Диссертация (Оптические и электрические свойства систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов), страница 50
Описание файла
Файл "Диссертация" внутри архива находится в папке "Оптические и электрические свойства систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов". PDF-файл из архива "Оптические и электрические свойства систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве МГУ им. Ломоносова. Не смотря на прямую связь этого архива с МГУ им. Ломоносова, его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой докторскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени доктора физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 50 страницы из PDF
Sol. (b). – 1998. – V. 205. – P. 147-150.113 Beck, N., Meier, J., Fric, J., Remes, Z., Poruba, A., Fluckiger, R., Pohl, J., Shah, A.,Vanecek, M. Enhanced optical absorption in microcrystalline silicon // J. Non-Cryst.Solids. – 1996. – V. 198-200. – P. 903-906.114 Уханов, Ю. И. Оптические свойства полупроводников. // М.: Наука, 1977. – 368 С.115 Meier, J., Fluckiger, R., Keppner, H., Shah, A.
Complete microcrystalline p-i-n solarcell – crystalline or amorphous cell behavior? // Appl. Phys. Lett. – 1994. – V. 65. - №7. –P. 860-862.116 Siebke. F., Yata. S., Hishikawa. Y., Tanaka. M. Correlation between structure andoptoelectronic properties of undoped microcrystalline silicon // Jpn. J. Appl. Phys. –1998. – V. 37. - №4A. –P. 1730-1735.117 Beck, N., Torres, P., Fric, J., Remes, Z., Poruba, A., Stuchlicova, H.A., Fejfar, A.,Wyrsch, N., Vanecek, M., Kocka, J., Shah, A. Optical and electrical properties ofundoped microcrystalline silicon deposited by the VHF-GD with different dilutions ofsilane in hydrogen // Mat.
Res. Soc. Symp. Proc. – 1997. – V. 452. – P. 761-766.285118 Poruba, A., Vanecek, M., Meier, J., Shah, A. Fourier transform infrared photocurrentspectroscopy in microcrystalline silicon // J. Non-Cryst. Solids. – 2002. – V. 299-302. –P. 536-540.119 Diehl, F., Scheib, M., Schroder, B., Oechsner, H. Enhanced optical absorption inhydrogenated microcrystalline silicon: an absorption model // J.
Non-Cryst. Solids. –1998. – V. 227-230. – P. 973-976.120 Ambrico, M., Schiavulli, L., Ligonzo, T., Cicala, G., Capezzuto, P., Bruno, G. Opticalabsorption and electrical conductivity measurements of microcrystalline silicon layersgrown by SiF4/H2 plasma on glass substrates // Thin Solid Films. – 2001. – V. 383. – P.200-202.121 Liu, H.N., He, Y.L., Wang, F., Grebner, S.
Effect of grain boundary states on CPMspectra of hydrogenated nanocrystalline silicon // J. Non-Cryst. Solids. – 1993. – V.164-166. – P. 1005-1008.122 Ito, M., Koch, C., Svrcek, V., Schubert, M.B., Werner, J.H. Silicon thin film solar cellsdeposited under 80°C // Thin Solid Films.
– 2001. – V. 383. – P. 129-131.123 Wyrsch, N., Finger, F., McMahon, T.J., Vanecek, M. How to reach more preciseinterpretation of subgap absorption spectra in terms of deep defect density in a-Si:H // J.Non-Cryst. Solids. – 1991. – V. 137–138. – P. 347-350.124 Vanecek, M., Kocka, J., Stuchlik, J., Triska, A. Direct measurement of the gap statesand band tail absorption by constant photocurrent method in amorphous silicon // SolidState Commun.
– 1981. – V. 39. - №11. – P. 1199-1202.125 Гордеев, С.Н., Зарифьянц, Ю.А., Казанский, А.Г. О форме кривой спектральногораспределения фототока в аморфном гидрогенизированном кремнии // ФТП. –1982. – Т. 16. – С. 182-184.126 Pierz, K., Fuhs, W., Mell, H. Correlation between defect density and Fermi-levelposition in a-Si:H // J. Non-Cryst. Solids. – 1989. –V.
114. – P. 651-653.127 Kocka, J., Mates, T., Ledinsky, M., Stuchlikova, H.H., Stuchlik, J., Fejfar, A. Transportproperties of microcrystalline silicon, prepared at high growth rate // J. Non-Cryst.Solids. – 2006. – V. 352. – P. 1097-1100.128 Wirsch, N., Finger, F., McMahon, T.J., Vanecek, M. How to reach more preciseinterpretation of subgap absorption spectra in terms of deep defect density in a-Si:H // J.Non-Cryst. Solids. – 1991.
– V. 137-138. – P. 347-350.286129 Klein, S., Finger, F., Carius, R., Dylla, T., Klomfass, J. Relationship between the opticalabsorption and the density of deep gap states in microcrystalline silicon // J. Appl. Phys.– 2007. – V. 102. – P. 103501-1-5.130 Han, D., Yue, G., Lorentzen, J.D., Lin, J., Habuchi, H., Wang, Q. Optical and electronicproperties of microcrystalline silicon as a function of microcrystallinity //J.
Appl. Phys.– 2000. – V. 87. – P. 1882-1888 .131 Kamei, T., Stradins, P., Matsuda, A. Effects of embedded crystallites in amorphoussilicon on light-induced defect creation // Appl. Phys. Lett. – 1999. – V. 74. – P. 17071709.132 Astakhov, O., Carius, R., Finger, F., Petrusenko, Y., Borysenko, V., Barankov, D.Relationship between defect density and charge carrier transport in amorphous andmicrocrystalline silicon // Phys. Rev.
B. – 2009. – V. 79. – P. 104205-1-14.133 Guha, S., Yang, J., Williamson, D.L., Lubianiker, Y., Cohen, J.D., Mahan, A.H.Structural, defect, and device behavior of hydrogenated amorphous Si near and abovethe onset of microcrystallinity Appl. Phys. Lett. – 1999. – V. 74. – P. 1860-1862.134 Jones, D.I., Gibson, R.A., Le Comber, P.G., Spear, W.E.
Hydrogen content, electricalproperties and stability of glow discharge amorphous silicon // Sol. Energ. Mater. –1979. – V. 2. – P. 93-106.135 Kazanskii, A.G., Kong, G., Zeng, X., Hao, H., Liu, F. Peculiarity of constantphotocurrent method for silicon films with mixed amorphous-nanocrystalline structure// J. Non-Cryst. Solids. – 2008. – V.
354. – P. 2282-2285.136 Wu, C., Crouch, C.H., Zhao, L., Mazur, E. Visible luminescence from silicon surfacesmicrostructured in air // Appl. Phys. Lett. – 2002. – V. 81. - P. 1999-2001.137 Chen, T., Si, J., Hou, X., Kanehira, S., Miura, K., Hirao, K. Luminescence of blacksilicon fabricated by high-repetition rate femtosecond laser pulses // J. Appl. Phys. –2011. – V. 110. - P. 073106-1-4.138 Hoh, K., Koyama, H., Uda, K., Miura, Y., Incorporation of Oxygen into Silicon duringPulsed-Laser Irradiation // Jpn. J.
Appl. Phys. – 1980. – V.19. – P. L375-L378.139 Zhigunov, D.M., Seminogov, V.N., Timoshenko, V.Yu., Sokolov, V.I., Glebov, V.N.,Malyutin, A.M., Maslova, N.E., Shalygina, O.A., Dyakov, S.A., Akhmanov, A.S.,Panchenko, V.Ya., Kashkarov, P.K. Effect of thermal annealing on structure and287photoluminescence properties of silicon-rich silicon oxides // Physica E. – 2009.
– V.41. – P. 1006-1009.140 Kenyon, A.J., Trwoga, P.F., Pitt, C.W., Rehm, G. The origin of photoluminescencefrom thin films of silicon‐rich silica // J. Appl. Phys.. – 1996. – V. 79. – P. 9291-9300.141 Ledox, G., Gong, J., Huisken, F., Guillois, O., Reinaud, C. Photoluminescence of sizeseparated silicon nanocrystals: Confirmation of quantum confinement // Appl.
Phys.Lett. – 2002. – V. 80. – P. 4834-4836.142 Бурдов, В.А. Зависимость ширины оптической щели кремниевых квантовыхточек от их размера // ФТП. – 2002. – Т. 36. – С. 1233-1236.143 Street, R.A. Luminescence in a-Si:H // Journal de Physique.
– 1981. – V. 42. – P. C4283-291.144 Street, R.A. Recombination in a-Si:H: Defect luminescence // Phys. Rev. B. – 1980. –V. 21. – P. 5775-5784.145 Collins, R.W., Paul, W. Model for the temperature dependence of photoluminescence ina-Si:H and related materials // Phys. Rev. B. – 1982. – V. 25. – P. 5257-5262.146 Collins,R.W.,Paesler,M.A.,Paul,W.Thetemperaturedependenceofphotoluminescence in a-Si:H alloys // Solid State Comm. – 1980. – V.
34. – P. 833-836.147 Paesler, M.A., Paul, W. Photoluminescence in sputtered amorphous silicon-hydrogenalloys, // Philos. Mag. B. – 1980. – V. 41(4). – P. 393-417.148 Yue, G., Han, D., Williamson, D.L., Yang, J., Lord, K., Guha, S. Electronic states ofintrinsic layers in n-i-p solar cells near amorphous to microcrystalline silicon transitionstudied by photoluminescence spectroscopy // Appl. Phys. Lett. – 2002. – V. 77.
– P.3185-3187.149 Бродски, М. Аморфные полупроводники // М.: Мир, 1982. – 419 С.150 Al-Dallal, S. Mechanism of photoluminescence in hydrogenated and chlorinatedamorphous silicon prepared by glow discharge // J. Luminescence. – 1984. – V. 31-32.– P. 406-408.151 Tsang, C. Street, R.A. Luminescence decay in glow-discharge deposited amorphoussilicon // Phil. Mag. B. – 1978. – V.
37. – P. 601-608152 Fluckiger, R., Meier, J., Goetz, M., Shah, A. Electrical properties and degradationkinetics of compensated hydrogenated microcrystalline silicon deposited by very highfrequency-glow discharge // J. Appl. Phys. – 1995. – V. 77. - №2. – P.
712-716.288153 Martins, R., Macarico, A., Ferreira, I., Nunes, R., Bicho, A., Fortunato, E. Correlationbetween electrical-optical and structural properties of microcrystalline silicon n-typefilms // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. – 1996. – V. 420. – P. 807-812.154 Vetterl, O., Grob, A., Jana, T., Ray, S., Lambertz, A., Carius, R., Finger, F. Changes inelectric and optical properties of intrinsic microcrystalline silicon upon variation of thestructural composition // J. Non-Cryst.
Solids. – 2002. – V. 299-302. – P. 772-777.155 Ram, S.K., Kumar, S., Vanderhaghen, R., Cabarrocas, P.R. Investigation of the electrontransport behavior in microcrystalline Si films // J. Non-Cryst. Solids. – 2002. – V. 299302. – P. 411-415.156 Kocka, J., Fejfar, A., Fojtik, P., Luterova, K., Pelant, I., Rezek, B., Stuchlikova, H.,Stuchlik, J., Svrcek, V. Charge transport in microcrystalline Si – the specific features //Sol. Energ. Mat. Sol. Cells. – 2001. – V. 66. – P.
