Ландсберг Г.С. - Оптика (1070727), страница 143
Текст из файла (страница 143)
Такое «просачивание» легко понять, если вспомнить о волновых свойствах электрона и принять во внимание, что прохождение электрона через потенциальный барьер аналогично проникновению электромагнитной волны через тонкий слой оптически плотного вегцества при угле падения, большем критического угла полного отражения (см. гл. ХХ1У). 590 дейотВия сВетА й 180. Внутренний фотоэффект В предыдущем параграфе говорилось об освобождении электронов из освещаемой поверхности вегцества и переходе их в другую среду, в частности в вакуум.
Такое испускание электронов называют фотпоэлектпронной эмиссиеб, а само явление внешним фогйоэффекгпом. Наряду с ним известен также и широко используется в практических целях так называемый внутпренн~й фошоэффект,, при котором, в отличие от внешнего, оптически возбужденные электроны остаются внутри освещенного тела, не нарушая нейтральности последнего. При этом в вегцестве изменяется концентрация носителей заряда или их подвижность, что приводит к изменению электрических свойств вещества под действием падающего на него света. Внутренний фото- эффект присущ только полупроводникам и диэлектрикам. Его можно обнаружить, в частности, по изменению проводимости однородных полупроводников при их освещении.
На основе этого явления— фотопроводимовти создана и постоянно совершенствуется болыпая группа приемников света — фотпорезисшоров. Для них используется и основном селенид и сульфид кадмия. В неоднородных полупроводниках наряду с изменением проводимости наблюдается также образование разности потенциалов (фото- ЭДС). Это явление (фотогальванический эффект) обусловлено тем, что в силу односторонней проводимости полупроводников происходит пространственное разделение внутри объема проводника оптически возбужденных электронов, несущих отрицательный заряд и микрозон (дырок)„возникающих в непосредственной близости от атомов, от которых оторвались электроны, и подобно частицам несущих положительный элементарный заряд.
Электроны и дырки концентрируются на разных концах полупроводника, вследствие чего и возникает электродвижущая сила, благодаря которой и вырабатывается без приложения внешней ЭДС электрический ток в нагрузке, подключенной параллельно освещенному полупроводнику. Таким образом достигается прямое преобразование световой энергии в электрическую. Именно по этой причине фотогальванические приемники света и используются не только для регистрации световых сигналов, но и в электрических цепях как источники электрической энергии. Основные промышленно выпускаемые типы таких приемников работают на основе селена и сернистого серебра.
Весьма распространен также кремний„германий и ряд соединений — СаАэ, 1пБЬ, Сс1Те и другие. Фотогальванические элементы, используемые для преобраэования солнечной энергии в электрическую, приобрели особенно широкое применение в космических исследованиях как источники бортового питания. Они обладают относительно высоким коэффициентом полезного действия (до 20%), весьма удобны в условиях автономного полета космического корабля. В современных солнечных элементах в зависимости от полупроводникового материала, фото-ЭДС достигает 1 2 В, сьем тока с 1 см~ нескольких десятков миллиампер, а на 1 кг массы выходная мощность достигает сотен ватт.
гл. хххп. еотоэлнктгичкокий эеэнкт 591 $ 181. Фотоэлементы и их применения В настоящее время на основе внешнего и внутреннего фотоэффекта строится бесчислешюе множество приемников излучения, преобразующих световой сигнал в электрический и объединенных общим названием — фотоэлементы. Они находят весьма широкое применение в технике и в научных исследованиях.
Самые разные объективные оптические измерения немыслимы в наше время без применения того или иного типа фотоэлементов. Современная фотометрия, спектрометрия и спектрофотометрия в широчайшей области спектра., спектральный анализ вещества, объективное измерение весьма слабых световых потоков, наблюдаемых, например, при изучении спектров комбинационного рассеяния света, в астрофизике, биологии и т.д. трудно представить себе без применения фотоэлементов: регистрация инфракрасных спектров часто осуществляется специальными фотоэлементами для длинноволновой области спектра. Необычайно широко используются фотоэлементы в технике: контроль и управление производственными процессами, разнообразные системы связи от передачи изображения и телевидения до оптической связи на лазерах и космической техники представляют собой далеко не полный перечень областей применения фотоэлементов для решения разнообразнейших технических вопросов в современной промышленности и связи.
История создания фотоэлементов насчитывает уже более 100 лет. Первый фотоэлемент, основанный на внутреннем фотоэффекте и использующий явление фотопроводимости, был построен в 1875 г., первый же вакуумный фотоэлемент, основанный на внешнем фотоэффек>е, был построен в 1889 г. Промышленное производство вакуумных фотоэлементов в Советском Союзе было организовано П.Б. Тимофеевым в 1930 г. Интересно отметить, что фотоэлементы, использующие внешний фотоэффект, раньше приобрели широкое развитие, хотя внутренний фотоэффект был открыт по крайней мере на 50 лет раньше. Только в сороковых годах нашего столетия благодаря бурному развитию физики полупроводников и детальному изучению внутреннего фотоэффекта началось создание новых фотоэлементов на основе полупроводниковых материалов.
Огромное разнообразие задач. решаемых с помощью фотоэлементов. вызвало к жизни чрезвычайно большое разнообразие типов фотоэлементов с различными техническими характеристиками. Выбор оптимального типа фотоэлементов для решения каждой конкретной задачи основывается на знании этих характеристик. Для фотоэлементов с внешним фотоэффектом (вакуумных фотоэлементов) необходимо знание следующих характеристик: рабочая область спектра; относительная характеристика спектральной чувствительности (она строится как зависимость от длины волны падающего света безразмерной величины отношения спектральной чувствительности при монохроматическом освещении к чувствительности в максимуме этой характеристики); интегральная чувствительность (она определяется при освещении фотоэлемента стандартным источником света); величина квантового выхода (процентное отношение числа эмиттированных фотоэлектронов к числу падающих на фотокатод фотонов); инер- ДЕЙСТВИЯ СВЕТА 592 ционность (для вакуумных фотоэлементов она определяется обычно через время пролета электронов от фотокатода к аноду).
Важным параметром служит также темновой ток фотоэлемента, который складывается ллз термоэмиссии фотокатода при комнатной температуре и тока утсчклл. В зависимости от материала фотокатода и материала колбы фотоэлемента их можно применять в диапазоне 0,2-1,1 мкм. Их интегральная чувствительность лежит в пределах 20-100 мкА на 1 лм светового потока, а термоэмиссия — в пределах 10 л' — 10 лб А~'см-'. Очень важным достоинством вакуумных фотоэлементов является их высокое постоянство и линейность связи светового потока с фототоком. Поэтому они длительное время преимущественно использовались в объективиой фотометрии, спектрометрии, спектрофотометрии и спектральном анализе в видимой и ультрафиолетовой областях спектра. Главным недостатком вакуумных фотоэлементов при световых измерениях следует считать малость электрллческих сигналов, вырабатываемых этими приемниками света.
Последний недостаток полностью устраняется в фотоэлектронных умножителях (ФЭУ), представляющих как бы развитие фотоэлементов. ФЭУ были впервые построены в 1934 г. Принцип действия ФЭУ можно проследить на рис. 32.12. Фотоэлектроны, эмиттируемые с фотокатода ФК под действием электрического поля, ускоряются и попадают на первый промежуточный э, э Рис, 32.12.
Схема устройства фотоумножителя электрод Эл. Падая на него, фотоэлектроны вызывают эмиссию вторичных электронов, причем в определенных условиях эта вторичная эмиссия может в несколько раз превышать первоначальный поток фотоэлектронов. Конфигурация электродов такова, что большинство фотоэлектронов попадает на электрод 3~, а больпплнство вторичных электронов попадает на следующий электрод Ээ, где процесс умножения повторяется, и т.д. Вторичные электроны с последнего из электродов (динодов), а их бывает до 10 — 15, собираются на анод. Общий коэффициент усиления таких систем достигает 107 — 10", а интегральная чувствительность ФЭУ достшает тысяч ампер на люмен. Это, конечно, пе означает возможности получения больших токов, а свидетельствует лишь о возможности измерения малых световых потоков. гл.
хххп. еотоэлнктгичкокий эееькт 593 Очевидно, те же технические характеристики, что и у вакуумных фотоэлементов, а также коэффициент усиления и его зависимость от питающего напряжения полностью характеризуют ФЭУ. В настоящее время последние повсеместно вытесняют вакуумные фотоэлементы. К недостаткам ФЭУ следует отнести необходимость применения источника высоковольтного и стабилизированного питания, несколько худшую стабильность чувствительности и большие гпумы. Однако путем применения охлаждения фотокатодов и измерения не выходного тока, а числа импульсов, из которых каждый соответствует одному фотоэлектрону„эти недостатки могух быть в значительной степени подавлены. Большим преимуществом всех приемников света, использующих внешний фотоэффект, является то обстоятельство, что их фототок не изменяется при изменении нагрузки.
Это означает, что при малых значениях фототока можно применить практически сколь угодно большое сопротивление нагрузки и тем самым достичь значения падения напряжения на нем, достаточно удобного для регистрации и усиления. С другой стороны, заменяя сопротивление на емкость, можно, измеряя напряжение на этой емкости, получать величину, пропорциональную усредненной величине светового потока за заданный интервал времени.
Последнее чрезвычайно важно в тех случаях, когда необходимо измерить световой поток от нестабильного источника света ситуация, типичная для спектроаналитических измерений. Спектрометрия в инфракрасной области спектра не может производиться с помощью вакуумных фотоэлементов и ФЭУ по той причине, что современные фотокатоды имеют красную границу не выше 1100 нм. Однако уже сейчас известны материалы, позволяющие продвинуться до 3 — 4 мкм. Поэтому в инфракрасной области применяются фотоэлементы, работающие на основе внутреннего фотоэффекта. Сюда следует отнести неохлаждаемые фоторезисторы на основе 1пЯЬ, РЬЯе и РЬЯ, которые могут быть использованы до 6 мкм, и глубоко охлаждаемые фоторезисторы па основе германия., легированного золотом, цинком, медью и другими металлами, пригодные до 40 мкм.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
