Главная » Все файлы » Просмотр файлов из архивов » PDF-файлы » Плазменно и термически стимулированное осаждение алмазных пленок многомерные модели химических реакторов

Плазменно и термически стимулированное осаждение алмазных пленок многомерные модели химических реакторов, страница 71

PDF-файл Плазменно и термически стимулированное осаждение алмазных пленок многомерные модели химических реакторов, страница 71 Физико-математические науки (29479): Диссертация - Аспирантура и докторантураПлазменно и термически стимулированное осаждение алмазных пленок многомерные модели химических реакторов: Физико-математические науки - PDF, страница2019-03-13СтудИзба

Описание файла

PDF-файл из архива "Плазменно и термически стимулированное осаждение алмазных пленок многомерные модели химических реакторов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве МГУ им. Ломоносова. Не смотря на прямую связь этого архива с МГУ им. Ломоносова, его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой докторскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени доктора физико-математических наук.

Просмотр PDF-файла онлайн

Текст 71 страницы из PDF

2009. v.105. 043302.114. Ma J., Cheesman A., Ashfold M.N.R., Hay K.G., Wright S., Langford N., Duxbury G.,Mankelevich Yu.A. Quantum cascade laser investigations of CH4 and C2H2 interconversion in303hydrocarbon/H2 gas mixtures during microwave plasma enhanced chemical vapor deposition ofdiamond // J. Appl. Phys. 2009. v.106.

033305.115. Butler J.E., Mankelevich Yu.A., Cheesman A., Ma J., Ashfold M.N.R. Understanding thechemical vapor deposition of diamond: recent progress // J. Phys.: Condens. Matter. 2009. v.21.364201.116. May P.W., Mankelevich Yu.A., Harvey J.N., Smith J.A. Re-evaluation of the mechanism forUNCD deposition from Ar/CH4/H2 gas mixtures // J. Appl.

Phys. 2006. v.99. 104907.117. Fox O.J.L., Ma J., May P.W., Ashfold M.N.R., Mankelevich Yu.A. The role of inert gas in MWenhanced plasmas for the deposition of nanocrystalline diamond thin films // Diamond Relat. Mater.2009. v.18. p.750-758.118. Mankelevich Yu.A., May P.W. New insights into the mechanism of CVD diamond growth.Single crystal diamond in MW PECVD reactors // Diam. Relat. Mater. 2008. v.17.

p.1021–1028.119. May P.W., Harvey J.N., Allan N.L., Richley J.C., Mankelevich Yu.A. Simulations of CVDDiamond Film Growth Using a Kinetic Monte Carlo Model and 2D Models of Microwave plasma andHot Filament CVD reactors // J. Appl. Phys. 2010.

v.108. 114909.120. Ma J., Richley J.C., Davies D.R., Cheesman A., Ashfold M.N.R., Mankelevich Yu.A.Spectroscopic and Modeling Investigations of the Gas-Phase Chemistry and Composition in MWPlasma Activated B2H6/Ar/H2 Mixtures // J. Phys. Chem. A. 2010. v.114. p.2447–2463.121. Ma J., Richley J.C., Davies D.R.W., Ashfold M.N.R., Mankelevich Yu.A. Spectroscopic andModeling Investigations of the Gas Phase Chemistry and Composition in Microwave Plasma ActivatedB2H6/CH4/Ar/H2 Mixtures // J.

Phys. Chem. A, 2010. v.114, 10076–10089.122. Richley J.C., Fox O.J.L., Ashfold M.N.R., Mankelevich Yu.A. Combined experimental andmodeling studies of mw activated CH4/H2/Ar plasmas for microcrystalline, nano andultrananocrystalline diamond deposition // J. Appl. Phys. 2011. v.109. 063307.123. Kelly M.W., Richley J.C., Western C.M., Ashfold M.N.R., Mankelevich Yu.A.

Exploring theplasma chemistry in microwave chemical vapour deposition of diamond from C/H/O gas mixtures // J.Phys. Chem. A, 2012. v.116. p.9431−9446124. Kelly M.W., Richley J.C., Ashfold M.N.R., Mankelevich Yu.A. Optical emission frommicrowave activated C/H/O gas mixtures for diamond chemical vapour deposition // J. Phys. Chem. A.2012. v.116. p.9447-9458.125. Hassouni K., Lombardi G., Duten X., Haagelar G., Silva F., Gicquel A., Grotjohn T.A., CapitelliM., Ropcke J. Overview of the different aspects in modelling moderate pressure H2 and H2/CH4microwave discharges // Plasma Sources Sci. Technol. 2006. v.15.

p.117-125.126. Hassouni K., Silva F., Gicquel A. Modelling of diamond deposition microwave cavity generatedplasmas // J. Phys. D: Appl. Phys. 2010. v.43. 153001.127. Gicquel A., Derkaoui N., C. Rond, F. Benedic, G. Cicala, D. Moneger, Hassouni K. Quantitativeanalysis of diamond deposition reactor efficiency // Chemical Physics. 2012. v.398. p.239–247.128. Zhou D., McCauley T.G., Qin L.C., Krauss A.R., Gruen D.M. Synthesis of nanocrystallinediamond thin films from an Ar–CH4 microwave plasma // J.

Appl. Phys. 1998. v.83. p.540-543.129. Zhou D., Gruen D.M., Qin L.C., McCauley T.G., Krauss A.R. Control of diamond filmmicrostructure by Ar additions to CH4/H2 mw plasmas // J.Appl.Phys. 1998. v.84. p.1981-1989.130. Rabeau J. R., John P., Wilson J. I. B., Fan Y. // J. Appl. Phys. 2004.

v.96. v.6724.131. Auciello O., Sumant A.V. Status review of the science and technology of ultrananocrystallinediamond (UNCD™) films and application to multifunctional devices // Diamond Related Materials.2010. v.19. p.699–718.132. Csikvari P., Somogyi A., Veres M., Hars Gy., Toth A. Investigation of the combined effect ofargon addition and substrate bias on the growth of ultrananocrystalline diamond layers // Diam. Relat.Mater. 2009. v.18. p.1459-1465.133. Deneuville A. Boron doping of diamond films from the gas phase / Chapter 4 in Semiconductorsand Semimetals. 2003.

v.76. p.183-238.134. Kohn E., Denisenko A. Doped Diamond Electron Devices / CVD Diamond for ElectronicDevices and Sensors, (Ed.) R.S. Sussmann, Wiley&Sons. 2009. Chap. 14. p.596.304135. Koizumi S., Watanabe K., Hasegawa F., Kanda H. Ultraviolet emission from a diamond pnjunction // Science. 2001. v.292.

p.1899-1901.136. Nebel C.E., Rezek B., Shin D., Uetsuka H., Yang N. Diamond for bio-sensor applications // J.Phys. D: Appl. Phys. 2007. v.40. p.6443-6466.137. Ekimov E.A., Sidorov V.A., Bauer E.D., Mel'nik N.N., Curro N.J., Thompson J.D., Stishov S.M.Superconductivity in diamond // Nature. 2004.

v.428. p.542-545.138. Takano Y., Nagao M., Sakaguchi I., Tachiki M., Hatano T., Kobayashi K., Umezawa H.,Kawarada H. Superconductivity in diamond thin films well above liquid helium temperature // Appl.Phys. Lett. 2004. v.85. p.2851-2853.139. Gheeraert E., Deneuville A., Mambou J. Influence of diborane on the growth rate and phasestability of diamond films // Carbon. 1999.

v.37. p.107-111.140. Lee B.J., Ahn B.T., Baik Y.J. Variations of morphology and electrical property of diamond withdoping using diborane in a methane–hydrogen gas mixture // Diamond Relat. Mater. 1999. v.8. p.251256.141. Ramamurti R., Becker M., Schuelke T., Grotjohn T., Reinhard D., Asmussen J. Synthesis ofboron-doped homoepitaxial single crystal diamond by microwave plasma chemical vapor deposition //Diamond Relat.

Mater. 2008. v.17. p.1320-1323.142. Belousov M.E., Mankelevich Yu.A., Minakov P.V., Rakhimov A.T., Suetin N.V., KhmelnitskiyR.A., Tal’ A.A., Khomich A.V. Boron-doped homoepitaxial diamond CVD from microwave plasmaactivated ethanol/trimethyl borate/hydrogen mixtures // Chemical Vapor Deposition. 2012. v.18.p.302-308.143. Skokov S., Weiner B., Frenklach M. J.

Elementary Reaction Mechanism for Growth of Diamond(100) Surfaces from Methyl Radicals // J. Phys. Chem. 1994, v.98. p.7073-7082.144. Larsson K. Adsorption of hydrocarbon species on a stepped diamond (111) surface // Phys. Rev.B. 1997. v.56. p.15452-15458.145. W.J.P. van Enckevort, Janssen G., Vollenberg W., Schermer J.J., Giling L.J., Seal M.

CVDdiamond growth mechanisms as identified by surface topography // Diam. Relat. Mater. 1993. v.2.p.997-1003.146. Cheesman A., Harvey J.N., Ashfold M.N.R. Studies of carbon incorporation on the diamond{100} surface during chemical vapor deposition using density functional theory // J. Phys.

Chem. A.2008. v.112. p.11436–11448.147 Netto A., Frenklach M. Kinetic Monte Carlo simulations of CVD diamond growth —Interlayamong growth, etching, and migration // Diam. Rel. Mater. 2005. v.14. p.1630-1646.148. May P.W., Allan N.L., Ashfold M.N.R., Richley J.C., Mankelevich Yu.A. Simplified MonteCarlo simulations of chemical vapour deposition diamond growth // J. Phys.: Condens. Matter, 2009.v.21. 364203.149. May P.W., Allan N.L., Ashfold M.N.R., J.C.

Richley, Mankelevich Yu.A. Simulations ofpolycrystalline CVD diamond film growth using a simplified Monte Carlo model // Diam. Relat.Mater. 2010. v.19. p.389-396.150. May P.W., Harvey J.N., Allan N.L., J. C. Richley, Mankelevich Yu.A. Simulations of chemicalvapor deposition diamond film growth using a kinetic Monte Carlo model // J.

Appl. Phys. 2010.v.108. 014905.151. Eckert M., Neyts E., Bogaerts A. On the differences between ultrananocrystalline andnanocrystalline diamond growth: Theoretical investigation of CxHy species at diamond step edges //Crystal Growth&Design. 2010. v.10. p.4123-4134.152. Krasnoperov L.V., Kalinovski L.J., Chu H.N., Gutman D. Heterogeneous reactions of H atomsand CH3 radicals with a diamond surface in the 300-1133 K Temperature Range // J. Phys. Chem.1993. v.97. p.11787-11796.153. Rye R.

R. Hot-filament-activated CVD of carbon: Film growth and filament reactions // J. Appl.Phys. 1994. v.72. p.1220–1227.154. Sommer M., Smith F.W. Activity of tungsten and rhenium filaments in CH4/H2 and C2H2/H2mixtures: Importance for diamond CVD // J. Mater. Res. 1990. v.5. p.2433-2440.305155. Li D.M., Hernberg R., Mantyla T. Catalytic dissociation of hydrogen on a tantalum carbidefilament in the HFCVD of diamond // Diamond Relat.

Mater. 1998. v.7. p.1709-1713.156. Zeiler E., Schwarz S., Rosiwal S.M., Singer R.F. Structural changes of tungsten heating filamentsduring CVD of diamond // Mater. Sci. Eng. A, 2002. v.335. p.236-245.157. Schwartz S. Physikalische Grundlagen der technischen Diamantabscheidung im Heibdraht-CVDVerfahren / PhD Thesis. Erlangen-Nurnberg University. 2003. 105 p.158.

Okoli S., Haubner R., Lux B. Carburization of tungsten and tantalum filaments during lowpressure diamond deposition // Surf. Coat. Technol. 1991. v.47. p.585-599.159. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Механика сплошных сред / Москва, Гос. Издат. ТехникоТеоретической Литературы, 1953.160. Li L., Xia W., Zhou H., Ma Q. Three-Dimensional Modelling of a DC Arc in Cross-Flow //Plasma Science and Technology. 2007. v.9.

Свежие статьи
Популярно сейчас
Как Вы думаете, сколько людей до Вас делали точно такое же задание? 99% студентов выполняют точно такие же задания, как и их предшественники год назад. Найдите нужный учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
5288
Авторов
на СтудИзбе
417
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее