Диссертация (Оптические и электрические свойства систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов), страница 52
Описание файла
Файл "Диссертация" внутри архива находится в папке "Оптические и электрические свойства систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов". PDF-файл из архива "Оптические и электрические свойства систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве МГУ им. Ломоносова. Не смотря на прямую связь этого архива с МГУ им. Ломоносова, его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой докторскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени доктора физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 52 страницы из PDF
– P. 365-369.207 Muller, J., Finger, F., Malten, C., Wagner, H. Photocarrier recombination inmicrocrystalline silicon studied by light induced electron spin resonance transients //Mat. Res. Soc. Symp. Proc. – 1997. – V. 452. – P. 827-832.293208 Kanschat, P., Lips, K., Fuhs ,W. Identification of non-radiative recombination paths inmicrocrystalline silicon (µc-Si:H) // J. Non-Cryst.
Solids. – 2000. – V. 266-269. – P.524-528.209 Wyrsh, N., Droz, C., Feitknecht, L., Torres, P., Vallat-Sauvain, E., Bailat, J., Shah, A.Effect of the microstructure on the electronic transport in hydrogenated microcrystallinesilicon // J. Non-Cryst. Solids. -2002. – V.
299-302. – P.390-394.210 Droz, C., Goerlitzer, M., Wyrsch, N., Shah, A. Electronic transport in hydrogenatedmicrocrystalline silicon: similarities with amorphous silicon // J. Non-Cryst. Solids. –2000. – V. 266-269. – P. 319-324.211 Bruggemann, R., Hierzenberger, A., Reinig, P., Rojahn, M., Schubert, M.B., Schweizer,S., Wanka, H.N., Zrinscak, I. Electronic and optical properties of hot-wire-depositedmicrocrystalline silicon // J. Non-Cryst.
Solids. – 1998. – V. 227-230. – P. 982-986.212 Коугия, К.В., Теруков, Е.И. Связь рекомбинации на интерфейсных состояниях ианомальномалогопоказателястепенилюксампернойхарактеристикивмикрокристаллическом кремнии // ФТП. – 2001. – Т. 35. - №6. – С. 643-648.213 Reynolds, S., Smirnov, V., Main, C., Carius, R., Finger, F. Transient photocurrents inmicrocrystalline silicon films // Mat. Res.
Soc. Symp. Proc. – 2002. – V. 715. – P.A21.2.1-A.21.2.6.214 Bruggemann, R., Kleider, J.P., Longeaud, C., Mencaraglia, D., Guillet, J., Bouree, J.E.,Niikura, C. Electronic properties of silicon thin films prepared by hot-wire chemicalvapour deposition // J. Non-Cryst.
Solids. – 2000. – V. 266-269. – P. 258-262.215 Goldie, D.M., Spear, W.E., Liu, E.Z. Electron and hole transport in compensatedamorphous silicon // Phil. Mag. B. – 1998. – V. 62. - №5. – P. 509-525.216 Halpern, V. The mobility activation energy of hydrogenated amorphous silicon // Phil.Mag.
Lett. – 1988. – V. 58. - №2. – P. 113-116.217 Kondo, M., Yamasaki, S., Matsuda, A. Microscopic structure of defects inmicrocrystalline silicon // J. Non-Cryst. Solids. – 2000. – V. 266-269. – P. 544-547.218 Hapke, P., Finger, F., Carius, R., Wagner, H., Prasad, K., Fluckiger, R. Annealingstudies of the microcrystalline silicon system // J. Non-Cryst. Solids. – 1993. – V.
164166. – P. 981-984.294219 Курова, И.А., Лупачева, А.Н., Мелешко, Н.В., Ларина, Э.В. Влияние тепловогоотжига на фотоэлектрические свойства легированных бором пленок a-Si:H //ФТП. – 1994. – Т. 28. - №6. – С. 1092-1096.220 Liu, H., Xu, M. The Staebler-Wronski effect in microcrystalline silicon films // SolidState Commun. – 1986. – V. 58. - №9.
– P. 601-603.221 Cabarrokas, P.R., Brenot, R., Bulkin, P., Vanderhaghen, R., Drevillon, B. Stablemicrocrystalline silicon thin-film transistors produced by the layer-by-layer technique //J. Appl. Phys. – 1999. – V. 86. - №12. – P. 7079-7082.222 Nickel, N.H., Rakel, M. Metastable defect kinetics in microcrystalline silicon // J. NonCryst. Solids. – 2002. – V. 299-302.
– P. 502-506.223 Bruggemann. R., Bronner. W., Mehring. M. Influence of electron irradiation on theelectronic properties of microcrystalline silicon // Solid State Commun. – 2001. – V.119. - №1. – P. 23-27.224 Bruggemann, R., Kleider, J.P., Bronner, W., Zrinscak, I. Influence of electron andproton irradiation on the electronic properties of microcrystalline silicon // J.
Non-Cryst.Solids. – 2001. – V. 266-269. – P. 319-324.225 Bronner, W., Mehring, M., Bruggemann, R. Transport and electrically detected electronspin resonance of microcrystalline silicon before and after electron irradiation // Phys.Rev. B. – 2002. – V. 65. – P. 1652121-1652125.226 Вавилов, В.С., Кекелидзе, Н.П., Смирнов, Л.С. Действие излучений наполупроводники // М.: Наука, 1988. – 190 С.227 Schneider, U., Schroder, B. Metastable defects in hydrogenayed amorphous silicon (aSi:H) produced by electron irradiation /Amorphous silicon and related materials, ed.
H.Fritzsche //Singapore: World Scientific Publishing Company, 1988. –V. 1. – P.687-717.228 Inoue, Y., Tanaka, A., Fujii, M., Hayashi, S., Yamamoto, K. Single-electron tunnelingthrough Si nanocrystals dispersed in phosphosilicate glass thin films // J. Appl. Phys.
–1999. – V. 86. - № 6. – P. 3199-3203.229 Baron, T., Gentile, P., Magnea, N., Mur, P. Single-electron charging effect in individualSi nanocrystals // Appl. Phys. Lett. – 2001. – V. 79. - № 8. – P. 1175-1177.230 Fu, Y., Willander, M., Dutta, A., Oda, S. Carrier conduction in a Si-nanocrystal-basedsingle-electron transistor-I. Effect of gate bias // Superlattices and Microstructures. –2000. – V. 28.
- № 3. – P. 177-187.295231 Tiwari, S., Rana, F., Hanafi, H., Hartstein, A., Crabbe, E.F., Chan K. A siliconnanocrystals based memory // Appl. Phys. Lett. – 1996. – V. 68(10). – P. 1377-1379.232 Ефремов, М.Д., Камаев, Г.Н., Володин, В.А., Аржанникова, С.А., Качурин, Г.А.,Черкова, С.Г.,Кретинин, А.В.,Малютина-Бронская, В.В., Марин,Д.В.Кулоновское блокирование проводимости пленок SiOx при одноэлектроннойзарядке кремниевой квантовой точки в составе цепочки электронных состояний //ФТП. – 2005. – Т. 39. – Вып. 8. – С. 945-951.233 Драгунов, В.П., Неизвестный, И.Г., Гридчин, В.А. Основы наноэлектроники //Новосибирск: НГТУ, 2004.
– 496 С.234 Busseret, C., Souifi, A., Baron, T., Monfray, S., Buffet, N., Gautier, E., Semeria, M.N.Eletronic properties of silicon nanocrystallites obtained by SiOx (x<2) annealing //Mater. Sci. Eng. C. – 2002. – V. 19. – P. 237-241.235 De la Torre, Souifi, A., Lemiti, M., Poncet, A., Busseret, C., Guillot, G., Bremond, G.,Gonzalez, O., Garrido, B., Morante, J.R. Optical and electrical transport mechanisms inSi-nanocrystal-based LEDs // Physica E. – 2003. – V. 17. – P.
604-606.236 Lockwood, D.J., Lu, Z.H., Baribeau, J.-M. Quantum confined luminescence in Si/SiO2superlattices // Phys. Rev. Lett. – 1996. – V. 76. – P. 539-541.237 Vinciguerra, V., Franzo, G., Priolo, F., Iacona, F., Spinella C. Quantum confinementand recombination dynamics in silicon nanocrystals embedded in Si/SiO2 superlattices// J. Appl.
Phys. – 2000. –V. 87. – P. 8165-8173.238 Takagi, H., Ogawa, H., Yamazaki, Y., Ishizaki, A., Nakagiri, T. Quantum size effectson photoluminescence in ultrafine Si particles // Appl. Phys. Lett. – 1990. – V. 56. – P.2379-2380.239 Takeoka, S., Fujii, M., Hayashi, S. Size-dependent photoluminescence from surfaceoxidized Si nanocrystals in a weak confinement regime // Phys.
Rev. B. – 2000. – V. 62.– P. 16820-16825.240 Soni, R.K., Fonseca, L.F., Resto, O., Buzaianu, M., Weisz, S.Z. Size-dependent opticalproperties of silicon nanocrystals // J. Lumin. – 1999. – V. 83-84. – P. 187-191.241 Linnros, J., Lalic, N., Galeckas, A., Grivickas, V. Analysis of the stretched exponentialphotoluminescence decay from nanometer-sized silicon crystals in SiO2 // J. Appl. Phys.– 1999. – V. 86. – P.
6128 – 6134.296242 Torre, J., Soui, A., Poncet, A., Busseret, C., Lemiti, M., Bremond, G., Guillot,G., Gonzalez, O., Garrido, B., Morante, J.R., Bonafos, C. Optical properties of siliconnanocrystal LEDs // Physica E. -2003. – V. 16. – P. 326-330.243 Shimazu-Iwayama, T., Nakao, S., Saitoh, K. Visible photoluminescence in Si+implanted thermal oxide films on crystalline Si // Appl. Phys.
Lett. -1994. – V. 65. – P.1814-1816.244 Zacharias, M., Heitmann, J., Scholz, R., Kahler, U., Schmidt, M., Bläsing, J. Sizecontrolled highly luminescent silicon nanocrystals: A SiO/SiO2 superlattice approach //Appl. Phys. Lett. – 2002. – V. 80. – P.
661-663.245 Zacharias, M., Yi, L.X., Heitmann, J., Scholz, R., Reiche, M., Gösele, U. Sizecontrolled Si nanocrystals for photonic and electronic applications // Sol. State Phenom.– 2003. – V. 94. – P. 95-104.246 Heitmann, J., Schmidt, M., Zacharias, M., Timoshenko, V.Yu., Lisachenko, M.G.,Kashkarov, P. K. Fabrication and photoluminescence properties of erbium doped sizecontrolled silicon nanocrystals // Mat. Sci. Eng.
B. – 2003. – V. 105. - №1. – P. 213219.247 Zacharias, M., Streitenberger, P. Crystallization of amorphous supperlatties in the limitof ultrathin films with oxide interfaces // Phys. Rev. B. – 2000. – V.62. – P. 8391-8396.248 Spinella, С., Lombardo, S., Priolo, F. Crystal grain nucleation in amorphous silicon // J.Appl. Phys. – 1998. – V. 84.
– P. 5383-5414.249 Zacharias, M., Heitmann, J., Scholz, R., Kahler, U., Schmidt, M., Blasing, J. Sizecontrolled highly luminescent silicon nanocrystals: A SiOx/SiO2 superlattice approach //Appl. Phys. Lett. – 2002. – V. 80. – P. 661-663.250 Zacharias, M., Heitmann, J., Muller, F., Yu, L. Excitons in Si nanocrystals: confinementand migration effects // Phys. Rev.
B. – 2004. – V. 69. – P. 195309-1-7.251 C. Зи. Физика полупроводниковых приборов // М: Мир, 1984. – Т. 1. – 454 С.252 Лебедев, А.И. Физика полупроводниковых приборов // М: Физматлит, 2008. –488C.253 Atkins, K.R., Donovan, R., Walmsley, R.H. Low-temperature impurity conduction inn-type silicon // Phys. Rev. – 1960. – V. 118. - № 2.
– P. 411–414.254 Мейлихов, Е.З. Высокотемпературная проводимость гранулированных металлов// ЖЭТФ. - 2001. – Т. 120. – Вып. 3. – С. 712–717.297255 Ефремов, М.Д., Аржанникова, С.А., Володин, В.А., Камаев, Г.Н. Нанометровыекластеры и нанокристаллы кремния // Вестник НГУ. Серия: Физика. – 2007. – Т.
2.– Вып. 2. – С. 51–60.256 Tarng, M.L. Carrier transport in oxygen-rich polycrystalline-silicon films // J. Appl.Phys. – 1978. – V. 49. - № 7. – P. 4069–4076.257 Halimaoui, A., Oules, C., Bomchil, G., Bsiesy, A., Gaspard, F., Herino, R., Ligeon, M.,Muller, F. Electroluminescence in the visible range during anodic oxidation of poroussilicon films // Appl. Phys. Lett. – 1991.
– V, 59 (3). – P. 304-306.258 Richter, A., Steiner, P., Kozlowsky, F., Lang, W. Current-induced light emission from aporous silicon device // IEEE Electron. Dev. Lett. – 1991. – V. 12. – P. 691-692.259 Lehmann, V., Stengl, R., Luigart, A. On the morphology and the electrochemicalformation mechanism of mesoporous silicon // Materials Science and Engineering : B. –2000. – V. 69-70. – P.