Борисенко В.Е. - Наноэлектроника (Теория и практика) (1051247), страница 71
Текст из файла (страница 71)
Букминстера Фуллера, который сконструировал аналогичный по структуре купол павильона для всемирной выставки в Монреале в 1967 г. 1998 (физика): Р. Б. Лафлин (Стэнфордский университет, США), Х. Л. Стормер (Колумбийский университет, Нью-йорк, США) и Д. Ч. Цуи (Принстонский университет, США) — за открытие новой формы квантовой жидкости с частично заряженными возбуждениями. В 1982 г.
Цуи, Стормер и А. Госсард представили результаты углубленного исследования квантового эффекта Холла в инверсионных материалах сверхвысокой чистоты'ае. Было обнаружено, что плато на зависимости холловского сопротивления от магнитного поля появляются не только для заполнения орбит одним, двумя, тремя и т. д. электронными зарядами, но и для дробных зарядов. пе Л Ы Вег(ноег, К А. Мйлег, Рот(ые Ы8Ь-Т, зорегсопдпсг!здгу (п гве Ва-(я — Сп-О зуагет, к. Рьуз.
В 64(2), 189 — 193 (1986). Н. И( Ягого, Я. Я Сиг), Я. Е. Етадеу, Л Я. Неаи, С-60 Ьпс(гттагег(одегепе, магоге 318(6042), 162-163 (1985). Р. С. Тзи(, Н. Е. З~гаетег, А. С. Г)оззаег(, Тяго-гвтепяопа! птапегогтпзроп (п гье ехггете чоаппоп Иппг, РЬуа. Век (лгг. 48(22), 1559-1562 (1982). Прилоиеиия Такое повеление электронной системы получило обаяснение в рамках модели новой формы квантовой жидкости, в которой движение независимых электронов заменено возбуждением многочастичной системы, ведущей себя как система с дробным зарядом. В 1983 г. Р. Лафлин разработал теорию квантовой жидкости с частично заряженными возбужденными состояниями'в'. 1998 (химия): В. Кон (Калифорнийский университет, Санта-Барбара, США) — за создание теории функционала плотности, Дж.
А. Поил (Северо-западный университет, Эванстон, Иллинойс, США) — за развитие вычислительных методов в квантовой химии. В 1964 — 1965 гг. Кон разработал теорию электронных состояний'в', которая применима как для отдельных атомов, так и для молекул в твердых телах. Он предложил методы учета квантового обменного взаимодействия, с помощью которых были преодолены ограничения в объективности электронных расчетов для твердых тел. В 1950 — 1960 гг.
Полл вместе со своими сотрудниками разработал компьютерные программы для моделирования электронных свойств веществ на основе квантовой теории н функционала плотности'" 2000 (физика): Ж. И. Алферов (Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе, Санкт Петербург, Россия) и Г. Кремер (Калифорнийский университет, Санта-Барбара, США) — за разработку полупроводниковых гетероструктур для высокоскоростной электроники и оптоэлектроники, Дж.
С. Килби (компания Техаз 1пв(гшпеп(8, Даллас, США) — за вклад в изобретение интегральной схемы. В 1960-х гг. Алферов со своими сотрудниками и независимо от них Кремер разработали новые слоистые структуры для приборов ж В. Хаааа)ги, Апоша)оив Чиапгшп На!1 е1Гесв: ап (псошргея!Ые Чиапгшп Вим п(гЬ Васнопаау сьагаед ехспапопв, РЬув.
Кеч. Г.ея. 50(! 8), ! 395-1398 (1983). Р. Но)гепьега, Иг. )Гоьи, 1пьопгоаепеоив е)ес1гоп аав, РЬув. Кеч. 136(ЗВ), В864-В87! (!964) апп и". коьи, в. х Ягат, 0иапгшп депе!гу оющапопв!п ап швопюаепеош е!ее!гоп аав, РЬув. Кеч. 137(6А), А! 697 — А1705 (! 965); Иг. Коьп, Х. Х Ягат, ве!Г-сопявгепг еяиавюпв )ис!ид(паехсЬапае апд сопе)аг!оп е1геся, РЬув. Кеч. 140(4А), А!133-А!138(1965). " Х А. Рор1е, Л.
К. Невьег, Яе1Г-сопл!вгепг огЬЬа!в Гог хагвса!в, 3. СЬепг. РЬув. 22(3) 571-572 (!954); Иг. Х Неьге, ж Е Яеяагс Х А. Рор(е, ве1Г-сопяяепг пю!еси1аг-огЫга! шеИюов. 1. (Уяе оГ баия!аи ехрапяопв оГ в1агег-гуре агою(с огЬЬа1в, 3. СЬегп. РЬув. 51(6), 2657-2664 (1969); 2). Х Невке, Иг. А. баглаи, М. 2). Нечггоп, Я. Г)(гсЬГ)е(гг, Х А. Рор(е, СА()88!Ам-70, Ргоашш шппЬег 236, 0СРЕ (!пав!апа 1)пгчегвиу, В!оопипавоп, !пав)апа, 1970). Нобелевские лау соты: краткая история познания канани а микроэлектроники и оптоэлектроники, получившие название «полупроводниковые гетероструктуры»!ьг. Это ознаменовало существенный прогресс в физике и технологии полупроводников Аи'ВУ, который обеспечил создание уникальных твердотельных лазеров, детекторов излучения, светодиодов. В конце 1950-х гг.
Килби предложил и впервые реализовал концепцию интегрирования электронных компонентов в одном полупроводниковом кристалле'е'. Он изобрел целый ряд интегральных схем, на которые получил более бО патентов только в США. Благодаря его изобретениям микроэлектроника стала основой информационных технологий в ХХ веке. 2003 (физика): А.
А. Абрикосов (Арагонская национальная лаборатория, США), В. Л. Гинзбург (Физический институт им. П. Н. Лебедева, Москва, Россия) и А. Дж. Леггетт (Иллинойский университет в Урбана-Шампейн, США) — за пионерский вклад в теорию сверхпроводимости и сверхтекучести. Абрикосов предложил теоретическое объяснение явления сверхпроводимости в так называемых сверхпроводниках типа П— т.
е. в материалах, обладающих одновременно сверхпроводящими и магнитными свойствами'ье, в отличие от сверхпроводников типа 1, у которых в сверхпроводящем состоянии магнитное поле вытесняется за пределы изготовленного из них образца. Специфическое расположение линий магнитного поля в сверхпроводниках типа!1 получили название «вихри Абрикосова», В основу своей теории он 'ы Ж Н. Аефвров, Р.
Ф. Казаринов, Авторское свидетельство на изобретение по181737 (1963); Ж и. Алферов, О возможности создания выпрямителя на сверхвысокие плотности тока на основе р-1-и (р-и-и+, и-р-р+)-структуры с гетеропереходами, ФТП 1(3), 436-438 (1967); В. М. Андреев и др., Исследование влияния параметров гетероструктур в системе А1Аз-ОаАз на пороговый ток лазеров и получение непрерывного режима генерации при комнатной температуре,ФТП 4(9), 1826-!829(!970). кв х ж кльу, аепцсопбвсгог зо1ы с!сшы е1ес!гоп!сз 32, 110 (1959); х я.
кльу, !птепг(оп ог гйе )пгеагагеб с(гсшн, 1еее тгапз. е!ее!гоп. Оет. 23(7), 648-654 (1976). 'и А. А. Абрикосов, Влияние размера на критическое поле в сверхпроводниках типа П, Доклады Академии Наук СССР 86(3), 489-492 (1952); А. А. Абрикосов, О магнитных свойствах сверхпроводников второй группы, ЖЭТФ 32(6), 1442-! 452 (1957). Приложения 344 положил представления, развитые в работах Гинзбурга'" и других исследователей для сверхпроводников типа 1. Хотя теоретические представления и Абрикосова, и Гинзбурга были сформулированы в 1950-х гг., они оказали существенное влияние на создание, исследование и использование новых материалов, обладающих сверхпроводяшими свойствами при повышенных температурах и в сильных магнитных полях, активно развернувшихся в 1970-х гг.
и расширившихся позже. Заслуги Леггетта состоят в его вкладе в развитие теории сверхтекучести жидкого гелия. Он показал, что атомы изотопа гелия 'Не образуют пары по подобию куперовских пар электронов в сверх- проводниках'е'. Эти пары и обеспечивают определенный порядок расположения атомов гелия, приводящий к его сверхтекучести.
2007 (физика): А. Ферт (Университет Париж-Юг, Орсей, Франция) и Н. Грюнберг (Исследовательский центр Юлих, Германия) — за открытие гигантского магнитосопротивления. В 1988 г. научные группы Ферта'вт и Грюнберга"е независимо друг от друга открыли новый физический эффект — гигантское магнитосопротивление. Его сущность состоит в значительном различии сопротивления тонкопленочной структуры, состоящей из чередующихся слоев нанометровой толщины магнитного и немагнитного материала, при однонаправленной и противоположно направленной намагниченности слоев магнитного материала.
На этом эффекте разработаны и выпускаются в промышленных масштабах высокочувствительные магнитные головки, интегральные ячейки памяти и другие современные устройства получения, хранения и обработки информации. 2010 (физика): А. Гейм и К. С. Новоселов (университет Манчестера, Великобритания) — за эксперименты с двумерным материалом — графеном. В. Л. Гинзбург, Л. Д. Ландау, К теории сверхпроводимости, ЖЭТФ 20(12), 1064-!082 (!950); В. Л.
Гинзбург, УФН 48(!), 25-! 18 (!952); В. Л. Гинзбург, К теории сверхпроводимости, ЖЭТФ 29(6), 748-761 (1955). мт А. г. 2гбвггг, 1пгегргегацоп о( гесепг гевп!ь оп не' ье!огч 3 гпк: А печг )гяиы рьаве? РЬУз. Веч. )еп. 29(18), 1227-1230 (! 972); А. Л Егбвггг, А Феогег!са) г)евспРггоп о( ГЬе пегч рьавев о(!19п!б 'Не, Кеч. Мог). РЬув. 47(2), 331-414 (1975).
ьг. )у. Вагьгсь ег а!., с!апг гпавпегогеяяапсе ог(001)ре/(00!)сг пгавпег!с впрег!ап!сев, Рьув. Кеч. ).еп. 61(21), 2472-2475 (! 988). Сг. Вгназсь, Р. 6нгпбггв, Д ЯаиггнЬасЬ, Иг. Хтн, Епьапсед гпавпегогеяяапсе!п 1ауегеб гоавпецс вгпгсгогев и)Ф апптеггогпавпецс!пгег)ауег ехсьапве, Рьув. Кеч. В 39(7), 4828-4830 (1989). Нобелевские лау ваток краткая истО ия познания наноиира Группе исследователей из Манчестера (Великобритания) и Черноголовки (Россия), в которую входили Гейм и Новоселов, удалось получить образцы двумерных кристаллов углерода — графена'".
Они предложили и использовали механическое отслаивание отдельных листов графена от кристалла графита. Тонкий слой пиролитического графита помещали между липкими лентами и, разъединяя и вновь соединяя эти ленты, раз за разом отщепляли тонкие слои графита до тех пор, пока не был получен слой графена на одной из лент. Показанная принципиальная возможность получать графен, пригодный для практического исследования и использования, сделала этот материал одним из самых привлекательных для наноэлектроники. В заключении этого обзора, следует отметить, что фундаментальное понимание закономерностей явлений в наномире опирается на знания о поведении электронов и фотонов с учетом их корпускулярной и волновой природы.
Нобелевские премии, хотя и отмечают выдающиеся достижения науки и техники, не полностью отражают наиболее значимые открытия и разработки. Так, ждут соответствующего признания такие достижения, как одноэлектронное туннелирование, интерференционные эффекты в переносе носителей заряда в наноструктурах, эффект квантования проводимости, теория и практика квантовых вычислений. К. Я. Иоггге!оя ег а)., Е!есгпс ае!г) е(тес! 1п асоппсеву гмп сагьоп 01тз, зс(епсе 306, 666-669 (2004); К. Х Навозе!оя его(., Таоойтепяопа( егот(с сгузгевв Ргос. Ыаг.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
