0730-1-freview (Плазменные процессы в технологии HEMT транзисторов на основе III-нитридов)

195251, Санкт-Петербург, ул, Политехническая, д. 29 Диссертационный совет Д 212.229.01 при Санкт-Петербургском политехническом университете им. Петра Великого Отзыв на автореферат диссертации Андрианова Николая Александровича «Плазменные процессы в технологии НЕМТ транзисторов на основе 111-нитридов», представленной на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (специальность 01.04.04 — физическая электроника) Диссертация Андрианова Н,А.

посвящена исследованию воздействия плазмы газового разряда на поверхностные свойства баХ в технологических процессах создания НЕМТ транзисторов на основе 111-нитрндов. Полупроводниковые приборы на основе 111-нитридов по целому ряду своих характеристик превосходит традиционные аналоги на основе кремния, арсенида галлия и карбида кремния, что вызвано уникальными физическими свойствами П1-нитридов. В технологии создания приборов на 111-нитридах важное значение имеют плазменные процессы обработки поверхности. Такие процессы, в отличие от традиционного травления. призваны модифицировать поверхностный химический состав полупроводниковых структур для улучшения эксплуатационных характеристик получаемых приборов.

Следовательно, исследования, направленные на изучение особенностей процессов, протекающих в ходе плазменного воздействия на 111-нитридные структуры, а также их оптимизация являются актуальными для изготовления современной элементной базы микроэлектроники. Работа, представленная Андриановым Н.А., интересна рядом следующих обстоятельств. 1. В работе установлен ряд оптимальных режимов плазменной обработки поверхности НЕМТ структур на основе 111-нитридов для достижения высоких эксплуатационных характеристик транзисторов на А1баМ'баХ. Показано, что при плазменной обработке ключевую роль играет энергия ионов, бомбарднрующих поверхность транзисторной структуры.

Оптимальная энергия ионов, в свою очередь, приводит к предотвращению образования полимерных пленок типа ВС1, в ходе плазменной обработки и снижению сопротивления омических контактов к А1баХ!баХ структурам за счет удаления поверхностной оксидной пленки н уменьшения поверхностного барьера для транспорта электронов. 2. Установлен режим плазмохимической обработки в емкостном газовом разряде в среде ЯГ6 поверхности верхнего «сар-слоя» баМ НЕМТ-структур на основе А!баХМаХ, который приводит к существенному увеличению напряжения поверхностного пробоя А1Оа1М/ОаХ НЕМТ структур. Показано, что увеличение напряжения поверхностного пробоя НЕМТ структур связано с уменьшением плотности поверхностных состояний за счет замещения поверхностной оксидной пленки ба,О~ на пленку типа бар,.

3. Продемонстрировано влияние частоты возбуждаемого емкостного разряда в Х на токи насыщения НЕМТ-структур. Падение токов насьпцения, связано с величиной энергии падающих на поверхность ОаХ ионов. Наиболее заметное уменьшение токов насыщения наблюдается при понижении частоты плазменного генератора. 4. Кроме того, в диссертации значительное внимание уделено разработке и созданию компактного планарного энергоанализатора для т-яш диагностики газового разряда и плазменных технологических процессов. Особенно стоит выделить, что разработанные диссертантом технологические плазменные процессы обработки поверхности успешно апробированы и внедрены в реальные технологические маршруты создания НЕМТ транзисторов на основе 1П- нитридов в АО «Светлана-рост», г, Санкт-Петербург.

На основании вышесказанного считаю, что диссертация Андрианова Н.А. удовлетворяет всем требованиям, предъявляемым ВАК к кандидатским диссертациям, а автор по своей квалификации, безусловно, заслуживает присуждения ему ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.04 — физическая электроника. Д. ф.-м. н., С.н.с, /1Орий Евгеньевич Горбачев! руководитель отдела исследований 000 «Коддан Текнолоджис» ЬПр:Оч~и ~ч.йео1пй-1есЬпо!срез,сопъ' ~~~~! 1ьоС6 ~,~~ст~ар».. Е ~-~ й~ С С~ Й ~'~'~~~ '~~~~е~'е' ,~'~ ,'"-:.-~$,"1Р с~ /,~ф~а Е.

~0иЬг уг'ь~ ~м~.айфор. гт «='~ ° ~-' ф""'-"~~'~" 'с"~~= ' /'* ~~: И, рэ'~ 2- .