Диссертация (Оптические и электрические свойства систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов), страница 52

PDF-файл Диссертация (Оптические и электрические свойства систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов), страница 52 Физико-математические науки (29456): Диссертация - Аспирантура и докторантураДиссертация (Оптические и электрические свойства систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов) - PDF, страница 52 (29456) - СтудИзба2019-03-13СтудИзба

Описание файла

Файл "Диссертация" внутри архива находится в папке "Оптические и электрические свойства систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов". PDF-файл из архива "Оптические и электрические свойства систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве МГУ им. Ломоносова. Не смотря на прямую связь этого архива с МГУ им. Ломоносова, его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой докторскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени доктора физико-математических наук.

Просмотр PDF-файла онлайн

Текст 52 страницы из PDF

– P. 365-369.207 Muller, J., Finger, F., Malten, C., Wagner, H. Photocarrier recombination inmicrocrystalline silicon studied by light induced electron spin resonance transients //Mat. Res. Soc. Symp. Proc. – 1997. – V. 452. – P. 827-832.293208 Kanschat, P., Lips, K., Fuhs ,W. Identification of non-radiative recombination paths inmicrocrystalline silicon (µc-Si:H) // J. Non-Cryst.

Solids. – 2000. – V. 266-269. – P.524-528.209 Wyrsh, N., Droz, C., Feitknecht, L., Torres, P., Vallat-Sauvain, E., Bailat, J., Shah, A.Effect of the microstructure on the electronic transport in hydrogenated microcrystallinesilicon // J. Non-Cryst. Solids. -2002. – V.

299-302. – P.390-394.210 Droz, C., Goerlitzer, M., Wyrsch, N., Shah, A. Electronic transport in hydrogenatedmicrocrystalline silicon: similarities with amorphous silicon // J. Non-Cryst. Solids. –2000. – V. 266-269. – P. 319-324.211 Bruggemann, R., Hierzenberger, A., Reinig, P., Rojahn, M., Schubert, M.B., Schweizer,S., Wanka, H.N., Zrinscak, I. Electronic and optical properties of hot-wire-depositedmicrocrystalline silicon // J. Non-Cryst.

Solids. – 1998. – V. 227-230. – P. 982-986.212 Коугия, К.В., Теруков, Е.И. Связь рекомбинации на интерфейсных состояниях ианомальномалогопоказателястепенилюксампернойхарактеристикивмикрокристаллическом кремнии // ФТП. – 2001. – Т. 35. - №6. – С. 643-648.213 Reynolds, S., Smirnov, V., Main, C., Carius, R., Finger, F. Transient photocurrents inmicrocrystalline silicon films // Mat. Res.

Soc. Symp. Proc. – 2002. – V. 715. – P.A21.2.1-A.21.2.6.214 Bruggemann, R., Kleider, J.P., Longeaud, C., Mencaraglia, D., Guillet, J., Bouree, J.E.,Niikura, C. Electronic properties of silicon thin films prepared by hot-wire chemicalvapour deposition // J. Non-Cryst.

Solids. – 2000. – V. 266-269. – P. 258-262.215 Goldie, D.M., Spear, W.E., Liu, E.Z. Electron and hole transport in compensatedamorphous silicon // Phil. Mag. B. – 1998. – V. 62. - №5. – P. 509-525.216 Halpern, V. The mobility activation energy of hydrogenated amorphous silicon // Phil.Mag.

Lett. – 1988. – V. 58. - №2. – P. 113-116.217 Kondo, M., Yamasaki, S., Matsuda, A. Microscopic structure of defects inmicrocrystalline silicon // J. Non-Cryst. Solids. – 2000. – V. 266-269. – P. 544-547.218 Hapke, P., Finger, F., Carius, R., Wagner, H., Prasad, K., Fluckiger, R. Annealingstudies of the microcrystalline silicon system // J. Non-Cryst. Solids. – 1993. – V.

164166. – P. 981-984.294219 Курова, И.А., Лупачева, А.Н., Мелешко, Н.В., Ларина, Э.В. Влияние тепловогоотжига на фотоэлектрические свойства легированных бором пленок a-Si:H //ФТП. – 1994. – Т. 28. - №6. – С. 1092-1096.220 Liu, H., Xu, M. The Staebler-Wronski effect in microcrystalline silicon films // SolidState Commun. – 1986. – V. 58. - №9.

– P. 601-603.221 Cabarrokas, P.R., Brenot, R., Bulkin, P., Vanderhaghen, R., Drevillon, B. Stablemicrocrystalline silicon thin-film transistors produced by the layer-by-layer technique //J. Appl. Phys. – 1999. – V. 86. - №12. – P. 7079-7082.222 Nickel, N.H., Rakel, M. Metastable defect kinetics in microcrystalline silicon // J. NonCryst. Solids. – 2002. – V. 299-302.

– P. 502-506.223 Bruggemann. R., Bronner. W., Mehring. M. Influence of electron irradiation on theelectronic properties of microcrystalline silicon // Solid State Commun. – 2001. – V.119. - №1. – P. 23-27.224 Bruggemann, R., Kleider, J.P., Bronner, W., Zrinscak, I. Influence of electron andproton irradiation on the electronic properties of microcrystalline silicon // J.

Non-Cryst.Solids. – 2001. – V. 266-269. – P. 319-324.225 Bronner, W., Mehring, M., Bruggemann, R. Transport and electrically detected electronspin resonance of microcrystalline silicon before and after electron irradiation // Phys.Rev. B. – 2002. – V. 65. – P. 1652121-1652125.226 Вавилов, В.С., Кекелидзе, Н.П., Смирнов, Л.С. Действие излучений наполупроводники // М.: Наука, 1988. – 190 С.227 Schneider, U., Schroder, B. Metastable defects in hydrogenayed amorphous silicon (aSi:H) produced by electron irradiation /Amorphous silicon and related materials, ed.

H.Fritzsche //Singapore: World Scientific Publishing Company, 1988. –V. 1. – P.687-717.228 Inoue, Y., Tanaka, A., Fujii, M., Hayashi, S., Yamamoto, K. Single-electron tunnelingthrough Si nanocrystals dispersed in phosphosilicate glass thin films // J. Appl. Phys.

–1999. – V. 86. - № 6. – P. 3199-3203.229 Baron, T., Gentile, P., Magnea, N., Mur, P. Single-electron charging effect in individualSi nanocrystals // Appl. Phys. Lett. – 2001. – V. 79. - № 8. – P. 1175-1177.230 Fu, Y., Willander, M., Dutta, A., Oda, S. Carrier conduction in a Si-nanocrystal-basedsingle-electron transistor-I. Effect of gate bias // Superlattices and Microstructures. –2000. – V. 28.

- № 3. – P. 177-187.295231 Tiwari, S., Rana, F., Hanafi, H., Hartstein, A., Crabbe, E.F., Chan K. A siliconnanocrystals based memory // Appl. Phys. Lett. – 1996. – V. 68(10). – P. 1377-1379.232 Ефремов, М.Д., Камаев, Г.Н., Володин, В.А., Аржанникова, С.А., Качурин, Г.А.,Черкова, С.Г.,Кретинин, А.В.,Малютина-Бронская, В.В., Марин,Д.В.Кулоновское блокирование проводимости пленок SiOx при одноэлектроннойзарядке кремниевой квантовой точки в составе цепочки электронных состояний //ФТП. – 2005. – Т. 39. – Вып. 8. – С. 945-951.233 Драгунов, В.П., Неизвестный, И.Г., Гридчин, В.А. Основы наноэлектроники //Новосибирск: НГТУ, 2004.

– 496 С.234 Busseret, C., Souifi, A., Baron, T., Monfray, S., Buffet, N., Gautier, E., Semeria, M.N.Eletronic properties of silicon nanocrystallites obtained by SiOx (x<2) annealing //Mater. Sci. Eng. C. – 2002. – V. 19. – P. 237-241.235 De la Torre, Souifi, A., Lemiti, M., Poncet, A., Busseret, C., Guillot, G., Bremond, G.,Gonzalez, O., Garrido, B., Morante, J.R. Optical and electrical transport mechanisms inSi-nanocrystal-based LEDs // Physica E. – 2003. – V. 17. – P.

604-606.236 Lockwood, D.J., Lu, Z.H., Baribeau, J.-M. Quantum confined luminescence in Si/SiO2superlattices // Phys. Rev. Lett. – 1996. – V. 76. – P. 539-541.237 Vinciguerra, V., Franzo, G., Priolo, F., Iacona, F., Spinella C. Quantum confinementand recombination dynamics in silicon nanocrystals embedded in Si/SiO2 superlattices// J. Appl.

Phys. – 2000. –V. 87. – P. 8165-8173.238 Takagi, H., Ogawa, H., Yamazaki, Y., Ishizaki, A., Nakagiri, T. Quantum size effectson photoluminescence in ultrafine Si particles // Appl. Phys. Lett. – 1990. – V. 56. – P.2379-2380.239 Takeoka, S., Fujii, M., Hayashi, S. Size-dependent photoluminescence from surfaceoxidized Si nanocrystals in a weak confinement regime // Phys.

Rev. B. – 2000. – V. 62.– P. 16820-16825.240 Soni, R.K., Fonseca, L.F., Resto, O., Buzaianu, M., Weisz, S.Z. Size-dependent opticalproperties of silicon nanocrystals // J. Lumin. – 1999. – V. 83-84. – P. 187-191.241 Linnros, J., Lalic, N., Galeckas, A., Grivickas, V. Analysis of the stretched exponentialphotoluminescence decay from nanometer-sized silicon crystals in SiO2 // J. Appl. Phys.– 1999. – V. 86. – P.

6128 – 6134.296242 Torre, J., Soui, A., Poncet, A., Busseret, C., Lemiti, M., Bremond, G., Guillot,G., Gonzalez, O., Garrido, B., Morante, J.R., Bonafos, C. Optical properties of siliconnanocrystal LEDs // Physica E. -2003. – V. 16. – P. 326-330.243 Shimazu-Iwayama, T., Nakao, S., Saitoh, K. Visible photoluminescence in Si+implanted thermal oxide films on crystalline Si // Appl. Phys.

Lett. -1994. – V. 65. – P.1814-1816.244 Zacharias, M., Heitmann, J., Scholz, R., Kahler, U., Schmidt, M., Bläsing, J. Sizecontrolled highly luminescent silicon nanocrystals: A SiO/SiO2 superlattice approach //Appl. Phys. Lett. – 2002. – V. 80. – P.

661-663.245 Zacharias, M., Yi, L.X., Heitmann, J., Scholz, R., Reiche, M., Gösele, U. Sizecontrolled Si nanocrystals for photonic and electronic applications // Sol. State Phenom.– 2003. – V. 94. – P. 95-104.246 Heitmann, J., Schmidt, M., Zacharias, M., Timoshenko, V.Yu., Lisachenko, M.G.,Kashkarov, P. K. Fabrication and photoluminescence properties of erbium doped sizecontrolled silicon nanocrystals // Mat. Sci. Eng.

B. – 2003. – V. 105. - №1. – P. 213219.247 Zacharias, M., Streitenberger, P. Crystallization of amorphous supperlatties in the limitof ultrathin films with oxide interfaces // Phys. Rev. B. – 2000. – V.62. – P. 8391-8396.248 Spinella, С., Lombardo, S., Priolo, F. Crystal grain nucleation in amorphous silicon // J.Appl. Phys. – 1998. – V. 84.

– P. 5383-5414.249 Zacharias, M., Heitmann, J., Scholz, R., Kahler, U., Schmidt, M., Blasing, J. Sizecontrolled highly luminescent silicon nanocrystals: A SiOx/SiO2 superlattice approach //Appl. Phys. Lett. – 2002. – V. 80. – P. 661-663.250 Zacharias, M., Heitmann, J., Muller, F., Yu, L. Excitons in Si nanocrystals: confinementand migration effects // Phys. Rev.

B. – 2004. – V. 69. – P. 195309-1-7.251 C. Зи. Физика полупроводниковых приборов // М: Мир, 1984. – Т. 1. – 454 С.252 Лебедев, А.И. Физика полупроводниковых приборов // М: Физматлит, 2008. –488C.253 Atkins, K.R., Donovan, R., Walmsley, R.H. Low-temperature impurity conduction inn-type silicon // Phys. Rev. – 1960. – V. 118. - № 2.

– P. 411–414.254 Мейлихов, Е.З. Высокотемпературная проводимость гранулированных металлов// ЖЭТФ. - 2001. – Т. 120. – Вып. 3. – С. 712–717.297255 Ефремов, М.Д., Аржанникова, С.А., Володин, В.А., Камаев, Г.Н. Нанометровыекластеры и нанокристаллы кремния // Вестник НГУ. Серия: Физика. – 2007. – Т.

2.– Вып. 2. – С. 51–60.256 Tarng, M.L. Carrier transport in oxygen-rich polycrystalline-silicon films // J. Appl.Phys. – 1978. – V. 49. - № 7. – P. 4069–4076.257 Halimaoui, A., Oules, C., Bomchil, G., Bsiesy, A., Gaspard, F., Herino, R., Ligeon, M.,Muller, F. Electroluminescence in the visible range during anodic oxidation of poroussilicon films // Appl. Phys. Lett. – 1991.

– V, 59 (3). – P. 304-306.258 Richter, A., Steiner, P., Kozlowsky, F., Lang, W. Current-induced light emission from aporous silicon device // IEEE Electron. Dev. Lett. – 1991. – V. 12. – P. 691-692.259 Lehmann, V., Stengl, R., Luigart, A. On the morphology and the electrochemicalformation mechanism of mesoporous silicon // Materials Science and Engineering : B. –2000. – V. 69-70. – P.

Свежие статьи
Популярно сейчас
Зачем заказывать выполнение своего задания, если оно уже было выполнено много много раз? Его можно просто купить или даже скачать бесплатно на СтудИзбе. Найдите нужный учебный материал у нас!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
5259
Авторов
на СтудИзбе
420
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее