Electronic_technician[1] (1075536), страница 19

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 19)

Определяется по следующей формуле:Uст.Iст. max  Iст. minЕ. А. Москатов. Стр. 113Температурный коэффициент стабилизации α. Определяется по следующей формуле:t  t 2  t1Uст.t 100%Uст.  t Uст.t   Uст.  Uст.I U c т. tUс тUс т ' UcтUIс т.m inIс т.номIс т.m axt o 2 = 80 o Ct o 1 = 20 o CР ис. 291Задача №3Построение нагрузочной прямой и определение координат рабочей точки по графикам (смотрите рисунок 292).

Дано: Eк; Rк; Iбo. Определить: Uкэo; Iкo; Uбэo.Зная ток Iбo, из графика рисунка 293 определяем Uбэo. Из формулы Iк.нас EкопределяемRкIк.нас. Зная Eк и Iк.нас, отложим их значения на осях координат графика, изображённого нарисунке 292.IкIб4Iк.насIб3Р.Т.Iб2=IбоIкоIбUкэ=0Uкэ>0IбоIб1UкэоРис. 292EкUкэUбэо UбэРис. 293Е. А. Москатов. Стр. 114Соединим получившиеся точки прямой линией.

Эта линия и есть нагрузочная прямая. Зная изусловия Iбo, и зная, в каком месте нагрузочная прямая пересекает требуемый ток базы, определим рабочую точку (РТ). Спроецируем рабочую точку на ось Uкэ и найдём Uкэo.Задача №4Определение h-параметров биполярных транзисторов по графикам (смотрите рисунки 294 –298). Для рисунка 297 справедливо ΔIб = Iб3 - Iб2.Iк IбIбUкэ=0Iб4IбIб3Uкэ>0Iб2Uкэ=0Uкэ>0Iб=constIб1 Uбэ UбэРис. 294Рис.

295U к э = C o ns tIб 4IкIб4 IкIкIб3 Iк IбIб 3 UбэРис. 296UкэIб2Iб 2Iб1Iб 1 UкэU к э = c o ns tР ис . 2 9 7U кэР ис. 298U 1при U 2  ConstI 1Uбэh11э при Uкэ  ConstIбU 1h12 при I1  ConstU 2Uбэh12 э при Iб  ConstUкэI 2h 21 при U 2  ConstI 1Iкh 21э при Uкэ  ConstIбIкh 22э при Iб  ConstUкэh11 Е. А. Москатов. Стр. 115U кэUбэЗадача №5Определение параметров полевых транзисторов по характеристикам (смотрите рисунки 299,300).IсUз1=0Iк IсUз2<Uз1 IcUз3<Uз2Uз4<Uз3 UзUотс UсUyР ис.

299UсР ис. 300Определить крутизну характеристики S и выходное сопротивление Rст. полевого транзистора. Из стокозатворной характеристики, изображённой на рисунке 299, по следующей формуленайдём крутизну характеристики: Ic mA .S=[] Uз BДля нахождения Rст обратимся к рисунку 300.

По этой иллюстрации определяем ΔUc и ΔIc.Выходное сопротивление рассчитаем по следующей формуле:Rст UcIcЗадача №6Задача на логические элементы. На рисунке 301 приведена принципиальная схема устройства,состоящего из трёх логических элементов – двух элементов Шеффера (И-НЕ) и одного элемента Пирса (ИЛИ-НЕ). Также условием являются подаваемые на устройство уровни логической единицы и логического нуля.

Требуется определить, что будет на выходе элемента DD3 –логический ноль или единица.Решение. На элемент И-НЕ DD1 подаются две единицы, значит, на выходе у него будет ноль.На элемент И-НЕ DD2 подаются ноль и единица, значит, на выходе у него будет единица. Наэлемент ИЛИ-НЕ DD3 подаются ноль и единица с элементов DD1 и DD2, следовательно, навыходе у него будет ноль. Ответ: ноль.DD1"1"&DD31y="?"DD2"0"&"1"Рис. 301Е.

А. Москатов. Стр. 116Литература1. Буланов Ю. А., Глаголев Г. И. Основы электроники. – М.: «Высшая школа», 1966, 347 с.: ил.2. Быстров Ю. А., Мироненко И. Г. Электронные цепи и устройства: Учеб. пособие для электротехн. и энерг. вузов. – М.: Высш. шк., 1989. – 287 с.: ил.3. Гершунский Б. С. Основы электроники. – Киев, издательское объединение «Вища школа»,1977, 344 с.4. Гусев В. Г., Гусев Ю. М. Электроника: Учеб. пособие для приборостроит. спец.

вузов. – 2-еизд., перераб. и доп. – М.: Высш. шк. 1991. – 622с.: ил.5. Жеребцов И. П. Основы электроники. – 5-е изд., перераб. и доп. – Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1989.-352 с.: ил.6. Кноль М., Эйхмейер И. Техническая электроника, т. 1. Физические основы электроники. Вакуумная техника, пер. с нем. М., «Энергия», 1971.7.

Силовая электроника: Примеры и расчёты / Ф. Чаки, И. Герман, И. Ипшич и др. Пер. с англ.– М.: Энергоиздат, 1982. – 384 с.: ил.Е. А. Москатов. Стр. 117ОглавлениеПредисловие………………………………………………………………………………….........…3Раздел 1. Электронно-дырочные и металлополупроводниковые переходы……...………..........4Тема 1. Движение электронов в электрических и магнитных полях…………………….............41)Движение электронов в ускоряющем электрическом поле………………………….........42)Движение электрона в тормозящем электрическом поле…………………………............53)Движение электрона в поперечном электрическом поле……………………………........54)Движение электрона в магнитных полях…………………………………………..............55)Зонная энергетическая диаграмма…………………………………………………….........6Тема 2.

Электропроводность полупроводников……………………………………………..........71)Собственная проводимость полупроводников……………………………………….........72)Примесная проводимость полупроводников………………………………….........……...83)Дрейфовый и диффузионный токи в полупроводниках………………………………......9Тема 3. Электронно-дырочный (p-n) переход……………………………………………….….....91)Образование электронно-дырочного перехода………………………………….…..….....92)Прямое и обратное включение p-n перехода………………………………....…….…......103)Свойства p-n перехода………………………………………………………………..….....11Тема 4. Переход Шоттки……………………………………………………………………….......141)Образование перехода Шоттки…………………………………………………….…....…142)Прямое и обратное включение диодов Шоттки…………………………………….....….14Тема 5. Некоторые эффекты полупроводника……………………………………………............151)Тоннельный эффект…………………………………………………………….........……..152)Эффект Гана…………………………………………………………………….........……..163)Эффект Холла…………………………………………………………………........….……16Раздел 2.

Полупроводниковые приборы………………………………………………….........…17Тема 6. Устройство, классификация и основные параметры полупроводниковыхдиодов…………………………………………………………………….…………............171)Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов…………...........172)Конструкция полупроводниковых диодов……………………………………….........….183)Вольтамперная характеристика и основные параметрыполупроводниковых диодов……………………………….…………………….........…...20Тема 7. Выпрямительные диоды……………………………………………………….........…….211)Общая характеристика выпрямительных диодов……………………………….........…..212)Включение выпрямительных диодов в схемах выпрямителей…………………........….21Тема 8. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды………………………….........…..231)Стабилитроны…………………………………………………………………….........……232)Варикапы………………………………………………………………………….........……253)Фотодиоды………………………………………………………………………….........….264)Светодиоды………………………………………………………………………….........…27Тема 9.

Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды…...........281)Импульсные диоды…………………………………………………………………............282)Диоды ВЧ……………………………………………………………………………............293)СВЧ диоды………………………………………………………………………….........….30Раздел 3. Биполярные транзисторы……………………………………………………….........…30Тема 10. Устройство, классификация и принцип действия биполярных транзисторов.........…301)Классификация и маркировка транзисторов………………………………………...........302)Устройство биполярных транзисторов……………………………………………........…313)Принцип действия биполярных транзисторов……………………………………........…32Тема 11.

Схемы включения биполярных транзисторов…………………………………….........331)Схема включения с общей базой ОБ………………………………………………........…33Е. А. Москатов. Стр. 1182)Схема включения с общим эмиттером ОЭ…………………………………………..........333)Схема включения с общим коллектором ОК……………………………………........…..344)Усилительные свойства биполярного транзистора………………………………........…35Тема 12.

Статические характеристики транзисторов…………………………………….........…361)Статические характеристики транзистора по схеме ОБ………………………........….362)Статические характеристики транзистора по схеме ОЭ………………………........….38Тема 13. Динамический режим работы транзистора……………………………………........…..381)Понятие о динамическом режиме………………………………………………….......….382)Динамические характеристики и понятие рабочей точки………………………….........393)Ключевой режим работы транзистора……………………………………………….........39Тема 14. Эквивалентная схема транзистора……………………………………………….......….411)Эквивалентная схема транзистора с ОБ…………………………………………….......…412)Эквивалентная схема транзистора с ОЭ……………………………………………..........413)Эквивалентная схема транзистора с ОК………………………………………….......…...424)Транзистор как активный четырёхполюсник…………………………………….......…...42Тема 15.

Система h-параметров транзистора. Y-параметры…………………………….......…..431)h-параметры и их физический смысл……………………………………………….......…432)Определение h-параметров по статическим характеристикам……………………..........443)Y-параметры транзисторов…………………………………………………………….......46Тема 16. Температурные и частотные свойства транзисторов. Фототранзисторы……….........471)Температурное свойство транзисторов…………………………………………….......….472)Частотное свойство транзисторов…………………………………………………......…..473)Фототранзисторы……………………………………………………………………......….48Раздел 4.

Характеристики

Список файлов ответов (шпаргалок)