Заключение совета (Электронная спектроскопия материалов и микроструктур в сканирующем электронном микроскопе)

ЗАКЛЮЧЕНИЕ ДИССЕРТАЦИОННОГО СОВЕТА Д 501.001.66 НА БАЗЕФГБОУ ВО «МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИМ.В. ЛОМОНОСОВА» ПО ДИССЕРТАЦИИ НА СОИСКАНИЕ УЧЕНОЙСТЕПЕНИ КАНДИДАТА НАУКаттестационное дело № ______________________решение диссертационного совета от 1 июня 2017 г., № 2О присуждении Купреенко Степану Юрьевичу, гражданину РФ, ученойстепени кандидата физико-математических наук.Диссертация «Электронная спектроскопия материалов и микроструктур всканирующем электронном микроскопе» по специальности 01.04.04 – физическаяэлектроникапринятакзащите23марта2017г.,протокол№1П,диссертационным советом Д 501.001.66 на базе Московского государственногоуниверситета имени М.В.Ломоносова (119991, Москва, Ленинские горы, д.1),созданным 19.10.2007, приказ № 2048-1287.Соискатель Купреенко Степан Юрьевич, 1990 года рождения, в 2013 годуокончил физический факультет Московского государственного университетаимени М.В.

Ломоносова, в 2017 году окончил аспирантуру физическогофакультета Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова,работает сервисным инженером в ООО «Нанопроимпорт».Диссертация выполнена на кафедре физической электроники физическогофакультетаФедеральногогосударственногобюджетногообразовательногоучреждения высшего образования Московский государственный университетимени М.В. Ломоносова.Научный руководитель – доктор физико-математических наук Рау ЭдуардИванович, главный научный сотрудник кафедры физической электроникифизическогофакультетаобразовательногоФедеральногоучреждениявысшегогосударственногообразованиягосударственный университет имени М.В.

Ломоносова.Официальные оппоненты:бюджетногоМосковский2Филиппов Михаил Николаевич, доктор физико-математических наук, профессор,заведующий лабораторией химического анализа Федерального государственногобюджетного учреждения науки Институт общей и неорганической химии им. Н.С.Курнакова Российской академии наук,Якимов Евгений Борисович, доктор физико-математических наук, профессор,главныйнаучныйсотрудниклабораториилокальнойдиагностикиполупроводниковых материалов Федерального государственного бюджетногоучреждениянаукиИнститутпроблемтехнологиимикроэлектроникииособочистых материалов Российской академии наукдали положительные отзывы на диссертацию.Ведущая организация Федеральное государственное бюджетное учреждениенауки Физико-технологический институт Российской академии наук (Москва) всвоем положительном заключении, подписанном старшим научным сотрудникомлаборатории микроструктурирования и субмикронных приборов, кандидатомфизико-математических наук Мяконьких А.В.

и утвержденном директором,членом-корреспондентомРАН,докторомфизико-математическихнаукЛукичёвым В.Ф. указала, что диссертация Купреенко С.Ю. представляет собойзаконченную научно-исследовательскую работу по актуальной современнойтематике. В работе получен ряд новых научных и прикладных результатов, всовокупности представляющих существенный вклад в развитие электроннозондовых технологий и методов диагностики микро- и наноструктур.

По новизнеи объёму достигнутых результатов, достоверности, научной и практическойзначимостивыводовонаудовлетворяеттребованиям,предъявляемымМинистерством образования РФ к кандидатским диссертациям, а её автор –Купреенко Степан Юрьевич является высококвалифицированным специалистом вобласти микроэлектроники и электронно-зондовой микроскопии. Купреенко С.Ю.заслуживает присуждения учёной степени кандидата физико-математическихнаук по специальности 01.04.04 – физическая электроника.Соискатель имеет 13 опубликованных работ (5 статей в журналах из перечня ВАКи 8 тезисов на российских и международных конференциях), в том числе по темедиссертации 13 работ, опубликованных в рецензируемых научных изданиях 5.3Публикации содержат новые оригинальные результаты по методикам электроннозондовой диагностики материалов и микроструктур. Вклад соискателя вподготовку публикаций является определяющим.1.

Рау Э.И., Дицман С.А., Зайцев С.В., Лермонтов Н.В., Лукьянов А.Е.,Купреенко С.Ю. Анализ формул для расчета основных характеристикотраженных электронов и сравнение с экспериментальными результатами// Известия РАН. Серия физическая. 2013. Т. 77, № 8, с. 1050-10582. Зайцев С.В., Купреенко С.Ю., Лукьянов А.Е., Рау Э.И.

Оптимизациякольцевых полупроводниковых детекторов обратно рассеянныхэлектронов в РЭМ // Известия РАН. Серия физическая. 2014. Т. 78, № 9, с.1077-10833. Зайцев С.В., Купреенко С.Ю., Рау Э.И., Татаринцев А.А. Характеристикии применения полупроводниковых детекторов отражённых электронов всканирующем электронном микроскопе // ПТЭ. 2015. № 6, с. 51-594. Купреенко С.Ю., Орликовский Н.А., Рау Э.И., Тагаченков А.М.,Татаринцев А.А. Определение толщин ультратонких поверхностныхплёнок в наноструктурах по энергетическим спектрам отражённыхэлектронов // ЖТФ. 2015. Т. 85, № 10, с. 101-1045.

Зайцев С.В., Купреенко С.Ю., Лукьянов А.Е., Рау Э.И., Татаринцев А.А.,Хайдаров А.А. Новые возможности и некоторые артефакты режимакатодолюминесценции в сканирующей электронной микроскопии //Известия РАН. Серия физическая. 2016. Т. 8, № 12, с. 1623-1628На диссертацию и автореферат поступили отзывы:1. Дюков В.Г., д.ф.-м.н., доц., г.н.с. НП «Лаборатория анализа микрочастиц».Без замечаний.2. Афанасьев В.П., д.ф.-м.н., проф. каф. Общей физики и ядерного синтезаНИУ МЭИ. Без замечаний3. Боргардт Н.И., зав. каф.

общей физики НИУ МИЭТ. Замечания: «Хотя вавтореферате говорится об использовании большого числа вычислений иэкспериментов для получения полуэмпирической формулы для расчёта4коэффициента отражения от плёнок заданной толщины, однако остаётсянеясным, каким образом определялись входящие в неё парметры, дляобразцов скольких элементов выполнялось сравнение расчётных иэкспериментальныхвычислятьданных,коэффициентрасположенныхнапозволяютотраженияповерхностилиотполученныевыраженияметаллическихактуальныхдляплёнок,микроэлектроникикремниевых подложек.»Все отзывы положительные.

Указывается, что сделанные замечания не снижаютзначимости полученных в диссертации результатов и не влияют общуюположительную оценку работы.Выбор официальных оппонентов и ведущей организации обосновывается тем, чтооппоненты являются специалистами в области сканирующей электронноймикроскопии и электронно-зондовой диагностики, имеют публикации поуказаннойтематике,достижениямиваведущаяобластиорганизациясканирующейширокоэлектроннойизвестнасвоимимикроскопииивзаимодействия заряженных частиц с твёрдым телом.Диссертационный совет отмечает, что на основании выполненныхсоискателем исследований:1.

Получено новое полуэмпирическое выражение энергетических спектровобратнорассеянных электронов, хорошо коррелирующее с экспериментальнымиданными для массивных мишеней из элементов с различными порядковыминомерами Z (алюминий, медь, золото) при энергиях первичного пучка E0 ≥ 10 кэВ.2. Предложенановаяконфигурациякольцевыхполупроводниковыхдетекторов отражённых электронов в сканирующем электронном микроскопе спеременным углом наклона и различной шириной кольцевых полосок детектора внесколько раз повышающая их эффективность (в 4 раза при угле детектированияθ = 60° и в 8.5 раз при θ = 70°).

Разработана новая модель трёхмернойреконструкциитопографическогорельефаповерхностимикроструктурвсканирующем электронном микроскопе с помощью сигналов отфильтрованныхпо энергии вторичных или отраженных электронов.53. Усовершенствованы электронно-зондовые методы определения толщинлокальных ультратонких плёнок на гладких массивных подложках придетектировании либо интегральных, либо дифференциальных (по спектрам)сигналов отраженных электронов на основе предложенных соотношений и сучетом аппаратной функции отклика детекторов. Пределы применимости,чувствительность в определении толщин, погрешности измерений зависят отсоотношения порядковых номеров Z материалов плёнки и подложки и от энергиипервичного пучка E0.

Погрешности предложенных методов, как правило, лежат вдиапазоне от 5 до 30 %.4. Разработаны два новых метода оценки поверхностных высоковольтныхпотенциалов заряженных диэлектриков, основанных на измерении сигналовкатодолюминесценции и средней энергии эмитированных электронов.5. Предложен новый сценарий зарядки диэлектрических мишеней приэлектронном облучении на основе впервые обнаруженного нового эффектаповышения коэффициента эмитированных электронов за счет ускоренных вдвухслойном зарядовом поле термализованных первичных электронов – ”псевдоМалтер-эффект”.6.