annot_11.03.04_te_o_2016 (1016234), страница 38
Текст из файла (страница 38)
Структура и содержание дисциплиныОбщая трудоемкость дисциплины составляет 9 зачетных единиц – 324 часов. Вструктуру дисциплины входят 48 часов лекционных и 32 часов практических занятий.Аннотация к рабочей программе дисциплины Б1.В.ДВ.4.2 «Твердотельнаяэлектроника»1. Цели и задачи преподавания дисциплины.Дисциплина «Твердотельная электроника» имеет своей целью способствоватьформированию у обучающихся общепрофессиональных (ОПК-2, 3, 6, 7) ипрофессиональных (ПК-2) компетенций в соответствии с требованиями ФГОС ВО понаправлению подготовки бакалавров 11.03.04 «Электроника и наноэлектроника» с учетомпрофиля подготовки «Твердотельная электроника».Общая целевая направленность педагогической работы состоит в формировании,развитии и закреплении у студентов знания физических основ работы полупроводниковыхприборов, их статических вольтамперных и динамических характеристик, электрическихмоделей приборов для анализа электронных схем, особенностей приборов ихарактеристик в интегральных схемах.В результате изучения дисциплины студенты должны: знать физические принципы работы и основные характеристикиполупроводниковых приборов и элементов интегральных схем, взаимосвязь конструкциии электронных процессов с внешними характеристиками приборов и полупроводниковыхструктур, уметьиспользоватьсведенияохарактеристикахипараметрахполупроводниковых при-боров и элементов интегральных схем, самостоятельно работатьс технической литературой по вопросам изучаемой дисциплины, иметь навыки измерения характеристик и представление об областяхприменения при-боров.2.
Местодисциплинывструктуреосновнойпрофессиональнойобразовательной программы (ОПОП) бакалавриата.Дисциплина «Твердотельная электроника»относится к циклу Б.1 ОПОП(вариативная часть). Рабочая программа курса ориентирована на студентов, изучавшихранее «Основы теории цепей», «Математический анализ» и «Физика». Изучается на 4курсе.3. Планируемые результаты обучения по дисциплине, соотнесенные спланируемыми результатами освоения программы специалитета (компетенциямивыпускников)В процессе изучения дисциплины формируются следующие компетенции:ОПК-2 - способность выявлять естественнонаучную сущность проблем,возникающих в ходе профессиональной деятельности, привлекать для их решениясоответствующий физико-математический аппарат;ОПК-3 - способность решать задачи анализа и расчета характеристикэлектрических цепей;ОПК-6 - способность осуществлять поиск, хранение, обработку и анализинформации из различных источников и баз данных, представлять ее в требуемомформате с использованием информационных, компьютерных и сетевых технологий;ОПК-7 - способность учитывать современные тенденции развития электроники,измерительной и вычислительной техники, информационных технологий в своейпрофессиональной деятельности;ФормируемыекомпетенцииПК-2 - способность аргументированно выбирать и реализовывать на практикеэффективную методику экспериментального исследования параметров и характеристикприборов, схем, устройств и установок электроники и наноэлектроники различногофункционального назначения;ОПК-2ОПК-3ОПК-6Планируемые результаты обучения по дисциплине (модулю), характеризующиеэтапы формирования компетенцийЗнатьУметьВладетьцели, задачи, место физикисреди других научныхдисциплин и ее влияние нанаучно-техническийпрогресс; основныепроцессы, явления, объекты,изучаемые в данном курсе;Методы и способы решениязадач анализа и расчетахарактеристикэлектрических цепейраскрывать взаимосвязь междуосновными разделами физики идругими науками;выбирать методы при изучениитого или иного явления,учитывая все их преимущества инедостаткиметодами решенияпроизводственных задачанализировать и рассчитыватьхарактеристики электрическихцепейнавыками решения задачанализа и расчетахарактеристик электрическихцепейпредставлять информацию втребуемом формате сиспользованиеминформационных,компьютерных и сетевыхтехнологийкомпьютерными и сетевымитехнологиями в объеме,необходимом для поиска,хранения, обработки и анализаинформацииспособы поиска, хранения,обработки и анализаинформации из различныхисточников и баз данныхОПК-7способы получения (WWW),хранения (носители),переработки информацииполучать с компьютеранеобходимые данные в виденеобходимом для дальнейшегоиспользованияПК-2методикиэкспериментальногоисследования параметров ихарактеристик приборов,схем, устройств и установокэлектроники инаноэлектроники различногофункциональногоназначенияаргументированно выбирать иреализовывать на практикеэффективную методикуэкспериментальногоисследования параметров ихарактеристик приборов, схем,устройств и установокэлектроники и наноэлектроникиразличного функциональногоназначенияспособностью работать синформацией в глобальныхкомпьютерных сетях;готовностью учитыватьсовременные тенденцииразвития электроники,измерительной ивычислительной техники,информационных технологийнавыками аргументированновыбирать и реализовывать напрактике эффективнуюметодику экспериментальногоисследования параметров ихарактеристик приборов, схем,устройств и установокэлектроники инаноэлектроники различногофункционального назначения4.
Межпредметные связи.Процесс изучения дисциплины направлен на формированиекомпетенций, взамосвязанных с другими дисциплинам:ОПК-2 - Алгебра и геометрия (1-2 семестры – взаимодействие);- Химия (1-2 семестры – взаимодействие);- Физика (1-3 семестры – взаимодействие);- Математический анализ (1-4 семестры – взаимодействие);следующих- Дискретная математика (3 семестр – взаимодействие);- Основы теории цепей (3-4 семестры – взаимодействие);- Методы математической физики (3-4 семестры – взаимодействие);- Квантовая механика (4 семестр – взаимодействие);- Теория вероятности (4 семестр – взаимодействие);- Материалы и элементы электронной техники (4-5 семестры – взаимодействие);- Автоматизация эксперимента (5 семестр – взаимодействие);- Физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологии (5 семестр –взаимодействие);- Квантовая и оптическая электроника (5 семестр – взаимодействие);- Статистическая физика (5 семестр – взаимодействие);- Нанотехнологии в электронике (5-6 семестры – взаимодействие);- Микросхемотехника (5-6 семестры – взаимодействие);- Физика конденсированного состояния (5-7 семестры – взаимодействие);- Технологии электронной компонентной базы (6 семестр – взаимодействие);- Физика полупроводниковых приборов (6 семестр – взаимодействие);- Фотоника (6-7 семестры – взаимодействие);- Схемотехника специализированных интегральных схем (6-7 семестры –взаимодействие);- Физика низкоразмерных структур (7 семестр – взаимодействие);- Перспективные материалы наноэлектроники (7-8 семестры – взаимодействие);- Микро- и наноситемная техника (7-8 семестры – взаимодействие);- Основы проектирования электронной компонентной базы (7-8 семестры –взаимодействие);- Перспективные технологические процессы микро- и наноэлектроники (8 семестр– взаимодействие);- Элементы и приборы наноэлектроники (8 семестр – взаимодействие).ОПК-6 - История (1 семестр – взаимодействие);- Информатика (1 семестр – взаимодействие);- Введение в специальность (1 семестр – взаимодействие);- Химия (1-2 семестры – взаимодействие);- Алгебра и геометрия (1-2 семестры – взаимодействие);- Физика (1-3 семестры – взаимодействие);- Математический анализ (1-4 семестры – взаимодействие);- Практика по получению первичных профессиональных умений и навыков, в томчисле первичных умений и навыков научно-исследовательской деятельности (2 семестр –взаимодействие);- История и методология научных исследований (2 семестр – взаимодействие);- Информационные технологии (2-3 семестры – взаимодействие);- Экономика (3 семестр – взаимодействие);- Дискретная математика (3 семестр – взаимодействие);- Методы математической физики (3-4 семестры – взаимодействие);- Основы теории цепей(3-4 семестры – взаимодействие);- Экология (4 семестр – взаимодействие);- Квантовая механика (4 семестр – взаимодействие);- Теория вероятности (4 семестр – взаимодействие);- Материалы и элементы электронной техники (4-5 семестры – взаимодействие);- Статистическая физика (5 семестр – взаимодействие);- Автоматизация эксперимента (5 семестр – взаимодействие);- Квантовая и оптическая электроника (5 семестр – взаимодействие);- Физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологии (5 семестр –взаимодействие);- Нанотехнологии в электронике (5-6 семестры – взаимодействие);- Микросхемотехника (5-6 семестры – взаимодействие);- Физика конденсированного состояния (5-7 семестры – взаимодействие);- Физика полупроводниковых приборов (6 семестр – взаимодействие);- Системы автоматизированного проектирования в электронике (6-7 семестры –взаимодействие);- Фотоника (6-7 семестры – взаимодействие);- Схемотехника специализированных интегральных схем (6-7 семестры –взаимодействие);- Физика низкоразмерных структур(7 семестр – взаимодействие);- Научно-исследовательская работа(7 семестр – взаимодействие);- Перспективные материалы наноэлектроники (7-8 семестры – взаимодействие);- Микро- и наноситемная техника (7-8 семестры – взаимодействие);- Основы проектирования электронной компонентной базы (7-8 семестры –взаимодействие);- Перспективные технологические процессы микро- и наноэлектроники (8 семестр– взаимодействие);- Элементы и приборы наноэлектроники (8 семестр – взаимодействие);- Практика по получению профессиональных умений и опыта профессиональнойдеятельности (8 семестр – взаимодействие);- Преддипломная практика (8 семестр – взаимодействие);- Государственная итоговая аттестация (8 семестр – взаимодействие).ОПК-3 - Физика (1-3 семестры – взаимодействие);- Основы теории цепей (3-4 семестры – взаимодействие);- Автоматизация эксперимента (5 семестр – взаимодействие);- Микросхемотехника (5-6 семестры – взаимодействие);- Схемотехника специализированных интегральных схем (6-7 семестры –взаимодействие);ОПК-7 - Информационные технологии (2-3 семестры – взаимодействие);- Основы теории цепей(3-4 семестры – взаимодействие);- Материалы и элементы электронной техники (4-5 семестры – взаимодействие);- Квантовая и оптическая электроника (5 семестр – взаимодействие);- Автоматизация эксперимента (5 семестр – взаимодействие);- Физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологии (5 семестр –взаимодействие);- Микросхемотехника (5-6 семестры – взаимодействие);- Технологии электронной компонентной базы (6 семестр – взаимодействие);- Методы диагностики и анализа микро- и наносистем (6 семестр –взаимодействие);- Системы автоматизированного проектирования в электронике (6-7 семестры –взаимодействие);- Фотоника (6-7 семестры – взаимодействие);- Схемотехника специализированных интегральных схем (6-7 семестры –взаимодействие);- Физика низкоразмерных структур(7 семестр – взаимодействие);- Научно-исследовательская работа(7 семестр – взаимодействие);- Перспективные материалы наноэлектроники (7-8 семестры – взаимодействие);- Микро- и наноситемная техника (7-8 семестры – взаимодействие);- Основы проектирования электронной компонентной базы (7-8 семестры –взаимодействие);- Перспективные технологические процессы микро- и наноэлектроники (8 семестр– взаимодействие);- Элементы и приборы наноэлектроники (8 семестр – взаимодействие);- Практика по получению профессиональных умений и опыта профессиональнойдеятельности (8 семестр – взаимодействие);- Преддипломная практика (8 семестр – взаимодействие);- Государственная итоговая аттестация (8 семестр – взаимодействие).ПК-2 - Метрология, стандартизация и сертификация (2 семестр – взаимодействие);- Основы теории цепей (3-4 семестры – взаимодействие);- Материалы и элементы электронной техники (4-5 семестры – взаимодействие);- Квантовая и оптическая электроника (5 семестр – взаимодействие);- Автоматизация эксперимента (5 семестр – взаимодействие);- Физико-химические основы процессов микро- и нанотехнологии (5 семестр –взаимодействие);- Физика полупроводниковых приборов (6 семестр – взаимодействие);- Методы диагностики и анализа микро- и наносистем (6семестр–взаимодействие);- Системы автоматизированного проектирования в электронике (6-7 семестры –взаимодействие);- Фотоника (6-7 семестры – взаимодействие);- Научно-исследовательская работа (7 семестр – взаимодействие);- Перспективные материалы наноэлектроники (7-8 семестры – взаимодействие);- Перспективные технологические процессы микро- и наноэлектроники (8 семестр– взаимодействие);- Элементы и приборы наноэлектроники (8 семестр – взаимодействие);- Практика по получению профессиональных умений и опыта профессиональнойдеятельности (8 семестр – взаимодействие).5.