Основные реакции, необходимые для осаждения диэлектрических и поликремниевых пленок
2020-06-032021-03-09zzyxelСтудИзба
Основные реакции, необходимые для осаждения диэлектрических и поликремниевых пленок
Материал пленки | Реагенты | Температура осаждения, °C |
Двуокись кремния | SiH4+ CO2+ H2 SiCl2H2+ N2O SiH4+ N2O SiH4+ NO Si(OC2H5)4 Рекомендуемые материалыFREE Маран Программная инженерия Техническое задание Курсовой проект по деталям машин под ключ в бауманке -18% Курсовой проект по деталям машин под ключ SiH4+ O2 | 850-950 850-950 750-850 650-750 650-750 400-450 |
Нитрид кремния | SiH4 + NH3 | 700 - 900 |
Плазмохимический | SiH4 + NH3 | 250 - 350 |
"2. Библиографическая информация" - тут тоже много полезного для Вас. Плазмохимическая двуокись кремния | SiH4 + N2O | 200 - 350 |
Поликремний | SiH4 | 600 - 650 |