Главная » Просмотр файлов » Степаненко И. Основы теории транзисторов и транзисторных схем (1977)

Степаненко И. Основы теории транзисторов и транзисторных схем (1977) (1086783), страница 48

Файл №1086783 Степаненко И. Основы теории транзисторов и транзисторных схем (1977) (Степаненко И. Основы теории транзисторов и транзисторных схем (1977)) 48 страницаСтепаненко И. Основы теории транзисторов и транзисторных схем (1977) (1086783) страница 482018-01-12СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 48)

4-21, а, если ток коллектора заменить током эмиттера. Переходные и частотные свойства схемы ОК почти совпадаюз со свойствами схемы ОЭ, так как они определяются коэффициентом передачи ~' — — 1+ 1, лгв сУб мало отличазощимся от Р. 4-8. РАЗНОВИДНОСТИ ЗНВИВАйвЕНТНЫХ СХЕМ Т-образные эквивалентные схемы, которые мы рассмотрели и которыми будем пользоваться в дальнейшем, не являются единственно возможными. В литературе можно встретить ряд других схем [58, 501, из которых чаще всего встречается П.образная эквивалентная схема.

Кроме того, нередко (особенно в справочной литературе) транзистор рассматривается как бесструктурный четырехполюсник с той нли иной системой параметров. 7 собр х Рно. 4-25. П-образныв зивннаавнтныв сиены Оэ. а — ооновннн; б — ионнфвнироввннвн (снбриннвиь П-образные эквивалентные схемьь,Основная П-образная схема для включения ОЭ показана на рчс. 4-25, а а ее вариант, в котором выделено сопротивление базы, — на рис.

4-25, б. Как видим, в обеих схемах используются проводимости — комплексные ()') или активные (д), а в качестве усилительного параметра используется крутизна 3. Остановимся подробнее на «гибридной» П-образной схеме (рис. 4-25, б) как более распространенной и более специфичной для транзисторов. Установим связь между параметрами П- и Т-образной схем (Рис. 4-25„б и 4-24). Для этого сначала рассмотрим область низких частот, пренебрегая емкостями и частотной зависимостью параметРов.

Кроме того, исключим из рассмотрения сопротивление гб, одинаковое для обеих схем. Тогда в каждой схеме останется по четыре параметра: дл„ял„, й„„Я и г„р,„, г„, Р. Чтобы выразить одни параметры через другие, необходимы четыре уравнения. Такие уравнения получаются, если, например, приравнять входные (базовые) и вьгходные (коллекторные) токи в обеих схемах при заданном входном напряжении (между точками Б' и 3) и коротком замыкании иа выходе, а затем приравнять выходные (коллекторные) токи и входные (базовые) напряжения при заданном выходном напряжении и холостом ходе на входе. Точные решения несколько громоздки, позтому имеет смысл принять некоторые несущественные ограничения, а именно: г, ~ г; р „~ 1. Тогда с учетом соотношения (4-26) связь между параметрами оказывается весьма простой: а (4-95 а) гр 1 (!+Р) га (4-95в) Ы = —,=р» ° (4-95г) Подобно тому, как внутренние параметры Т-образной схемы связаны соотношением (4-26), параметры П-образной схемы, в чем легко убедиться, связаны ссютношеиием аида э-халк.

(4-96) Теперь рассмотрим область высших частот, т. е. учтем на рис. 4-24 емкости С„" и С, „(последняя занимает то же место, что и С,), а на рис. 4-25, б — емкости Са„ и Сл;, кроме того, козффипиейт р и крутизну Я будем считать комплексными неличинами. Тогда методика, аналогичная предыдущей, приводит к следующим результатам: (4-956) а'г а а,г, гв ~+!ата 1"лъ=дл ъ ' жйла(1+!гата); (4-976) 1 +~ !и)( +~ л) 1 1'.=2г =а.(1+! .): (4-97г) як 1+! Р Структура проводиьюсти )гл „соответствует параллельному соединению низкочастотного сопротивления 2г„н емкости С,72.

Следовательно, (4-97 в) (4-98) Сл, = С,72. Структура проводимости )'л, соответствует параллельному : соединению низкочастотного сопротивления г, (1 + ()) и зквивалеит- ной емкости: тв гр Сб'э = (4-99) Таким образом, в П-образной схеме в отличие от Т-образной частотная зависимость «сосредоточена» во в х о д н о й цепи (та э = = тр), а параметр выходной цепи — крутизна 5 — зависит от частоты сравнительно слабо (т, = т„). Параметры основной П-образной схемы (рис.

4-25, а) в принципе нетрудно получить с помощью формул (4-97), учтя налкчие сопротивления га на входе. Однако параметры этой схемы оказываются частотно-зависимыми, что в общем случае весьма неудобно. Поэтому собственно П-образная схема используется линь при анализе избирательных схем с практически постоянной рабочей частотой.

Параметры транзистора как четырехполюсника. Поскольку в Т- и П-образных схемах внутренняя базовая точка Б' недоступна для подключения измерительных приборов, в справочной литературе обычно Л- приводят параметры транзисторов, из- и, Ьм,ка, меренные со стороны внешних зажимов. иа«.»11 При эго1л транзистор рассматривается КаК «ЧЕРНЫЙ ЯЩИК», т.

Е. ЧЕтЫРЕХПО- рис. 4-2е. клок-схема чекмлюсник с произвольной внутренней рекиааю«иииа 2 а-караме»- структурой. Четырехполюсник может рами. характеризоваться различными системами параметров в зависимости от того, какие величины (из двух токов и двух напряжений) принимаются за аргументы, а какие— за функции. Как известно, все системы параметров четырехполюсника в принципе равноценны, но по ряду причин большим распространением в транзисторной технике пользуется так называемая смешанмая Ь-сиалима, в которой на входе осуществляется режим холостого хода (задается режимный ток), а на выходе — режим короткого замыкания (задается режимное напряжение).

Эта система соответствУег пРинЯтым нами Режимным величинам 7, и У„а или 1'а и ~«э Система уравнений четырехполюсника в й-системе записывается следующим образом (рис. 4-2б): ('1 ~11~1+~12~'2 ~2 й»1~1+~22('2' (4-100а) (4-100б) Отсюда видно, что параметр йм есть входное сопротивление при коротком замыкании на выходе; й„ вЂ” коэффициент обратной передачи напрчжения при холостом ходе на входе; Лэа — коэИи циент прямой передачи тока при коротком замыкании на выходе; й»2 выходная проводимость при холостом токе на входе. Эти опре деления лежат в основе соответствующих измерений.

(4-101б) (4-101 г) (4-102 а) Частота переменных составлгюшях, при которой производятся измерения а-параметров этим методом, должна быть достаточно низкой (обычно до 500 Ггг). Следует также заметить, что расчеты по формулам (4-102в) — (4-102д) оказываются весьма неточными, так как величины г„р„и гб определяи;тся разиостямн почти одинакоиых величин и малейшая погрешность при намерении а-параметРов приводит к существенной погрешности в расчетах вглоть до получения отрипательных значений и, и гб.

ПозтомУ сопРотивленне ги обычно Рассчитывают по формуле (4.22), а совротивление гб измеряшт отдельНо на дОСтатОЧНО ВЫСОКОЙ частоте (ногда 1ггаС (( г„), подставляя ! гюСк вместо ги в формулу (4.10!в) я счнтаа Рии = агбСи. КоллектоРнУю емкость тоже измеРЯют отдельно с помопгью к!'метра. ПаРаметР й,и, измеРенный на той же высокой частоте, позволаег непо. сРедственно определить из (4-10!в) постоянную времени та= гбСи, которая вместе с гРаничной частотой )ахаРактеРизУет частотные свойства транзисгоРа !см. (4-65)], Коэффициент р„, можно вычислить по формуле (4-26), зная величины г„, г„и а. На рис. 4-27 показана эквивалентная схема, соответствующая г1-систеьге.

Она имеет много общего с Т-образной схемой на рис. 4-13 и совпадает с ней (за исключением обозначений) при гб = О. т. е. для идеального одномерного транзистора. Схема на рис. 4-27 сохра- Очевидно, что значения й-параметров в схемах ОЬ и ОЭ будут различны. Установим связь параметров й„, ..., Йиз в схеме ОБ с параметрами Т-образной эквивалентной схемы на низких частотах, т,. е. пренебрегая емкостями н комплексностью а на рис 4-13 Задавая ток 1„ полагая (г'„ = 0 на схеме рис.

4-13 и определяя величины (), и /„, получаем: ~Ч г +гб(1 ) (4-101а) !и 1гг -о к 1'~. --"— гх„ !и 1ГГ =-В ги+гб Полагая теперь на рис. 4-13 ток 7, = О (обрыв эмиттера по переменному току) и задавая (),„получаем! Ф вЂ”.="---- "' (4-101в) С полющью формул (4-101) и учитывая соотношение (4-26), легко осУществить обРатный Расчет паРаметРов а„, г„г„Р.и, гб по измеренным величинам йы, ..., )ча.' и Ф э)!иг,' (4-102а) "и (4-102б) и г, = 2 ~)тгг — — (1 — )гзг)1; аш л„ (4-102 г) гб = 2 —" — — '-'— . (4-102д) 1 — ам' угяет свою с т р у к т у р у при двух других включениях транзистора — ОЭ и ОК, хотя з н а ч е н и я параметров прн этом, конечно, )ганяются.

Так, используя изложенную выше мето)(ику примениьельно к рис. 4-24, получаем для схемы ОЭ: йм я '~ г б + ( 1 + ь) г э) йз, (4-10Зв) )гзз гчм —. ) (4-1ОЗг) 'й Отсюда, как и в случае схемы ОБ, легко получить параметры Т-образной схемы по измеренным значениям й. Сравнительная оценка. Из четырех рассмотренных эхвивалентных схем (см. Ряс. 4-24, 4-25 и 4-27) имеет смысл сравнить только две: Т-образную (рнс. 4-24) н гибридную П-образную (рнс.

4-25, б). Остальные две неспецифичны для транзисторов и пригодны для любого активного четырехполюсника. В литературе долгое время велись дискуссии по поводу относительных Преимуществ Т- и П-образных схем. Сторонники П-образных схем (или как говорят, системы у-параметров) делали попытки приписать Т-образной схеме принципиально большую погрешность в области высоких частот (67, 681. Последнее, разумеется, неверно, так как любые эк- Г ЛГ7 Хя вивалентные схемы с одинаковым числом + + степеней свободы (т. е. аезависимых паРаметРов) Равноценны.

Характеристики

Тип файла
DJVU-файл
Размер
8,94 Mb
Тип материала
Высшее учебное заведение

Список файлов книги

Свежие статьи
Популярно сейчас
Как Вы думаете, сколько людей до Вас делали точно такое же задание? 99% студентов выполняют точно такие же задания, как и их предшественники год назад. Найдите нужный учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6505
Авторов
на СтудИзбе
302
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее