Плазменно и термически стимулированное осаждение алмазных пленок многомерные модели химических реакторов, страница 73
Описание файла
PDF-файл из архива "Плазменно и термически стимулированное осаждение алмазных пленок многомерные модели химических реакторов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве МГУ им. Ломоносова. Не смотря на прямую связь этого архива с МГУ им. Ломоносова, его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой докторскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени доктора физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 73 страницы из PDF
2004. v.22. p.3012-3015.215. Makimoto T., Kobayashi N. Formation and etching of thin nitride layers on GaAs using atomicnitrogen and hydrogen // Solid-State Electronics. 1997. v.41. p.345-347.216. Mazaki K., Tabata A., Kitagawa A., Kondo A. N2 decomposition by hot wire and N2 postdeposition treatment on hydrogenated microcrystalline silicon thin films // Thin Solid Films. 2009.v.517. p.3452-3455.217. Umemoto H. A Clean Source of Ground-State N atoms: Decomposition of N2 on HeatedTungsten // Appl. Phys. Express. 2010. v.3. p.076701.218.
Tabata A., Mazaki K., Kondo A. Influence of hydrogen addition and gas pressure on nitride layerformation on microcrystalline silicon thin films by a hot-wire chemical vapor method using nitrogengas // Surface & Coatings Technology. 2010. v.204. p.2559–2563.219. Umemoto H., Ohara K., Morita D., Nozaki Y., Masuda A., Matsumura H. Direct detection of Hatoms in the catalytic chemical vapor deposition of the SiH4/H2 system // J.
Appl. Phys. 2002. v.91.p.1650-1656.220. Kossyi I.A., Kostinsky A.Yu., Matveyev A.A., Silakov V.P. Kinetic scheme of the nonequilibrium discharge in nitrogen-oxygen mixtures // Plasma Sour. Sci. Tech. 1992. v.1. p.207308221. Rouffet B., Gaboriau F., Sarrette J.P. Pressure dependence of the nitrogen atom recombinationprobability in late afterglows // J.
Phys. D: Appl. Phys. 2010. v.43. p.185203.222. Kozlov S.N., Aleksandrov E.N., Zhestkov B.E., Kislyuk M.U. Study of nitrogen and oxygen atomrecombination on a quartz surface using resonance fluorescence spectroscopy // Izvestiya AkademiiNauk SSSR, Seriya Khimicheskaya. 1987. v.11. p.2449-2452.223. Dehnicke K.Z. MNE Nitrido Bridges with Transition Metal Nitrogen Multiple Bonds and E =Phosphorus, Sulfur, and Chlorine // Anorg. Allg. Chem.
2003. v.629. p.729-743.224 Munter T.R., Bligaard T., Christensen C.H., Nørskov J.K. BEP-relations for N2 dissociation overstepped transition metal and alloy surfaces // Phys. Chem. Chem. Phys. 2008. v.10. p.5202-5206.225. Gao X. M., Liu S.X., Xie X.G., Cao H., Dai S. S. The Nature of Bonding in WC and WN //Chinese Chem. Lett.
2001. v.12. p.655-658.226. Romm L., Katz G., Kosloff R., Asscher M. Dissociative Chemisorption of N2 on Ru(001)Enhanced by Vibrational and Kinetic Energy: Molecular Beam Experiments and Quantum MechanicalCalculations // J. Phys. Chem. B. 1997. v.101. p.2213-2217227. Parish J., Yaney P. Wall Relaxation Measurements of the N2 Ground Vibration States at LowPressure // American Physical Society, Gaseous Electronics Conference, October 5-9, 1997, abstract#IT.105, http://adsabs.harvard.edu/abs/1997APS..GEC.IT105P228. Манкелевич Ю.А., Паль А.Ф., Попов Н.А., Рахимова Т.В., Филиппов А.В. Динамика тока имеханизмы развития неустойчивости несамостоятельного тлеющего разряда в азоте // Физикаплазмы. 2001.
т.27. с.1035-1045.229. Френкель Н. З. Гидравлика / Москва, Ленинград: ГосЭнергоИздат. 1956. 456 с.230. Gabriel O., Colsters P.G.J., Schram D.C., Engeln R. Two-dimensional flow characteristic of a hotexpanding plasma // Plasma Sources Sci. Techn. 2008. v.17. p.015011.231. Пасконов В.М., Полежаев В.И., Чудов Л.А. Численное моделирование процессов тепло- имассообмена / М.: Наука. 1984. 285 с.232. Han P., Chen X. Modeling of the Subsonic–Supersonic Flow and Heat Transfer in a DC ArcPlasma Torch // Plasma Chemistry and Plasma Processing.
2001. v.21. p.249-264.233. Манкелевич Ю. А., Рахимов А.Т., Суетин Н. В., Филиппов С.С. Расчет динамики иизлучательных характеристик пинча с импульсным напуском газа // Физика плазмы. 1990. т.16.с.664-670.234. Манкелевич Ю.А. Развитие методов численного моделирования нестационарных газовыхразрядов // Диссертация на соискание степени к.ф.-м. н., Московский физико-техническийинститут, 1989.235. Wood B.J., Wise H. Kinetics of hydrogen atom recombination on surfaces // J. Phys. Chem. 1961.v.65. р.1976-1983.236. Young W. S. Derivation of the free-jet Mach-disk location using the entropy-balance principle //Phys.
Fluids. 1975. v.18. p.1421-1425.237. Eckert M., Neyts E., Bogaerts A. Molecular Dynamics Simulations of the Sticking and EtchBehavior of Various Growth Species of (Ultra)Nanocrystalline Diamond Films // Chem. VaporDeposition. 2008. v.14. p.213-223.238. Richter H., Howard J.B. Formation and consumption of single-ring aromatic hydrocarbons andtheir precursors in premixed acetylene, ethylene and benzene flames // Phys. Chem.
Chem. Phys. 2002.v.4. p.2038-2055.239. Wang H., Frenklach M. A Detailed Kinetic Modeling Study of Aromatics Formation in LaminarPremixed Acetylene and Ethylene Flames // Combust. Flame. 1997. v.110. p.173.240. Mebel A.M., Lin M.C., Chakraborty D., Park J., Lin S.H., Lee Y.T. Ab initio molecularorbital/RRKM theory study of multichannel rate constants for the unimolecular decomposition ofbenzene and the H + C6H5 reaction over the ground electronic state // J. Chem.
Phys. 2001. v.114.p.8421-8435.241. Hassouni K., Mohasseb F., Bénédic F., Lombardi G., Gicquel A. Formation of soot particles inAr/H2/CH4 microwave discharges during nanocrystalline diamond deposition: A modeling approach //Pure Appl. Chem. 2006. v.78. p.1127-1145.309242. Smith G.P., Luque J., Park C., Jeffries J.B., Crosley D.R. Low pressure flame determinations ofrate constants for OH(A) and CH(A) chemiluminescence // Combust. Flame.
2002. v.131. p.59-69.243. Hartmann P., Haubner R., Lux B. Characteristics of a pulsed DC-glow discharge CVD reactor fordeposition of thick diamond films // Inter. Journal of Refractory Metals & Hard Materials. 1998. v.16.p.207-216.244. Polushkin V.M., Polyakov S.N., Rakhimov А.Т., Suetin N.V., Timofeev M.A., Tugarev V.A.Diamond film deposition by downstream DC glow discharge plasma chemical vapor deposition //Diam. Relat. Mater. 1994. v.3.
p.531-533.245. Buckman S.J., Phelps A.V. / Jila Information Center Report No.27, University of Colorado,Boulder, Colorado. 1985.246. McDaniel E.W., Flannery M.R. / U.S. Army missile research and development command.Technical report H-78-1. 1978. v.
IV.247. Hus H., Youssif F., Sen A., Mitchel J.B. Merged-beam studies of the dissociative recombinationof H3+ ions with low internal energy // Phys. Rev. A. 1988. v.38. p.658-663.248. Mul P.M., McGowan J. Wm. // The Astrophysical Journal. 1980. v.237. p.749.249. Michels H.H., Hobbs R.H. Low temperature dissociative recombination of e + H3+ // TheAstrophysical Journal. 1984. v.286.
L27-L29.250. Энциклопедия низкотемпературной плазмы / Под ред. В.Е. Фортова. М.: Наука. 2000. т. I.раздел II.4.5.251. Mitchell J.B.A., Novotny O., LeGarrec J.L., Florescu-Mitchell A., Rebrion-Rowe C., StolyarovA.V., Child M. S., Svendsen A., Ghazaly M.A.E., Andersen L.H.
Dissociative recombination of raregas hydride ions: II. ArH+ // J. Phys. B. 2005. v.38. L175-L182.252. Millar T.J., Farquhar P.R.A., Willacy P.K. The UMIST database for astrochemistry 1995 //Astron. Astrophys. Suppl. Ser. 1997. v.121. p.139-185.253. Burt J.A., Dunn J.L., McEwan M.J., Sutton M.M., Roche A.E, Schiff H.I. Some molecular-ionreaction of H3+ and the proton affinity of H2* // J. Chem. Phys. 1970. v.52. p.6062-6075.254.
Mitchell J.B.A. The dissociative recombination of molecular ions. // Physics Reports (ReviewSection of Physics letters). 1990. v.186. p.215-248.255. Yan C.-S., Mao H.-K., Li W., Qian J., Zhao Y., Hemley R.J. Ultrahard diamond single crystalsfrom chemical vapour deposition // Phys. Status Solidi (a). 2004. v.201. R24- R27.256. Silva F., Bonnin X., Scharpf J., Pasquarelli A. MW analysis of PACVD diamond depositionreactor based on electromagnetic modelling // Diam. Relat. Mater.
2009. v.19. p.397-403.257. Engelhardt A.G., Phelps A.V. Elastic and Inelastic Collision Cross Sections in Hydrogen andDeuterium from Transport Coefficients // Phys. Rev. 1963. v.131. p.2115-2128.258. Kiefer J.H., Lutz R.W. Vibrational Relaxation of Hydrogen // J. Chem. Phys. 1966. v.44.
p.668672.259. Capitelli M., Celiberto R., Esposito F., Laricchiuta A., Hassouni K., Longo S. Elementaryprocesses and kinetics of H2 plasmas for different technological applications // Plasma Sources Sci.Technol. 2002. v.11 p. A7–A25.260. Stone P.M., Kim Y.K., Desclaux J.P. Electron-ipact cross sections for dipole- and spin-allowedexcitations of hydrogen, helium, and lithium // J. Res. Natl.
Inst. Stand. Technol. 2002. v.107. p.327337.261. Petrov G.M., Petrova Ts. Formation of Negative Hydrogen Ions in a Ne–H2 Hollow CathodeDischarge // Plasma Chem. Plasma Process. 2002. v.22. p.573-605.262. Yoon J.-S., Song M.-Y., Han J.-M., Hwang S.H., Chang W.-S., Lee B., Itikawa Y. Cross Sectionsfor Electron Collisions with Hydrogen Molecules // J. Phys. Chem.
Ref. Data. 2008. v.37. p.913-931.263. Linder F., Schmidt H. Rotational and vibrational excitation of H2 by slow electron impact // Z.Naturforsch. A. 1971. v.26A. p.1603-1617.264. Janev R.K., Reiter D., Samm U. Collision Processes in Low-Temperature Hydrogen Plasmas /Instit. Plasmaphys., Forschungszentr. Julich GmbH, Rep. JUEL-4105. 2003. 188 p.310265. Celiberto R., Janev R.K., Laricchiuta A., Capitelli M., Wadehra J.M., Atems D.E.. Cross sectiondata for electron-impact inelastic processes of vibrationally excited molecules of hydrogen and itsisotopes // Atomic Data and Nuclear Data Tables.
