Ответы к заданиям: Силовая электроника

Тест СИНЕРГИЯ, МОИ, МТИ, МАП

Силовая электроника.ти

Вопросы:

Биполярный транзистор с изолированным затвором IGBT сочетает особенности

Быстродействие IGBT транзистора

В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем частота задающего генератора (ЗГ)

В инверсном режиме работы силового биполярного транзистора p-n-p-типа переходы смещаются

В МОП-транзисторе управляющее напряжение, регулирующее ширину проводящего канала, подается на

В режиме отсечки биполярный транзистор можно заменить

В силовых инверторах с GTO ключами и двигательной нагрузкой энергия, запасаемая в паразитных и ограничивающих анодных индуктивностях,

В силовых приборах на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью

В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией частота на выходе задающего генератора (ЗГ)

В структуре биполярного транзистора крайний слой, принимающий заряды, называется

В структурной схеме, реализующей вертикальный способ управления, содержится

В схеме ФИУ комплементарные транзисторы используют в основном для

Величина заряда обратного восстановления силового диода

Входной ток оптронов в импульсном режиме составляет

Входной ток оптронов в статическом режиме составляет

Диоды общего назначения на основе p-n-перехода характеризуются

Для ограничения напряжения на затворе полевого транзистора параллельно выходному узлу драйвера включают

Для систем питания двигателей постоянного тока от сети переменного тока эффективно используют

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом температуры окружающей среды

Достоинства БСИТ по сравнению с СИТ

Если при работе запираемых тиристоров скорость нарастания тока di/dt превышает предельно установленный уровень, то

Идеальный диод переходит в замкнутое состояние, если

К аппаратам высокого напряжения, предназначенным для компенсации реактивной мощности, относятся

К недостаткам МОП-транзисторов относится

К недостаткам оптронной развязки в ФИУ не относится

К новым типам комбинированных транзисторов относятся

К основным достоинствам однотактных схем импульсных преобразователей относятся

К основным проблемам прямого управления силовым полевым транзистором в импульсных источниках питания относятся

К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором не относятся

К основным статическим параметрам полевых транзисторов с изолированным затвором относятся:

К предельно допустимым параметрам силового диода относится

К проблемам использования трансформаторных ФИУ для управления силовыми ключами с изолированным затвором не относятся

К функциям системы управления силовым электронным устройством относятся

Какая из схем включения полевого транзистора позволяет получить значительные коэффициенты усиления по току, напряжению и мощности одновременно

Какие из нижеперечисленных систем не относятся к дискретным системам

Какие полевые транзисторы не входят в общую группу по принципу действия

Какие силовые приборы не относятся к основным группам «разумных» преобразовательных приборов

Каких силовых МОП-транзисторов с изолированным затвором не существует

Какое импульсное обратное напряжение имеет силовой диод 6-го класса

Конструктивно симистор представляет собой

Коэффициент насыщения биполярного транзистора прямо пропорционален

Коэффициент передачи тока в транзисторе Дарлингтона равен

Многоканальная система управления 3-х фазным выпрямителем содержит

Мощность потерь обратного восстановления силового диода равна

Мощные МДП-транзисторы и высокочастотные биполярные транзисторы с изолированным затвором IGBT применяются в

Мощные полевые транзисторы (MOSFET) не применяются в

Наиболее важными методами защиты от токовой перегрузки не являются

Не существует вида модуляции со следующими временными параметрами

Нуль-орган не может быть выполнен на базе:

Ограничением применения биполярных транзисторов в синхронных выпрямителях является условие: максимально допустимое обратное напряжение эмиттерного перехода должно быть

Оптотиристор – это

Основными видами перегрузок по напряжению не являются

Особенностью МОП-транзисторов является

Отсутствие неосновных носителей в диоде Шоттки не обеспечивает

Передаточной характеристикой IGBT транзистора называется зависимость тока коллектора от напряжения между

Плоскостные диоды

Полевой транзистор в линейном режиме используется как

Полевые транзисторы нельзя включать по схеме

Предельная частота управления силовым ключом полевого транзистора

При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имеющих вертикальный канал, образуется паразитный

При переходе в закрытое состояние мощность потерь в силовом диоде

При подаче обратного напряжения смещения сопротивление идеального диода

При подаче прямого напряжения смещения сопротивление идеального диода

При фазоимпульсном способе управления напряжение с анода тиристора поступает

Принципы построения систем управления преобразовательными устройствами не зависят от

Сигналы управления, поступающие на вход блока обработки информации (БОИ), могут

Силовой диод содержит

Силовой униполярный транзистор – это полупроводниковый

Статический индукционный транзистор по сравнению с полевым транзистором с изолированным затвором имеет

Статический индукционный транзистор СИТ может работать при

Структура IGBT транзистора отличается от структуры DМОП-транзистора

Схема замещения реального силового диода при низкой частоте не содержит

Сходство характеристик БТИЗ и ПТИЗ в области безопасной работы

Ток стока IGBT транзистора

Фазосдвигающие устройства (ФСУ) не строятся на базе

Форсированный вывод биполярного транзистора электронного ключа из режима насыщения осуществляется

Фототиристор – это фотоэлектронный прибор

Электрический пробой силового диода возникает, когда

Электронный аппарат – это электротехническое устройство управления потоками

IGBT транзистор не находит применение в области

SIT транзисторы производятся с каналами

Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется зависимость тока коллектора от напряжения между

К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором относятся

При одинаковой технологии изготовления DМОП-транзисторы по сравнению с VМОП–транзисторами имеют

В одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем на входы схем совпадения (СС) поступают импульсы с выходов

В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП - транзисторах, могут возникнуть следующие отказы

Основные преимущества IGBT по сравнению с полевыми транзисторами

Динамическими параметрами силового диода являются

К аппаратам высокого напряжения, служащим для отключения цепи от тока при ремонте электрооборудования, относятся

При использовании частотно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

Для исключения выхода из строя тиристорного ключа к запираемому тиристору GTO

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим отсечки

Транзистор - это

*полупроводниковый частично управляемый прибор

Силовым диодом называется

При отсутствии напряжений на электродах полевого транзистора сопротивление сток – исток

Главным достижением развития современных силовых ключей является

Управляющий параметр N, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от

В структурной схеме контроля режима токовой перегрузки по выходному напряжению ключа к функциям триггера не относится

Граничное условие перехода биполярного транзистора p-n-p-типа из активного режима в режим насыщения

Система управления электронными ключами не предназначена для

Для снижения влияния помех на информационные каналы сигналов силовых ключей выполняют

Эффективным техническим решением является использование в выпрямительных схемах ключевых транзисторов с

Для реализации идеального управляющего импульса необходимо

В транзисторе IGBT сочетается

Для построения систем управления двигателями переменного тока наиболее перспективными являются

Начальный прирост тока в схеме тиристорного ключа с насыщающимся дросселем

Основным преимуществом тиристора GCT по сравнению с тиристором GTO является его

К основным требованиям, предъявляемым к управлению ПТИЗ и БТИЗ, относятся

Устройством силовой техники, преобразующим постоянное напряжение в переменное, является

К вариантам выключения силового биполярного транзистора не относится

Система стабилизации выходного напряжения импульсного преобразователя постоянного тока содержит

Преобразователи частоты непосредственного типа содержат в каждой фазе вентильные группы, работающие

Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение одной частоты в переменное напряжение другой постоянной, является

Многоканальная систеам управления 3-х фазным выпрямителем содержит

Пульсность выпрямителя

Область применения биполярных и МОП-транзисторов

Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с коммутационными процессами, используют

Время восстановления обратного сопротивления для диодов общего назначения достигает:

Для изготовления высоковольтных DМОП — транзисторов с n-каналом используются

Качество МДП — структуры тем выше, чем

При изготовлении полевых транзисторов с изолированным затвором, имею¬щих вертикальный канал, образуется паразитный

В мостовых схемах, построенных на быстрых МДП — транзисторах, могут возникнуть следующие отказы

Особенностью силовых МОП -транзисторов является

Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе включения ключа (в импульсе), называются

Преобразователи, в которых передача аккумулированной энергии в нагрузку выполняется на этапе выключения ключа (в паузе), называются

Силовой биполярный транзистор в точке отсечки находится в

Для мостовых схем используют защитные RCD-цепи, в которых резисторы подключаются

Для включения тиристора SCR необходимо

К основным статистическим параметрам силовых биполярных транзисторов относятся

Перегрузки по напряжению от коммутационных процессов не связаны с эффектами

Устройством силовой техники, преобразующим переменное напряжение в постоянное, является

К основным преимуществам полевых транзисторов относятся:

К аппаратам низкого напряжения не относятся

При включении тиристора допустимая скорость нарастания анодного тока должна находиться в пределах

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом частоты

Основными недостатками ФИУ, построенных на базе частотно-широтно-импульсной модуляции, являются

По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самое высокое обратное напряжение выдерживает

При расчете защитных цепей тиристорных ключей по сравнению с транзисторными ключами не учитывают следующие особенности

Эквивалентная крутизна передаточной характеристики БТИЗ

В системах управления электродвигателями особенностью нагрузки не является

Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 100 Гц

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) не применяются в

Транзисторы Дарлингтона используют для

К параметрам силовой цепи тиристора по току не относится

В силовых униполярных транзисторах регулирование тока производится с помощью

К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе выключения относятся

В системы управления трехфазно-однофазного преобразователем частоты с непосредственной связью содержатся

Для выключения определенных типов GTO в режиме перегрузки по току не используют

К параметрам силовой цепи тиристора по напряжению относятся

Транзистор – это

В основе биполярного транзистора лежит

В структуре биполярного транзистора крайний слой, являющийся источником носителей зарядов, называется

В каком режиме может находиться биполярный транзистор в зависимости от полярности приложенного к переходам напряжения

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в активный режим необходимо сместить переходы

В активном режиме биполярного транзистора большая часть неосновных носителей, перешедших из эмиттера в базу, достигает коллекторного p-n-перехода благодаря

В активном режиме работы биполярного транзистора

В активном нормальном режиме силовой биполярный транзистор для малых приращений тока базы можно заменить

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим насыщения необходимо сместить переходы

Для перехода биполярного транзистора p-n-p-типа в режим отсечки необходимо сместить переходы

В режиме насыщения биполярный транзистор можно заменить

В симметричных силовых биполярных транзисторах области коллектора и эмиттера имеют

В ключевом режиме работы силового биполярного транзистора рабочая точка может находиться в следующих положениях

В режиме отсечки силового биполярного транзистора

В ключевом режиме работы биполярного транзистора мощности потерь в точках отсечки и насыщения будут

Управляющий параметр M, влияющий на изменение траектории движения рабочей точки транзистора, не зависит от

С точки зрения обеспечения безопасной работы транзистора необходимо

Какие ключевые приборы используются в диапазоне рабочих частот от 50 до 800 кГц

Самую большую мощность рассеивания до 10 МВт имеют

Самую маленькую мощность рассеивания в диапазоне от 10 до 1000 Вт имеют

Не характерно для силовых полевых и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)

В резонансных силовых преобразователях

Повышение рабочей частоты выше резонансной обеспечивает коммутацию ключей с LC-цепью

К основным критериям, используемым при выборе типа силового ключа, не относится

Схема автономного инвертора напряжения со звеном постоянного тока (VWF-инвертор) не содержит

Величина паразитной индуктивности в мостовой схеме на базе МСТ тиристоров

Использование МСТ тиристоров требует специальных мер по

Основная функция силового диода

В режиме лавинного пробоя силового диода резко увеличивается

Для уменьшения влияния паразитных индуктивностей не рекомендуют выполнять монтаж силовой схемы с помощью

К параметрам силовых диодов не относятся

К статическим параметрам силового диода не относится

Быстровосстанавливающиеся диоды характеризуются следующими параметрами

Какой полупроводник используется при изготовлении диода Шоттки

Точечные диоды

Время восстановления обратного сопротивления для быстровосстанавливающихся диодов достигает:

Какие существуют силовые униполярные транзисторы по принципу действия

Высокое входное сопротивление полевых транзисторов обусловлено тем, что регулирование значения тока осуществляется

Современные МОП-транзисторы обеспечивают коммутацию

Наибольшее применение в силовой технике получили МОП-транзисторы

К основным динамическим параметрам полевого транзистора с изолированном затвором не относятся

В качестве многоканальных полевых транзисторов с высокими пробивными напряжениями (до 300 В) применяются:

Полевой транзистор в режиме насыщения используется как

Для изготовления высоковольтных DМОП - транзисторов с n-каналом используются

Качество МДП - структуры тем выше, чем

Многослойный силовой полупроводниковый прибор содержит

К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с неполной управляемостью не относится

К силовым приборам на основе многослойных p-n-переходов с полной управляемостью относятся

На основе тиристоров с неполной управляемостью построены

Тиристоры с полной управляемостью применяются при создании

Ассиметричный (обычный) тиристор содержит

В тиристоре SCR при подаче только положительного напряжения между анодом и катодом, но с величиной меньше напряжения переключения,

К динамическим характеристикам тиристоров в переходном процессе включения не относится

Допустимый ток тиристора в относительных единицах с ростом скорости охлаждающего воздуха

Симистор – это тиристор, который может

При подаче на управляющий электрод сигнала одной полярности симисторы включаются

Запираемый тиристор GTO

В интегрированном запираемом тиристоре IGCT присутствует

Силовые комбинированные приборы могут коммутировать

В отличие от обычных тиристоров новые комбинированные приборы не имеют

Биполярный транзистор с изолированным затвором представляет собой сочетание

В структуре IGBT транзистора сочетаются две биполярные структуры

Для схемы с общим эмиттером IGBT транзистора выходной характеристикой называется

По результатам анализа основных параметров транзисторных ключей самый высокий ток коммутации обеспечивает

Высокой температурной устойчивостью не обладает

Как и МОП-транзистор СИТ транзистор

К аппаратам высокого напряжения не относятся

К аппаратам высокого напряжения, обеспечивающим отключение электрических цепей в режиме короткого замыкания, относятся

Система управления силовым электронным аппаратом, в отличие от силовой части, не обеспечивает

Блок, предназначенный для согласования уровней сигнала между выходом регулятора и непосредственными входами силовых устройств, это

Блок, обеспечивающий связь устройства с внешней средой, это

Сигналы, выходящие с выхода блока обработки информации БОИ, не содержат информации

Не существует следующего вида модуляций

Системы управления с амплитудно-импульсной модуляцией относятся к

При использовании широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

При использовании частотно-широтно-импульсной модуляции временные параметры имеют вид

К основным режимам работы формирователя импульсов управления не относятся

В разумных силовых интегральных схемах в качестве силовых ключей получили широкое распространение

Основные требования по параметрам ФИУ предъявляются к

Принципы построения ФИУ не зависят от

Для выполнения потенциальной развязки применяют ФИУ, в которых используется

Для управления электронным ключом на биполярном транзисторе не должно выполняться следующее требование

Потенциальная развязка информационного сигнала не выполняется с помощью

По методу управления биполярными транзисторами различают следующие режимы работы

Комплементарные пары транзисторов, входящие в состав ФИУ

Диодная оптронная развязка информационного сигнала в ФИУ обеспечивает

Наиболее оптимальным техническим решением выключения силового биполярного транзистора является использование схемы с

В режиме эмиттерного управления силовым ключом используют вспомогательный

В настоящее время широкое применение в качестве полностью управляемых ключей получили

Что не относится к преимуществам транзисторов ПТИЗ и БТИЗ перед биполярными транзисторами

Что не относится к основным требованиям, предъявляемым к трансформаторным ФИУ

Наибольшее распространение нашли следующие способы управления вентильными преобразователями

В структурной схеме, реализующей фазоимпульсный способ управления, содержится

При вертикальном способе управления напряжение с анода тиристора поступает

Для управления многофазными выпрямителями система управления должна включать количество каналов, равное

В одноканальной системе управления 3-фазным выпрямителем частота генератора пилообразного напряжения

В асинхронной одноканальной системе управления 3-х фазным выпрямителем распределитель импульсов обеспечивает сдвиг фаз по трем каналам на величину

Чтобы регулировать частоту задающего генератора (ЗГ) асинхронная система должна

В цифровой системе управления сигнал с выхода схемы сравнения

Частота импульсов с выхода задающего генератора (ЗГ) в схеме 3-х фазного мостового инвертора напряжения

В системе управления инвертором автономного типа с 2-х ступенчатой коммутацией содержится

Коэффициент заполнения импульсов силового ключа

Для защиты от перегрузок по напряжению под воздействием питающей сети используют

Перегрузки по напряжению от характера подключенной нагрузки, как правило, определяются действием нагрузок

Для защиты от перегрузок по напряжению, связанных с характером подключенной нагрузки, используют

К основным причинам, вызывающим появление аварийных токовых перегрузок силовых ключей, не относится

В трехфазной мостовой схеме, включающей непосредственную гальваническую связь между шиной драйверов и общей шиной силовой схемы, для устранения паразитной связи не используют

Для уменьшения паразитной емкостной связи между проводниками не выполняют