2 (1058626)

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла

«Одинарная» литографияПроцесс литографииТравлениеВакуумное осаждение тонкой пленкиВ вакуумной камере электроннолучевым испарениемСелективная или «двойная» литографияФотолитография по схеме «тендем-процесса»Ионное травлениеArδ≈0Вакуумное осаждение тонких пленокНанесение фоторезистаВ вакуумной камере электроннолучевым и магнетронным испарениемОчистка поверхностиНанесение центрифугированиемСушкаLmin=0,1 мкмdL=0,05 мкмv=0,1-1 нм/минВакуумное осаждение тонких пленокВ вакуумной камере электроннолучевым и магнетронным испарениемНанесение фоторезистаНанесение двухслойного фоторезистаОчистка поверхностиНанесение центрифугированиемСушкаЭкспонирование фоторезистаУльтрафиолетовое облучениев чистой комнате или в вакуумнойкамереОчистка поверхностиНанесение центрифугированиемСушкаХимическое травлениеCl, F, CF4δ=hЭкспонирование фоторезистаТравление металлаУльтрафиолетовое облучениев чистой комнате или в вакуумнойкамереИонно-химическое травление ввакуумной камереLmin=2,0 мкмdL=1,0 мкмv=10-10000 нм/минЭкспонирование фоторезистаТравление контактной площадкиУльтрафиолетовое облучениев чистой комнате или в вакуумнойкамереУдаление фоторезистаИонно-плазменное травление ввакуумной камереИонно-химическое травление ввакуумной камереОсаждение тонкой пленкиВ вакуумной камеремагнетронным методомУдаление фоторезистаИонно-плазменное травление ввакуумной камереНанесение фоторезистаИонно-химическое травление ввакуумной камереОчистка поверхностиНанесение центрифугированиемСушкаОчистка поверхностиНанесение центрифугированиемСушкаУдаление фоторезистаЭкспанирование фоторезистаЭкспонирование фоторезистаИонно-плазменное травление ввакуумной камереТравление контактной площадкиТравление резисторовТравление контактной площадкиУдаление фоторезистаУдаление фоторезистаЗначение параметра±0,010,10,1Перекрытие для совмещенияэлементов, выполняемых вразличных слоях, мм0,2Минимальное расстояние отпленочных элементов до краяплаты, мм0,50,30,1101000,10,050,10,22.

Экспонирование+проявлениефоторезиста(установка литографии)Проявка 4 минРаздубливание фоторезиста 6 минЕТ=10 минУдаление фоторезистаИонно-плазменное травление ввакуумной камереИонно-плазменное травление ввакуумной камереМетодфотолитографии±0,01Ионно-химическое травление ввакуумной камереИонно-химическое травление ввакуумной камереИонно-химическое травление ввакуумной камереТочность изготовлениялинейных размеров, ммМинимально допустимаяширина резистивногоэлемента, мм допустимаяМинимальнодлина резистивногоэлемента, мм допустимыйМаксимальнокоэффициент формыМинимальная ширинапленочных проводников, ммСтадии Si-CARL процесса1.

Нанесение фоторезистаОчистка поверхности(ванна) 5 минЦентрифугирование(центрифуга)5минСушка(Печь) 10 минЕТ=20 минУльтрафиолетовое облучениев чистой комнате или в вакуумнойкамереУльтрафиолетовое облучениев чистой комнате или в вакуумнойкамереМетодсвободноймаскиLmin=1,0 мкмdL=0,5 мкмv=1,0-1000 нм/минТравление резиста итонкопленочных элементовНанесение фоторезистаГеометрический параметрИонно-химическоетравлениеCl, Fδ=h/24.Жидкостное силилированиеХимическая реакция силоксанов(ванна)5 минТаблица сравнения методов литографииМетодЭкономиявремени-ТочностьНеобходимостьсовмещения дополнительногооборудования-ВозможностьИспользуемоетравления пооборудованиесхеме Si-CARL+5ОдинарнаялитографияДвойнаялитография«Тендем»процесс++-+5++++-65.Ионно-химическое травление(Вакуумная установкаионно-химического травления)10 мин6.Удаление фоторезиста(Вакуумная установка ионно-плазменного травления )10 минЕТ процесса = 55 мин.

Характеристики

Тип файла PDF

PDF-формат наиболее широко используется для просмотра любого типа файлов на любом устройстве. В него можно сохранить документ, таблицы, презентацию, текст, чертежи, вычисления, графики и всё остальное, что можно показать на экране любого устройства. Именно его лучше всего использовать для печати.

Например, если Вам нужно распечатать чертёж из автокада, Вы сохраните чертёж на флешку, но будет ли автокад в пункте печати? А если будет, то нужная версия с нужными библиотеками? Именно для этого и нужен формат PDF - в нём точно будет показано верно вне зависимости от того, в какой программе создали PDF-файл и есть ли нужная программа для его просмотра.

Список файлов курсовой работы