Борисенко В.Е. - Наноэлектроника (Теория и практика) (1051247), страница 73
Текст из файла (страница 73)
Результирующий спин таких пар равен нулю, и их распределение по энергиям подчиняется статистике Бозе — Эйнштейна. Кюри температура (Сппе 1ещрегащге) — температура, выше которой происходит переход вещества из ферромагнитного в пара- магнитное состояние. Ландау уровни (1апдац 1еие(з) — разрешенные энергетические состояния для электронов, движущихся перпендикулярно магнитному полю и вынужденных изменять траектории движения на круговые орбиты, следуя силе Лоренца. В этом случае электроны выполняют цнклотронное движение с угловой частотой оз, = еВ/еп, называемой циклотронной частотой, где  — индукция магнитного поля, е — заряд, а гп — масса электрона.
Это приводит к тому, что разрешенные энергетические состояния для таких электронов становятся квантованными. Ландауэра — Бюттикера формализм (Еапдапег-Вцп(лег гоппа1Вш) — приближение, в котором перенос носителей заряда в низкоразмерных структурах рассматривается с позиции прошедших и отраженных электронных волн. лазер (1азег) — аббревиатура от англ. 11яЫ ашрййсабоп Ьу а11шп!агент еш(ззюп ог" гайаг(оп. Это источник излучения оптического диапазона, в основе работы которого лежит усиление света стимулированной эмиссией излучения.
Ленгмюра-Блоджетт пленка ((лпйщп(г-В!одъем В1ш) — мономолекулярная или многослойная пленка, перенесенная с границы раздела вода/воздух (в общем случае жидкость/воздух) на твердую подложку. Леигмюра пленка ((.апягпв(г й!ш) — молекулярная пленка на границе раздела вода/воздух. маппетосопротивлеиие (шайпе1огезЫапсе) — изменение электрического сопротивления материала или структуры, обусловленное воздействием на них внешнего магнитного поля. Величина магнитосопротивления выражается как отношение оЯ/Я в про- 352 Приложения центах, где АИ вЂ” изменение сопротивления, а Яо — сопротивление при нулевом магнитном поле. мадер (гпазег) — аббревиатура от англ.
щ!сготгаге агпрййсатюп Ьу вйпш1атед ещ!зз(оп о('габ!айоп. Это источник излучения микроволнового диапазона, в основе работы которого лежит усиление излучения за счет стимулированной эмиссии. металлоорганика (госта!-огйагйсз) — органические соединения, в состав которых входят атомы металлов, образующих химические связи металл — углерод и металл — кислород — углерод, а также координационные связи между металлами и органическими молекулами. нано- (папо-) — децимальная приставка, обозначающая 10 е следующей за ней единицы измерения, сокращается — н.
Например, 1 им = 10 ~м. нанокристаллит (папосгузта!) — кристалл нанометрового размера. нанопечать (папоппрппйпа) — литографическая технология создания наноразмерных элементов интегральных микросхем методом печати. Различают чернильную нанопечать (1пк!пй) и нанопечать тиснением (егпЬ<жз!пя). наноструктура (папозтгисгиге) — ансамбль связанных атомов, имеющий, по крайней мере, в одном направлении размер от одного до сотен нанометров. нанотехнология (пало!есЬпо1ойу) — совокупность методов и средств, обеспечивающих создание контролируемым образом структур с размерами хотя бы в одном направлении менее 100 нм (1 нм = 10 е м), а также материалов и функциональных систем на их основе.
наночаспща (папорагйс1е) — частица с нанометровыми размерами (обычно от 1 до 100 нм). Может содержать от десятка до 10е атомов, связанных вместе. наноэлектроника (папое!ее!гоп(сз) — область науки и техники, занимающаяся созданием, исследованием и применением электронных приборов с нанометровыми размерами элементов, в основе функционирования которых лежат квантовые эффекты. Нееля температура (Х5е! тетрегащге) — температура, выше которой происходит переход вещества из антиферромагнитного в парамагнитное в состояние.
Используется в качестве характеристики антиферромагнетиков, родственной по смыслу температуре Кюри для ферромагнетиков. Словарь терминов 353 низкоразмернвя структура ()ое-д!шепа!опа) зггпс1пге) — структура, свойства которой по крайней мере в одном из направлений существенно отличаются от свойств составляющего ее материала, присущих ему в объемном (ЗО) состоянии. Различают двумерные (2О), одномерные (1О) и нуль-мерные (00) низкоразмерные структуры. одноэлектроиикл (япй1е-е1ес1гопкз) — область электроники, в которой исследуется и используется в устройствах электронной обработки информации явление одноэлектронного туннелирования. одноэлектронное туннелирование (з!пя(е-е(ес1гоп 1пппейпй) туннелирование электронов «поштучно», контролируемое кулоновской блокадой.
окисление (охЫа1юп) — класс химических реакций, которые протекают при присоединении к атомам исходного вещества кислорода или отнятия у них водорода, и сопровождающиеся увеличением положительной валентности (заряда) или уменьшением отрицательной валентности (заряда) ионов данного вещества. оксидирование (охЫайоп) — группа технологических методов получения оксидных пленок на поверхности материала (обычно на металлах и полупроводниках). парамагнетизм (рагмпайпейяп) — свойство вещества во внешнем магнитном псле приобретать намагниченность в направлении этого поля. При этом намагниченность пропорциональна напряженности приложенного поля.
(О 1') (О -!'! Паули спин-матрицы (Рацй зрш гпагпсез): о„=~ ~ о (!0,)'~ о,г (! 0! о, =~ ~ где ! — мнимая единица. ~0 -1~ переходный элемент, метал (1гапяйоп е!ешеп1, гпега1) — химический элемент, у которого Ы-орбиталь заполнена лишь частично. По своим электронным свойствам относятся к металлам (см. табл.). 354 Приложения Таблица. Переходные металлы позитрон (розйгоп) — античастица для электрона, имеющая такую же массу, но противоположный заряд и магнитный момент.
полупроводник (зепцсопбцсгог) — вещество с электрическим сопротивлением в диапазоне значений 1О 4+ 10з Ом см и отрицательным температурным коэффициентом сопротивления, промежуточным между проводниками и изоляторами. Энергетический зазор между валентной зоной и зоной проводимости у полупроводников не превышает 5 эВ. работа выхода (иогк бзпсг(оп) — энергия, необходимая для пере- носа электрона с уровня Ферми в вакуум.
Рашбы эффект (КазЬЬа ейес() — спин-зависимое расщепление энергетических уровней для электронов в отсутствие внешнего магнитного паля, вызванное отсутствием инверсной симметрии потенциала кристаллической решетки полупроводника. резонансное тупнелпроваиие (гезопапг гоппе1! пй) — резкое возрастание туннельного тока, протекающего через квантовый колодец (колодцы), отделенный потенциальными барьерами от инжектирующего и принимающего электродов, при совпадении уровня Ферми в инжектирующем электроде и дискретного разрешенного уровня в колодце (колодцах). реиттеиоаморфное вещество — твердое вещеспю, в котором рентгеноструктурный анализ не обнаруживает периодичности в расположении атомов. самоорганизация (зеК-огяап1хаг)оп) — упорядочение расположения взаимодействующих атомов в твердом теле, соответствующее минимуму потенциальной энергии данной атомарной системы.
самосборка (зе(Г-аззегпЬ11пя) — хемосорбция и формирование спе- цифического расположения молекул на твердой поверхности. сверхпроводимость (ацрегсопфзсйейу) — падение до нуля элек- трического сопротивления материала при его охлаждении. Это Сеоеаоь терминов ззз явление характеризуется критической температурой Т„критическим магнитным полем И„критической плотностью тока У„ ограничивающих сверху условия проявления материалами сверхпроводящих свойств.
сверхрешетка (зпрег!а!Осе) — монокристаллическая пленка из одного материала, воспроизводящая постоянную решетки моно- кристаллической подложки из другого материала. В Физической энциклопедии под редакцией академика А. М. Прохорова (Москва: Советская энциклопедия, 1988), а следом и в некоторых других изданиях, сверхрешетка определяется как «твердотельная периодическая структура, в которой на носители заряда (электроны) помимо обычного потенциала кристаллической решетки действует дополнительный, как правило одномерный, потенциал с периодом меньше длины свободного пробега электронов, но значительно больше периода основной решетки», Данное определение говорит, скорее, об электронных свойствах многопериодных сверхрешеток, нежели об их структурном устройстве, поскольку оно не дает ключа к пониманию, почему сверхрешетки бывают псевдоморфными, напряженными и релаксированными, и не охватывает случая однопериодных сверхрешеток.
сверхтекучесть (зпрег()п!бйу) — течение жидкости без трения. седнментация (зейщеп!а!!оп) — осаждение, направленное движение частиц в жидких и газообразных средах под действием сил гравитации или центробежных сил. солнтон (зо1!гоп) — волна, распространяющаяся в узком ограничивающем ее канале. сотуннелированне (со-шппе1!п8) — туннелирование подвижных носителей заряда через виртуальные состояния, возникающие в промежуточном островке вследствие квантовых флуктуаций. Различают упругое сотуннелирование — электрон туннелирует в определенное энергетическое состояние в островке и из этого же состояния уходит из него, и иеупругое сотуннелирование— электрон туннелирует в определенное энергетическое состояние в островке, а покидает островок электрон из другого энергетического состояния. спин (зр(п) — собственный угловой момент элементарной частицы, связанный с ее вращением вокруг собственной оси.
спнновый вентиль (зр)п ча!те) — тонкопленочная структура, состоящая из двух магнитных слоев, магнитный момент (намагниченность) одного из которых является устойчивым к реверсированию внешним магнитным полем, в то время как магнитный момент другого слоя при этих же условиях очень легко реверсируется.
зяь Приложения спинтроннка (зр!и!гоп!сз) — область науки и техники, занимающаяся созданием, исследованием и применением электронных приборов, в которых спин электрона наравне с его зарядом используется для обработки информации. сродство к электрону (е!ее!гоп а%п!гу) — энергия, необходимая для переноса электрона со дна зоны проводимости в вакуум. тупнелироваиие (гоппейпя) — перенос частицы через или внутрь области, ограниченной потенциальным барьером, высота которого больше полной энергии данной частицы.
![](https://s.studizba.com/z.php?f=/templates/si/i/noavatar.png&w=100&h=100&t=1"){kind=avatar}
