0730-1-opreview (Плазменные процессы в технологии HEMT транзисторов на основе III-нитридов)

ОТЗЫВ ОФИЦИАЛЬНОГО ОППОНЕНТА на диссертационную работу Андрианова 1-1иколая Александровича "'Плазменные процессы в технологии НЕМТ транзисторов на основе 1П-ни.)ридов", представленную па соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.04 — "Физическая электроника"' Тема представ:)енпой Н.Л. Андриановым диссертационной работы актуальна, поскольку 1!ЕМТ транзисторы, использующие свойства гетероструктур на основе 111-)Г по.)упрово;)пиковых соединений, занимают важную нишу в современной полупроводниковой '):)скГРОникс В нерву!О Очерсдь В сВязи с п)згрсопостями Высокочас!О)п!Ои ')схники. Вйжнос)ь конкрс)н),)х исследований Н.А. Андрианова обусловлена тем, что в технологии пзгоговлс>)ия таких полупроводниковых приборов широко применяются методы, основ)шные на лспо.п з!)в;шии свойств плазмы, генерируемой В различных гаювых средах.

Дисссрг))ционная работа содержит введение, семь глав (включая введение), зак:почснис. и список:)итсрг)гурп))х ис >о )ников, состоягций из 218 наименован>)Й. Глава 1 ("Введение") содержит обоснование актуальности темы, цель и задачи рабо)ы. О)О)сйнпс )шучноЙ нош)зпы и Г)рактической цен»ости полу~)енных резуль)т)тов. й т)нокс к1хп кос описйппс объектов и методов исследования, используемых в работе. В этой главе содержатся >йкжс Вьщосимью на защиту научные положения, приводится обоснование достовср>юсги получсшп)х результ'))ов, описываются данные об апробации работы. Крох)е того, )лава ! содержит список публикаций автора по теме исследования, здесь отмечен его личный вклад В получс)пш результатов.

13 конце Главы дается информация о структуре и объеме дисссрт;щпи, приво;пггся краткое содержание выполненной работы. рг!'О))ая >з!йв)! НосвяГ>ьс)га анализу лиГер))гурь!. Относяшейс)! к Гсмс исс.'>с>)овйни>). >Псс! приво,>5)>ся дйнпыс О физпч!ских свойспгах 1>ядй Гб)инарн))х сх)с)п)пспиЙ Л>>>13я и т)юйно>О соединения А1Оа)). Описываются также )етероструктуры Оа)х)>Л16ВМ, которые использу)отея при изго)пилении НЕМ'1 транзисторов.

Рассмотрены основные технологические процедуры, примсшпощисся в те)п)ологии производства транзисторов, а также средства дивы)осгики свойств материалов и приборов. Ьольшое внимание уделяется обзору литературных данных. когорыс ш)свя>пены сухим (плазмсш)ым) методам обработки, примсн>пощимся В Гсхпо.>о! ии из)о>овленпя ОГ)х)>Л)ОВЬ) гстероструктур. 1'ассматриваются, в частности. Зины испольйсмых газоразрядных реакторов. В главе описан также один из методов анализа энергетического чйстиг), которые Генерирую)ся В плйзмс рейкторов. 1'лйву зйвср)пйкп Вьп)о))ы >н> результатам сделанного обзора, а также перечень конкретных задач исслс,)овйпий в рамках рйбо гы над диссертацией.

В >рс)ьсй !.'иве дается описание методик и установок. которые испо ппую>!я в )кспсримагггцп,пых исследованиях, Сюда относятся установки, которые приме)ппспся;шя прове;!спи)! Техно)югичсских оцерйций В ус))ови>)х Воздеис)ви)! )Га исс))сд)смыс Обьск)ы Гй>оразряднОЙ плазмь! В различных ГйзОВых средах. КрйткО ОписыВ))ется )ц>и)п)ип '[сйствия и конс)р) кция впал)г)азора энсрГетических спектров пОтОкОВ иОИОВ в пла:)х)с рйй)яд:!. 1'ассмотрепы методы измерения параметров исследуемых полупроводниковых с >рукт) р.

1 С'одсржапис )ксперимеиталыгых исслсдоваппй. Вьп[о)п[спш,[х в раооге, оп)югап. В Гз.п)ах 7. Они В![лк) ппог: (1) Получение информации о влиянии обработки в ВС1з плазме на харак геристики ОМИЧЕСКИХ КОНтаКтОВ ба?х?)Л?Ста?'? ??ЕМ'1 траПЗИСтОра. СООтастетауЮщИЕ ИССЛСдОВаипя солсржги изучение как изменения электрических характеристик контактов за счет обраб[ики в плазме„так и модификацию химического состава поверхности полупроводника В )тпх ус)ювиях. Орели прочего.

исследуются зависимости ряда характеристик струтггур от и!српш попов плазмы, взаимо;.[Сйству!ощих с повсрхносгью обьскгов. (") Изучение эффекта изменения напряжения поверхност~о[о пробоя гс!срг)структуры ОВХ,'Л1С)аь? за счсг обработки т.п. сг[7) (прикрываюгцего) ба?х? слоя при использовапип разряда в б! ь В одном из типов плазмо-химического рсакгора. Исследуются причгшы тако! о изменения. (3) Исследование эффектов обработки Н?3МТ траизисторш)х структур В срслс пла)мы, [спсрпрусмоЙ р ир)1;Юм В азоте. И)у~!Всгся Влпяпие такоЙ обработки па пог[вижиоси, пос) тс))сй варя,и В капа!с Грапзисзо!)а, и связапплО с )! им парах[сгром Вел)И[ив) с! О ?Х' Гока пас),а:ыппя 11риво;[я1ся даппы)." 0 заВисимос15!х исс:[ег[усмых эффект013 От ~[ас!0)ы гспср[г!Ора, ко[орая пс)~0.[ьзусгс)1 дл)! Возбу)кдсиия плазмь1.

Для различе!ых режимоВ Об!Таоопги изу'[асзся связь лгср[ сишсско[ о спектра ионов плазмы с результатами обработки структур. (4) 1'сзул!паты разработки мипиатюриого плаиарпого анализатора шаргий заряжспиых [ас)ип. Лпа!И[зазор прсдпази')чсп )[ля раооть[ 1[епосредс)вспио в п)газмс )гхполои"вх:1;й) хегаповки.

) ?Враз)егр[,! Впсо!Изатора позволяагг Опрсдсля[1, спск[ры )пер[ ий [зр)!жспп[ь. П.а)))!Ь) ОСЗ ИСПО !ЬЗОВВ)!Ия В ПЛВЗМО-ХПМИЧССКОМ рсаКЗОрс дОПОЛШГГЕЛЬПОЙ КВМСр),, КО!Г)!)а» предусматривала бы возможиос гь дифференциальной откачки. ?С основным результагам диссертации следует отнести: 11 Изучение в.п[яния плазмо-химической обработки структуры НЕМ'1" трапзистор..) и,;зга ли.ю опрс;[с:[игь оптимальные режимы этой технологической процедуры с !очки зрс)!Ия досп)жспия падле)ка!цих параметров омичсских контактов в приборе.

!) Опрс'[с:!сп рс)ким плагхюхимичсской ооработки всрхпсго (прикрываю!Ис; о) ' 'о", .. ".В сгруктуры 1?1.М ? транзистора, который привод[ге к ) Вс:шчспшо пспря;копия повсрхпос1ИО! О пр000я Л! С)В~~Р[3а[х гстеросз 1\укту ры. 3) Ус Г[пп)В. Сиа связь *[астоты возбу)кдс[!Ия разряда в )'?з — среде пл[г[мохим[1 [с[жо) о реактора, пспользукипсгося В )схполог!и!Ссьзэы процессе, с токами пасьшгзппя Н!:,М!' !р.ш!Вс!Орз. ус)[В и) В:!Спа физическая при'пи[а спл!.Во[ 0 Влияии)1 часто)ы па одпп чз чюга[ 'В)а).х ) !! 5!Мс! ро!) !!!\ИОО!За .— ток пасы!![спи5!.

4) О использованием технологических методов микроэлскгропики разраоогап ор!.гшга п,шлй пла)гарный анализатор спектра энергий заряженных частиц газоразрядиой и вазмь) реакторов и про;[емопстрироваио е! о функцдонироваиие. 1:,сть р)!5[ по[рсппп)с ГСЙ в 0[!)Орх)!си)[и текста диссср[ации, приз!ср[ и (~я;1 сокрап[спий пс [)Оь5!спец при исрВОМ упомииаиии. Это делается позже, '1ГО пре [сгавг[ясГ псу,'[))б)сгво при ч!с~ии. О)~~[с~и)ис ГсхпОЛО)'и'1сского ь)[)рп)рчта па рис.1(); ц)ггпо. В '[сх) О!.шчис 1'пс а,' 1' ' ) 3) Одни и те же даипыс показаны на двух рисупках — рис.

43 и 48. 110 с) !Дссгву оезул[ га[ов )[сслс)[овация псооход)[мо от~етить с !еду [оп[В[ !)сдосза!Ви: !. В работе отмечается, что в результате одного из режимов обработки слоев в ~пазмохимическом реакторе на поверхности полупроводника образуется пленка В„,С1>, ко«>рая имеет структуру полимера. ! акое утверждение о структуре формирующейся пленки нс представляется оооснованным. Возможно, например.

образование аморфной пленки указанного состава. 2. Комментируя результат исследования огпимизации режима обработки поверх>«>с[и (:шя одного из эффекта), утверждается, по оптимум соответствует потенциалу смсьцсния ш>~с«шкала плазмы -40 В (ссьщка на рис. 57!. Вместе с тем.

нс приводятся д>шпые щя потенциала, цревынган>п!с>т> оптимальное значение. Отмсчспшие замечания пс затрагивают основные защищаемые положения и сделанные в днсссрпщии выводы и, следовательно, не влияют на общую положительную опсшо7 вьнн>л>!с>шой лисео!>галио«пой работьь Следует отметить разнообразие технологических методов и способов исследования рсзульгатов нлазмсшюй обработки 1!ЕМТ структур, изучаемых в работе.

'!'акой подход к нсслелоншшям позволил получить достоверные эксперименгальпые результаты и сделать щюсновщшые»ыводьп которые сформулированы в основных положениях, выносимых на за>низу. Результ;пы диссертации отражены в пяти публикациях по теме днсссртаннош«>й раооты н периодических изданиях из перечня рекомендован>~ых ВЛ!4 РФ.

и и н«н> сшить >смен ической энциклопедии, а также в патенте на полезную модель. '1зо касается нау*шо-практического значения, достоверности и новизны, дисссрзапня Л1шршнн>на !1иколая Ллександровича "Плазменные пропессы в технологии 1!11М'!' транзисторов на основе 1П-нитридов" соответствует всем требованиям, прстьявлясмым к диссертациям на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук в соответствии с 11оложенисм о порядке присуждения ученых степеней, который утвержден постановлением №842 Правительства РФ от 24 сентября 2013г. Сам автор, Л>щрпанов П.Л., засл1жннаст присуждения ему ученой степени кандидата физико-матсма>пшеских наук но специальности 01.04.04 — физическая электроника.

Ос!>111!ИЛ!!!>И1>1Й О1!ПОП11РГР Доктор физико-математических наук по направлению 01.04.10 "Физика полупроводников". нсдуншй научнгяй сотрудник Федеральною ~осуларствсн1н>1 о б>«>лжет>«>~о у ~рс>к,«лш> шр ко ц>из«ко->схничсский институп им. Л.Ф. Иоффе Российской акадсмш> наук Лс гров !Орий Александрович 1Оридический адрес: 194021, Санкт-Петербург, ул. Политехническая д. 26 '1'елефон: 8-812-2927966; е-ти1: упп'.аягтокфта1!.1о!!ело ЯА Яс:.-~у~~>~:~.--- „.,л; кп:,'лов,Ф7М иМ:: '-'--"..й'Фф4, К~ с.~мк'"-~ " '~' 'фэ"-~"-„. У'.

' .