Борисенко В.Е. - Наноэлектроника (Теория и практика) (1051247), страница 72
Текст из файла (страница 72)
Асаг). ась 102(30), 10451-10453 (2005). СЛОВАРЬ ТЕРМИНОВ Ааронова-Бома эффект (АЬагопот-ВоЬщ ейес1) — интерференция электронных волн на выходе кольцевого проводника, на который наложено магнитное поле, проходящее через центр кольца перпендикулярно его плоскости. амфифильное (атрЬ(рЬ11е) вещество — вещество, которое растворяется и в воде, и в жирах, потому что один конец молекул этих веществ является гидрофильным и поэтому оказывается предпочтительно погруженным в воду, а другой конец является гидрофобнмм и поэтому предпочтительно находится в воздухе (или в неполярном растворителе).
аллотропия (а11о1гору) — существование одного и того же химического элемента в виде нескольких веществ, различных по строению и свойствам (так называемых аллотропных модификаций или аллотропных форм). Андерсона правило (Апдегзоп*а гп1е) — электронные состояния в вакууме для двух материалов, образующих гетеропереход, должны быть идентичными с учетом сродства к электрону в этих материалах. аитиферромагнетизм (апЫеггощаапе11яп) — одно из магнитных состояний вещества, при котором магнитные моменты соседних областей вещества — домены — ориентированы навстречу друг другу (антипараллельно).
баллистический транспорт (Ьайп(с ггапзроп) носителей заряда— перенос носителей заряда без их рассеяния. Бира — Аронова — Пикуса механизм (Вп-Агопот-Рйпп щесЬап(пп)— механизм изменения спина подвижных носителей заряда в полупроводниках, обусловленный процессами обменного взаимодействия и рекомбинации между электронами и дырками.
Слова ь терминов 347 бозе-жидкость (Вове сове!епза!е) — ансамбль бозе-частиц, находя- шихся в одном и том же состоянии с нулевым импульсом. бозе-частицы, бозоны (Вове рагйс!ев, Ьовопз) — квантовые частицы с целочисленным спином„подчиняющиеся распределению Бозе — Эйнштейна. Бозе — Эйнштейна распределение (Вове-Е!пв!е!и б!з!пЬц!!оп, пабзйсв) — распределение по энергиям (Е) квантовых частиц с неразличимыми свойствами, т. е.
с целочисленным спином: У(Е) = 1 , где йе — постоянная Больцмана; Т- абехр[Е1(Ь Т)[-1' солютная температура. боровский радиус (ВоЬг габ!ив) — радиус самой низкой орбиты электрона массой т в атоме водорода аа = Л'/те'. Вегарда правило (ЧеяапГв!ап) — постоянная решетки промежуточного соединения а(х) линейно изменяется в интервале между постоянными решеток образующих их материалов а, и а,: а(х) = ха, + (1 — х)а,, где х — мольная доля материала 1 в материале 2.
впцпнальная поверхносп (т!с!па! зиг(асе) — поверхность, которая не является равновесной для данного кристалла. Обычно это поверхности, слегка разориентированные относительно основных низкоиндексных плоскостей кристалла. водородная связь (Ьубгояеп Ьопб) — связь, возникающая между электроотрицательным атомом, имеющим неподеленную пару электронов, и атомом водорода, который химически связан с другим электроотрицательным атомом и имеет избыточный положительный заряд. В качестве партнеров для образования таких связей обычно выступают атомы, имеющие наибольшую электроотрицательность — атомы азота, кислорода, фтора.
гамильтониаи (Наш!!гоп!ап) — дифференциальный оператор, обычно используемый для описания энергетических соотноше- 2 ний для квантовых частиц. Определяется как Н= — ~7 +Р'(г) и 2т включает составляющую кинетической энергии частицы, предполагая, что ее масса равна т, и составляющую потенциальной д д д энергии $"!г). Здесь 7 = — + — + — — набла-оператор, й — редудх ду дх цированная постоянная Планка. Гейзенберга соотношение неопределенностей (Не!зепЬегя'з ипсепа!и!у рппс!р1е) утверждает, что невозможно одновременно Приложения определить с произвольной точностью импульс (р) и координаты (г) квантовой частицы. Количественно это выражается как дрЛг > й/2 или, эквивалентно для времени (г) и энергии частицы (Е), Л~ЛЕ > й/2, где 6 — редуцированная постоянная Планка.
гель (яе!) — сеть жестко связанных полимерных цепочек длиной до нескольких микрометров. Его рассматривают как промежуточное состояние между жидкостью и твердым телом. гетероструктура (Ьегегозггцсгцге) — структура, состоящая из нескольких (более одного) материалов, отличающихся по своим свойствам.
гетерофуллерен (Ьегего(ц!!егепе) — фуллерен, образующийся при замещении углеродных атомов в своей структуре примесными атомами. гигантского мяпнггосопротияления эффект (я!апг гпаяпе!огез!згапсе е(Тес!) — существенное изменение электрического сопротивления многослойной тонкопленочной структуры, составленной из чередующихся слоев немагнитного и магнитного проводящих материалов, при изменении направлений намагниченности магнитных слоев с параллельных на антипараллельные. гидрид (ЬудгЫе) — соединение химического элемента с водородом. гидрофнльное (Ьуг!горЬ!!!с) вещество — вещество, которое растворяется в воде, смачивается водой или набухает. гидрофобное (Ьуе!горЬоЬ(с) вещество — вещество, которое не растворяется в воде, не смачивается водой и не набухает.
гряфен (ягарЬепе) — лист из одного слоя графита моноатомной толщины. двумерный электронный газ (!его-г)(тепяопа! е!ее!гоп яаз, 20ЕО) — электроны в квантовых пленках. де Бройля волна (г!е Вгоя((е егаге!е~щгЬ) — волна, соответствующая квантовой частице с импульсом р и характеризуемая длиной Х = )г/р, где й — постоянная Планка. Джозефсонв эффекты ()озерЬзоп енес!з) возникают при туннелировании электронов из сверхпроводника через диэлектрик в другой сверхпроводник. ° Д. э. на постоянном токе (йгесг сштеп! УозерЬзоп е1Тес!): через туннельный переход между сверхпроводниками протекает суперток при нулевом напряжении на контактах перехода. Словарь терминов ° Д. э.
на переменном токе (а11егпа1!пя сщтеп1 .)озер)ззоп е(!ес1): если к туннельному переходу сверхпроводник/диэлектрик/сверхпроводник приложено напряжение К, через него протекает переменный ток с частотой 2е)"/л, где е — заряд электрона, Ь вЂ” постоянная Планка. диамагнетизм (йагпаяпе11зщ) — свойство вещества во внешнем магнитном поле приобретать намагниченность, противоположную направлению этого поля. диэлектрик (йе!ес1пс) — вещество, в котором внешнее электрическое поле индуцирует заряды, которые достаточно долго сохраняют в нем электрическое поле даже после снятия внешнего поля. диффузионный транспорт (ййцяоп 1гапзроп) носителей заряда— перенос носителей заряда путем их диффузии.
Донлера эффект (Рорр!ег ейесг) — разница в частотах между испускаемым излучением и регистрируемым излучением, когда источник и приемник излучения движутся друг относительно друга. Дьяконова — Переля механизм (Р'уа11опоу-Реге! щеспап!зщ) — механизм изменения спина подвижных носителей заряда в полупроводниках, обусловленный спин-расщеплением зоны проводимости вследствие спин-орбитального взаимодействия, вызванного отсутствием инверсной симметрии в кристаллической решетке полупроводника.
Зеемана эффект (Хеегпап ейес1) — расщепление энергетических уровней электронов во внешнем магнитном поле, вызванное наличием у электронов определенного спина. Величина этого расщепления составляет яцвВ, где я — я-фактор (для свободных электронов я = 2), )г — магнетон Бора,  — индукция магнитного поля. золь (зо!) — раствор коллоидных частиц в жидкости. интерференция (!п1еггегепсе) — взаимодействие двух или более одинаковых или близких по частоте волн, приводящее вследствие их алгебраического или векторного сложения к изменению с расстоянием или временем амплитуды результирующей волны. квантовая пленка (г!цап!ого б)щ) — двумерная (2Р) структура, в которой квантовое ограничение действует только в одном направлении — по толщине пленки. квантовая точка (г!цап!ого до1) — нуль-мерная (ОР) структура, в которой квантовое ограничение действует во всех трех направлениях.
350 Прилоаеиия квантового сопротивления единица (г!иапгшп гез!зг!чгу ипй)— л/е' = 25812,807 Ом. Соответствующая проводимость е~//г = 38,740 мкСм. квантовое ограничение (г!иапопп сопйпешеп!) — специфическое поведение электронов (дырок) в замкнутом пространстве, возникающие как следствие их квантово-волновой природы и ограниченных возможностей для движения, приводящих к конечному (ненулевому) минимальному значению их энергии и дискретности разрешенных энергетических состояний в низко- размерной структуре.
квантовой проводимости единица (г!папгшп сонг!исгапсе иш!)— е'/л = 38,740 мкСм. Соответствующее сопротивление /г/е~ = 25812,807 Ом. квантовый колодец (г)иапгшп пей) — ограниченная потенциальными барьерами конечная область пространства или материала, в которой проявляются квантовые эффекты. квантовый шнур (г!иапгшп кйге) — одномерная (1Р) структура, в которой квантовое ограничение действует в двух направлениях — по толщине и ширине шнура.
коллоидные часппгы (со11оЫ рагйс1ез) — твердые частицы размером 1 — 100 нм. Кондо температура (Конг!о гетрегашге) — температура, начиная с которой электрическое сопротивление металлов с магнитными примесями начинает возрастать при понижении температуры. Кондо эффект (КоЫо ейесг) — увеличение электрического сопротивления металлов, содержащих магнитные примеси,при температурах, приближающихся к абсолютному нулю; связано с ненулевым полным спином всех электронов в образце.
координационная связь (соотг!!па!!оп Ъопд) — связь, образованная за счет электростатического и/или донорно-акцепторного взаимодействий молекул друг с другом или с ионами. кулоновская блокада (Сои!отЪ Ыос)саде) — блокирование движения заряженных частиц вследствие их кулоновского взаимодействия с другими подвижными и неподвижными зарядами. кулоновская лестница (Соп!отЬ зга!гсазе) — вольтамперная характеристика ступенчатого вида, типичная для двухбарьерной несимметричной одноэлектронной туннельной структуры.
кулоновские алмазы (Сои!отЬ гйатопбз) — ромбообразные области электростатической устойчивости одно электрон но го транзистора на диаграмме, описывающей соотношение между Сэоварь терминов Зяг напряжением на стоке и напряжением на затворе этого транзистора. В них число электронов в квантовой точке определяется только напряжением на затворе и емкостями затвора и туннельных барьеров. При устойчивом состоянии транзистора вследствие кулоновской блокады ток через него не течет. куперовская пара (Соорег ра)г) — пара, образованная двумя электронами с противоположной ориентацией спинов.