Борисенко В.Е. - Наноэлектроника (Теория и практика) (1051247), страница 74
Текст из файла (страница 74)
Это невозможно с точки зрения классической механики, однако допустимо для квантовых частиц, для которых, как известно, характерен корпускулярно-волновой дуализм. тугоплавкпй металл — металл с температурой плавления выше 1850 'С (ХЬ, Мо, Та, чЧ, Ке, Т1, Ч, Сг, Хг, НГ, Кц, Оз, 1г). туннельного магнитосопротивления эффект (гцппейпй шаяпегогез!згапсе е!Тес!) — существенное изменение электрического сопротивления туннельной структуры с электродами из магнитных материалов при изменении направлений намагниченности магнитных электродов с параллельных на антипараллельные.
углеродпая нанотрубка (сагЬоп папошЬе) — естественная самоорганизованная наноструктура в виде трубки, состоящей из атомов углерода с замкнутыми друг на друга связями. Бывают одностенные углеродные нанотрубки (з(пя!е-ячай сагЬоп папогоЬез) и многостенные углеродные нанотрубки (ппйПпаП сагЬоп папошЬез). Ферми — Дирака распределение (Репи(-Игас йппЬцг(оп, згайзйсз) — распределение по энергиям (Е) квантовых частиц, удовлетворяющих принципу Паули (две тождественные частицы не могут одновременно находиться в одном и том же квантовом 1 состоянии): г'(Е) = , где р — химический поехр[(Е-р)~'(й Т)) +! тенциал, /с„— постоянная Больцмана, Т вЂ” абсолютная температура.
При температуре абсолютного нуля химический потенциал для электронов равен энергии Ферми Е, которая обычно и используется вместо него. Однако следует иметь в виду, что энергия Ферми является температурно-зависимым параметром. При любой ненулевой температуреЯЕг) = 0.5. Ферми длина волны (Гепш еаче1епя!Ь) Лг= 2я/йг, где йр. — волновой вектор, соответствующий энергии Ферми. ферми-жидкость (Гепп! !щиЫ) — система взаимодействующих квантовых частиц, подчиняющихся распределению Ферми — Дирака. Слова ыиерминов Ферми скорость (Гепп! те!ос!Гу) о .
= (2Е /т )'и, где Š— энергия Ферми, лл» вЂ” эффективная масса ферми-частицы. Ферми-частицы, фермионы (депп! раП!с!ез, депп(опз) — квантовые частицы, подчиняющиеся распределению Ферми — Дирака. Ферми энергия, уровень (депп! епегяу, 1ете1) — энергия наивысшего заполненного состояния в невозбужденной электронной системе при температуре абсолютного нуля. ферромагиетизм (Гепотайпе!!яп) — свойство вещества во внешнем магнитном поле приобретать намагниченность в направлении этого поля, характеризуемое: 1) высокими значениями намагниченности в слабых магнитных полях, однако достигающих насыщения при определенной напряженности внешнего магнитного поля; 2) высокой магнитной восприимчивостью, зависящей от напряженности магнитного поля н магнитной предистории образца (гистерезис); 3) остаточной и спонтанной намагниченностью. Все зги свойства исчезают выше определенной температуры — температуры Кюри — и ферромагнегики ведут себя как парамагнетики. фонон (р)зопоп) — квант колебаний кристаллической решетки.
фотолюминесцеиция (р)зого!иш!пезсепсе) — излучение света веществом при облучении его потоком фотонов. Фотолюминесценция полупроводников и диэлектриков имеет место только при облучении потоком фотонов с энергией, превышающей ширину их запрещенной зоны. фотон (р)ю!оп) — квант света с энергией Е = )ло, где Ь вЂ” постоянная Планка, ч — частота колебаний соответствующей волны. Масса покоя фотона равна нулю. фуллерен ((ц11егепе) — сфероподобная молекулярная структура, образованная углеродными атомами в форме футбольного мяча.
Может быть экзоэдральным (ехоЬел!га! бй!егепе) — образующимся при присоединении к нему примесных атомов и/или молекул, либо эндоэдральным (епг(о!лел!га1 (ц11егепе) — образующимся при внедрении в его полость примесных атомов. фуллерит ((ц!!епге) — твердотельный композиционный материал, образованный из фуллеренов. Хейсяера сплав (Нецз!ег а1!оуз) — сплав, образованный металлом, атомы которого в чистом состоянии имеют лишь частичное магнитное упорядочение, а в сплаве спины всех его атомов оказываются ориентированными в одном направлении, что обеспечивает 358 Приложения до 100% спиновой поляризации электронов на уровне Ферми. Примеры: )Ч(,МпА(, Ь(1,МпСла, Х1,Мял, Соз)Ч(йа, Со,Мха.
Холла эффект (НаБ ейесг) — возникновение поперечной разности потенциалов в проводнике при протекании вдоль него тока, когда на проводник воздействует внешнее магнитное поле, ориентированное перпендикулярно направлению протекания тока. Шоттви барьер (БсЬопку Ьагпег) — барьер на границе металла и полупроводника, для которого характерно образование обедненной подвижными носителями заряда области пространственного заряда в полупроводнике. Шрйдингера уравнение (бсЬпмИпяег ейцапоп) — фундаментальное волновое уравнение движения в квантовой механике. Для квантовой частицы массой т, движущейся в потенциальном поле Р(г), оно имеет вид: )и ' = — и'Ч'(г,г)+~'(г)Ч'(г,г), где дЧ'(г,г) й' дг 2ле 2 д' д' д' т ' = + — + —; 1 — мнимая единица; й — редуцированная длл ду 2 постоянная Планка; Ч'(г, г) — волновая функция, представляющая квантовую частицу.
Это уравнение часто записывают с использованием гамильтонианаН= — т ' + Р'(г) ввиде (и ' =НЧ'(г,т). лл 2 дЧ'(г,г) 2т дг Для расчета энергетических состояний квантовой системы в стационарных условиях используют независящую от времени форй2 му уравнения Шредингера: — т7' ц „(т) + У(г)лр„(т) = Е„Чю „(г) или равноценное ей уравнение Нцк„(г) = Елъг„(т). Здесь Чг„(г) представляет волновую функцию квантовой частицы в энергетическом состоянии Е„, где п — целое число, называемое квантовым числом, обозначающее номер квантового состояния. экситои (ехсйоп) — электронно-дырочная пара в связанном состоянии.
электрон (е!естгоп) — стабильная отрицательно заряженная элементарная частица, имеющая массу 9,10939 10 и кг, неделимый заряд1,602177 1О пКиспин )2. Эллиота — Яфета механизм (ЕП(о1- та(е~ тесЬап(зш) — механизм изменения спина подвижных носителей заряда в полупроводниках, обусловленный спин-орбитальным рассеянием, вызванным столкновением электронов с фононами или примесями. РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА 1.
С.А. Гаврилов, А. Н. Белов. Электрохимические процессы в технологии микро- и нанозлектроники. Мз Высшее образование, 2009. 2. В. Л. Миронов. Основы сканируюшей зондовой микроскопии. Мз Техносфера, 2009. 3. Е. Е. ИЪ1Г. Опапгшп Хапое1есшппсз. Ап 1пгпн1псбоп го Е!ее!гоп!с ХапогесЬпо!ойу апд Опапгпгп Сошрпг!п8.%деу-ЧСН, %е1пЬепп, 2009. 4.
г'. Е. Вогэгенко, Х Оззгсии'. %Ьаг гэ %Ьаг гп гЬе Хапо~чог1д. Тйдгд Сошр1еге!у Кегдэед апд Еп!агйед Едй!оп. %!!еу-ЧСН, %ешЬе!ш, 2012. 5. Б. Вандуораайуау, М. Сайау. 1пггодпсйоп го Бр!я!гоп!сэ. СКС, Вгойеп Боппд Радочау, 2008. 6. В. В. Старостин. Материалы и методы нанотехнологии. 2-е изд.
М Бином. Лаборатория знаний, 2010. 7. Н. Г. Рамбиди, А. В. Березкин. Физические и химические основы на- нотехнологий Мз Физматкнига, 2008. 8. Д. И. Рызконков, В. В. Левина, Э. Л. Дзидзигури. Наноматериалы. 2-е изд. Мг Бином. Лаборатория знаний, 2010. 9. Напд1хюй ог" ХапогесЬпо!ойу.
Зесопд ед!1!оп, ед. В. Вйизйан. Брппйег Вегйп Не!де!Ьегй, 2007. 10. А. А. Щука. Наноэлектроника. 2-е изд. Под ред. А.С. Сигова. Мл Би- ном. Лаборатория знаний, 2012. 11. В. П. Драгунов, Н. Г. Неизвестный, В. А. Гридчин. Основы нано- электроники. Логос, Москва, 2006. 12. П. Н. Дьячков. Электронные свойства и применение нанотрубок. Мз Бином.
Лаборатория знаний, 2010. 13. К. Оура и др. Введение физику поверхности. Мл Наука, 2006. 14. В. Неволин. Зондовые нанотехнологии в электронике. Мл Техносфе- ра, 2005. 15. Хапае!ее!гошев апд 1пйлтпабоп Тесйпо!ойу (Адчапсед Е1есггошс Магепа!э апд Хоче! Оеч!сеэ), ед. Е В. И амк %1!еу-ЧСН, АасЬеп, Оеппапу, 2003. 16. Э.Г. Раков. Неорганические наноматериалы. Мл Бином. Лаборато- рия знаний, 2012. 17. Р. А. Андриевский. Основы наноструктурного материаловедения Возможности и проблемы. Мл Бином.
Лаборатория знаний, 2011. 18. Г. В. Эрлих. Малые объекты — большие идеи. Широкий взгляд на нанотехнологии. Мз Бином. Лаборатория знаний, 2011. 360 Реквием вялите ату а 19. Ю. И. Головин. Наномир без формул. Мг Бином. Лаборатория знаний, 2011. 20. А. А. Раскин, В. К. Прокофьева, В. М. Рощин, М. В.
Силибин. Технология материалов микро-, опто- и наноэлектроники. В 2-х частях. Мл Бином. Лаборатория знаний, 20! О. 21. Введение в процессы интегральных микро- и нанотехнологий. В 2-х томах. Под обпь ред. Ю. Н. Коркишко. Мл Бином. Лаборатория знаний, 2010-20!!.
22. С. А. Гриднев, Ю. Е. Калинин, А. В. Ситников, О. В. Стогней. Нелинейные явления в нано- и микрогетерогенных системах. Мл Бином. Лаборатория знаний, 2011. 23. Г. И. Зебрев Физические основы кремниевой нанозлектроники. Мл Бином. Лаборатория знаний, 201! . 24. Получение и исследование наноструктур. Лабораторный практикум по нанотехнологиям. Под ред.А. С. Сигова.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
