836,49 | 1,00 | 2,00 | 1,41 | 2499,96 | 5436,26 | 2,17 |
6.3. Расчет средних длин связей и средних длин логических цепей
Произведем расчет средней длины связи и средней длины цепи по формулам (6.7)i и (6.8) и соответственно. При расчете используем интеграцию схемы Nmaxэффект и максимальную интеграцию БМК Nmaxmax, а также значения функционального объема Mi и Msi соответственно.
Размер кристалла Lкр=5,14 мм, коэффициент k=1/3.
Расчет шага размещения структурных элементов на внутренних уровнях компоновки МКМ ведется исходя из максимального числа элементов на текущем уровне Msi и конечных размерах кристалла.
Результаты сведены в таблицу 6.3:
Параметры устройства: тип устройства: МКМ; схемотехника: КМОП; принцип компоновки: МП
Шаг размещения кристаллов БИС: 10мм; Табл. 6.3
i | Ni | Mi | NS i | MS i | Ki | mi | Kопт i | nсв i | ai, мм | lсв i, мм | Lц i, мм | k, мм |
1 | 10 | 10 | 14,29 | 14,29 | 2,43 | 10,86 | 1,78 | 2,45 | 0,06 | 0,09 | 0,21 | 0,33 |
2 | 170 | 17 | 303,57 | 21,25 | 1,88 | 37,55 | 1,87 | 2,55 | 0,23 | 0,38 | 0,96 | |
3 | 3570 | 21 | 7083,33 | 23,33 | 1,42 | 144,89 | 1,92 | 2,22 | 1,06 | 1,78 | 3,96 | |
4 | 174930 | 49 | 347083,33 | 49,00 | 1,00 | 836,49 | 2,16 | 2,17 | 10,00 | 21,64 | 47,05 |
6.4. Расчет суммарных длин связей и плотности трасс в конструкциях коммутационных элементов