rpd000010848 (1008417), страница 2

Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 2)

Прикрепленные файлы: Зачет (3 семестр).doc

1. УЧЕБНО-МЕТОДИЧЕСКОЕ И ИНФОРМАЦИОННОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ

а)основная литература:

1.Степаненко И.П. Основы микроэлектроники : Учебное пособие для вузов. – 2-е изд., перераб.

и доп. – М .: Лаборатория Базовых знаний, 2004. 488 с. Захаров А.Г.

б)дополнительная литература:

1. Т. Сугано, Т. Икома, Е. Такэиси. Введение в микроэлектронику. /Пер. с япон. М.: Мир. 1988. 320 с.

2. Технология СБИС: в 2-х кн. / Пер. с англ.; Под ред. С. Зи. М.: Мир. 1986. Кн. 1, 404 с. Кн. 2, 453 с.

3. У. Тилл, Дж. Лаксон. Интегральные схемы: Материалы, приборы, изготовление /Пер. с англ. М.: Мир. 1985. 501 с.

4. Барыбин А.А., Сидоров В.Г. Физико-технологические основы электроники. СПб.: Изд–во «Лань», 2001. 272 с.

5. Захаров А.Г. Физические основы микроэлектроники. Учебное пособие. Таганрог: Из-во

ТРТУ.,1999.288с.

6. Калякин А.И.Основы электронной техники: Учеб. Пособие для вузов :Таганрог: Из-во.:ТРТУ, 2001. 160с.

в)программное обеспечение, Интернет-ресурсы, электронные библиотечные системы:

Програмное обеспечение кафедры 306.

1. МАТЕРИАЛЬНО-ТЕХНИЧЕСКОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ

Для обеспечения освоения дисциплины необходимо наличие учебной аудитории, снабженной средствами для представления презентаций лекций и проведения практических занятий.

Приложение 1
к рабочей программе дисциплины
«Физико-технические основы микроэлектроники »

Аннотация рабочей программы

Дисциплина Физико-технические основы микроэлектроники является частью Математического и естественно-научный цикл дисциплин подготовки студентов по направлению подготовки Электроэнергетика и электротехника. Дисциплина реализуется на 3 факультете «Московского авиационного института (национального исследовательского университета)» кафедрой (кафедрами) 306.

Дисциплина нацелена на формирование следующих компетенций: ПК-1 ,ПСК-1.

Содержание дисциплины охватывает круг вопросов, связанных с: основами микроэлектроники, изучением физико-технических свойств полупроводниковых материалов, изучением характеристик полупроводниковых приборов, основных режимов их работы, умением анализировать работу полупроводниковых устройств в простейших устройствах электроники, таких как выпрямительные ,усилительные и преобразовательные устройства электроники.

Преподавание дисциплины предусматривает следующие формы организации учебного процесса: Лекция, мастер-класс, Практическое занятие.

Программой дисциплины предусмотрены следующие виды контроля: промежуточная аттестация в форме Зачет (3 семестр).

Общая трудоемкость освоения дисциплины составляет 2 зачетных единиц, 72 часов. Программой дисциплины предусмотрены лекционные (16 часов), практические (18 часов), лабораторные (0 часов) занятия и (38 часов) самостоятельной работы студента.

Приложение 2
к рабочей программе дисциплины
«Физико-технические основы микроэлектроники »

Cодержание учебных занятий

1. Лекции

1.1.1. Основы зонной теории строения твердых тел, собственные, примесные полупроводники, понятие о дырках. (АЗ: 2, СРС: 2)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.1.2. Проводимость, подвижность носителей заряда, дрейфовый и диффузионный токи, время жизни. (АЗ: 2, СРС: 2)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.2.1. Электронно-дырочный переход. Вольт амперная характеристика перехода, барьерная и диффузионные емкости. (АЗ: 2, СРС: 2)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.2.2. Принцип работы биполярного транзистора. Схемы включения. Режимы работ транзисторов. (АЗ: 2, СРС: 2)

Тип лекции: Проблемная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.2.3. Структура металл-диэлектрик–полупроводник ( МДП ). Транзистор. Характеристики. Схемы включения. (АЗ: 2, СРС: 2)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.2.4. Полевые транзисторы с управляемым р-п переходом, Динисторы, тиристоры, IJBT-транзисторы. (АЗ: 2, СРС: 2)

Тип лекции: Проблемная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.3.1. Транзистор как регулятор мощности. Работа транзисторов в аналоговых режимах. Операционный усилитель. (АЗ: 2, СРС: 2)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1.3.2. Работа транзисторов в импульсных режимах. Составляющие потерь транзисторов в режиме переключения. Энергетические соотношения в импульсных устройствах. (АЗ: 2, СРС: 2)

Тип лекции: Информационная лекция

Форма организации: Лекция, мастер-класс

1. Практические занятия

1.1.1. Энергетические зонные диаграммы собственных и примесных полупроводниковых материалов, уровень Ферми, дырочная и электронная проводимости. (АЗ: 2, СРС: 2)

Форма организации: Практическое занятие

1.1.2. Р-П переход при обратном и прямом включении. ВА- характеристики различных материалов, .влияние температуры. Выпрямительный диод, стабилитрон. (АЗ: 2, СРС: 2)

Форма организации: Практическое занятие

1.2.1. Способы определения решения простейших нелинейных цепей. Графо-аналитический метод. Выпрямительный режим работы диода. (АЗ: 2, СРС: 2)

Форма организации: Практическое занятие

1.2.2. Характеристики биполярных транзисторов в схемах с общим эмиттером, базой , коллектором. Режимы работы транзисторов. (АЗ: 4, СРС: 2)

Форма организации: Практическое занятие

1.2.3. Характеристик полевых транзисторов в различных схемах включении. Принципиальные отличия полевых транзисторов от биполярных. (АЗ: 4, СРС: 2)

Форма организации: Практическое занятие

1.3.1. Работа транзистора как регулируемого сопротивления--аналоговый режим и как ключевого элемента-импульсный режим. (АЗ: 4, СРС: 2)

Форма организации: Практическое занятие

1. Лабораторные работы

1. Типовые задания

1.1.1. Вольт амперные характеристики кремниевых, германиевых диодов, диодов Шоттки при нормальной и повышенной температуре.(СРС: 2)

Тип: Домашнее задание

1.2.1. Схема замещения диода и стабилитрона. Определение к.п.д. схемы с выпрямительным диодом и резистивной нагрузкой.(СРС: 2)

Тип: Домашнее задание

1.2.2. Определение режимов работы при заданных входных и выходных напряжениях ,сопротивлении нагрузки и базы.(СРС: 2)

Тип: Домашнее задание

1.2.3. Принципиальные отличия от биполярных транзисторов. Схемы включения с общим истоком, общим затвором и общим стоком.(СРС: 2)

Тип: Домашнее задание

1.3.1. Анализ усилителя в классе А. Энергетические соотношения. Импульсная работа биполярных и полевых транзисторов.(СРС: 2)

Тип: Домашнее задание

Приложение 3
к рабочей программе дисциплины
«Физико-технические основы микроэлектроники »

Прикрепленные файлы

Зачет (3 семестр).doc

Промежуточная аттестация №1

Зачет

Семестр:

Вид контроля:

Вопросы:

1. Что такое зонная диаграмма вещества?

2. Нарисовать зонные диаграммы проводников, полупроводников и диэлектриков.

3. Что такое зона проводимости?

4. Что такое валентная зона?

5. Что такое запрещення зона?

6. Чем отличаются зонные диаграммы кремния и германия?

7. Что такое уровень Ферми?

8. Что такое собственный полупроводник?

9. Что такое «дырка»?

10. Какие электрические заряды присутствуют в поупроводниках?

11. Что такое примесный полупроводник?

12. Что такое полупроводник п или р–типа?

13. Нарисовать зонные диаграммы полупроводников п и р–типа?

14. Виды токов в полупроводниках?

15. Что такое дрейфовый ток?

16. Что такое диффузионный ток?

17. Что такое р-п переход?

18. Свойства и характеристика p-n перехода.

19. Связь характеристик с зонными диаграммами.

20. Полупроводниковые диоды. Выпрямительные диоды.

21. Выписать основные данные диодов 2Д 213,Д 226 А, Д 223 А. Чем вызвано одинаковое прямое напряжение, несмотря на существенное отличие прямого тока?

22. Диод как нелинейный элемент. Графо-аналитический метод определения режимов работы диода.

23. Переход металл-полупроводник.

24. Диоды Шотки. Отличие от диодов на основе р-п перехода.

25. Определение параметров диодов по ВАХ.

26. Транзисторы. Что общего у всех типов транзисторов?

27. Что такое биполярный транзистор? Структура, основные характеристики.

28. Основные схемы включения биполярных транзисторов.

29. Полевые транзисторы. Разновидности полевых транзисторов.

30. Статические характеристики полевых транзисторов.

31. МДП транзисторы: структура, характеристики.

32. Особенности работы транзисторов в усилительном режиме.

33. Понятие рабочей точки.

34. Построение нагрузочной прямой по постоянному и переменному токам.

35. Усилитель в режиме класса А.

36. Усилители в режиме классов В и С.

37. Свойства транзисторов в импульсном режиме.

38. Транзистор как ключевое устройство.

39. Состояние транзисторных ключей.

40. Процесс переключения транзисторов.

41. Потери в транзисторных устройствах, работающих в линейном и импульсных режимах.

42. Усилители в режиме класса Д.

43. Силовые транзисторные ключи.

44. Операционные усилители. Классификация. Основные параметры. Частотные свойства. Основы расчета схем с типовым включением операционного усилителя.

Версия: AAAAAAUGs1g Код: 000010848

Характеристики

Список файлов учебной работы