Главная » Просмотр файлов » Диссертация

Диссертация (1097807), страница 53

Файл №1097807 Диссертация (Оптические и электрические свойства систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов) 53 страницаДиссертация (1097807) страница 532019-03-13СтудИзба
Просмтор этого файла доступен только зарегистрированным пользователям. Но у нас супер быстрая регистрация: достаточно только электронной почты!

Текст из файла (страница 53)

11-22.260 Зимин, С.П. Классификация электрических свойств пористого кремния // ФТП. –2000. – Т. 34. – Вып. 3. – С. 359-362.261 Zhu, D., Chen, Q., Zhang, Y. Transport properties in iron-passivated porous silicon //Appl. Surf. Sci. – 2002. – V. 191. – P. 218-222.262 Diligenti, A., Nannini, A., Pennelli, G., Pieri, F.

Current transport in free-standingporous silicon // Appl. Phys. Lett. – 1996. – V. 68. - №5. – P. 687-689.263 Лаптев, А.Н. , Проказников, А.В. , Рудь, Н.А. Гистерезис вольт-амперныххарактеристик светоизлучающих структур на пористом кремнии // Письма вЖТФ. -1997. – Т. 23. – С. 59-66.264 Балагуров, Л.А. Пористый кремний: получение, свойства, возможные применения// Материаловедение. -1998. Вып. 1. – С. 50–56; Вып.

3. – С. 23–45.265 Remaki, B., Populaire, C., Lysenko, V., Barbier, D. Electrical barrier properties ofmeso-porous silicon // Mat. Sci. Eng. – 2003. - V. 101. – P. 313-317.266 Ben-Chorin, M., Möller, F., Koch, F. Nonlinear electrical transport in porous silicon //Phys. Rev. B. – 1994. – V. 49. - №4. – P. 2981-2984.267 Frenkel, J. On pre-breakdown phenomena in insulators and electronic semi-conductors// Phys. Rev. – 1938. – V.

54. – P. 647-648.268 Lee, W.H., Lee, C., Jang, J. Quantum size effects on the conductivity in porous silicon// Non.-Cryst. Sol. – 1996. – V. 198-200. – P. 911-914.298269 Beale, M.I.J., Benjamin, J.D., Uren, M.J., Chew, N.G., Cullis, A.G. An experimentaland theoretical study of the formation and microstructure of porous silicon // J. Cryst.Growth. – 1985. – V. 73. – P. 622-636.270 Anderson, R.C., Muller, R.S., Tobias, C.W.

Investigation of the electrical properties ofporous silicon // J. Electrochem. Soc. – 1991. – V. 138. – P. 3406-3411.271 Raminder, G. M., Vivechana, Mehra, R.M., Mathur, P.C., Jain, V.K. Electron transportin porous silicon // Thin Solid Films. – 1998. – V. 312. – P. 254-258.272 Ben-Chorin, M. Möller, F., Koch, F., Schirmacher, W., Elerhard, M. Hopping transporton a fractal: ac conductivity of porous silicon // Phys. Rev. B. – 1995. – V.

51. - №4. –P. 2199-2213.273 Lampin, E., Delerue, C., Lannoo, M., Allan, G. Frequency-dependent hoppingconductivity between silicon nanocrystallites: Application to porous silicon // Phys.Rev. B – 1998. – V. 58. - №18. – P. 12044-12048.274 Lubianiker, Y., Balberg, I. Two Meyer-Neldel rules in porous silicon // Phys. Rev.

Lett.– 1997. – V. 78. - №12. – P. 2433-2436.275 Künzner, N., Kovalev, D., Diener, J., Gross, E., Timoshenko, V.Yu., Polisski, G., Koch,F. Giant birefringence in anisotropically nanostructured silicon // Opt. Lett. – 2001. - V.26. - №16. – P. 1265-1267.276 Künzner, N., Diener, J., Gross, E., Kovalev, D., Timoshenko, V.Yu., Fujii, M. Formbirefringence of anisotropically nanostructured silicon // Phys. Rev. B. – 2005.

– V. 71. –P. 195304-1-8.277 Stroud, D. Generalized effective-medium approach to the conductivity of aninhomogeneous material // Phys. Rev. B. – 1975. – V. 12. – P. 3368-3373.278 Uhlir, A. Electropolishing of silicon // Bell Syst. Tech. J. – 1956. - V. 35. - P. 333–338.279 Turner, D. Electropolishing silicon in hydrofluoric acid solutions // J. Electochem. Soc.– 1958. - V. 5. – P. 402–405.280 Canham, L.T. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemicaldissolution of wafers // Appl.

Phys. Lett. – 1990. – V.57. - №10. – P. 1046-1048.281 Лабунов, В.А., Бондаренко, В.П., Борисенко, В.Е. Получение, свойства иприменение пористого кремния // Зарубежная электронная техника. – 1978 .- №15.– C.3-27.282 Koshida, N., Коуoda, М. Visible electroluminescence from porous silicon // Appl.299Phys. Lett. – 1992. – V.60.

- № 3. – P. 347-349.283 Theis, W. Optical properties of porous silicon // Surf. Science Rep. – 1997. – V. 29. – P.191-192.284 Pickering, C., Beale, M.I.J., Robbins, D.J., Pearson, P.J., Greet, R. Optical studies of thestructure of porous silicon films formed in p-type degenerate and non-degeneratesilicon// J. Phys.

C: Sol. St. Phys. – 1984. – V. 17. - №10. – P. 6535-6552.285 Beale, M.I.J., Chew, N.G., Uren, M.J., Cullis, A.G., Benjamin, J.D. Microstructure andFormation Mechanism of Porous Silicon // Appl. Phys. Lett. – 1985. – V.46. - №l. – P.86-88.286 Lehmann, V., Gosele, U.

Porous Silicon Formation: A quantum Wire Effect // Appl.Phys. Lett. – 1991. – V.58. - № 8. – P. 856-858.287 Smith, R.L., Collins, S.D. Porous silicon formation mechanisms // J. Appl. Phys. –1992. – V. 71. - №8. – P. R1-R22.288 Jung, K.H., Shin, S., Kwon, D.L. Developments in luminescent porous Si // J.Electrochem. Soc. – 1993. – V.140. - №10. – P .3016-3064.289 Herino, R., Bomchil, G., Baria, K., Bertrand, C., Ginoux, J.

L. Porosity and pore sizedistribution of porous silicon layers // J. Electrochem. Soc. – 1987. – V. 134. – P. 19942000.290 Свечников, С.В., Савченко, А.В., Сукач, Г.А., Евстигнеев, А.М., Каганович, Э.Б.Светоизлучающие слои пористого: получение, свойства и применение // Оптоэл.и п/п техника. – 1994. –Т. 27. – С. 3-29.291 Rouquerol, J., Avnir, D., Fairbridge, C.W., Everett, D.H., Haynes, J.H., Pernicone, N.,Ramsay, J.D.F., Sing, K.S.W., Unger, K.K. Recommendations for the characterizationof porous solids // Pure Appl.

Chem. - 1994. – V. 66. – P. 1739-1758.292 Gullis, A.G., Canham, L.Т., Calcott, P.D.J. The structural and luminescence propertiesof porous silicon // Appl. Phys. Lett. – 1997. – V. 82. – P. 909-965.293 Canham, L.Т., Cullis, A.G., Pickering, C., Dosser, O.D., Cox, D.I., Lynch, T.P.Luminescent anodized silicon aerocrystal networks prepared by supercritical drying//Nature.

– 1994. – V. 368. – P. 133-134.294 Gullis, A.G., Canham, L.Т. Visible light emission due to quantum size effects in highlyporous crystalline silicon // Nature. – 1991. – V. 353. – P. 335-337.300295 Seto, J.Y.W. The electrical properties of polycrystalline silicon films // J. Appl. Phys. –1975. – V. 46. – P. 5247-5254.296 Ландау, Л.Д., Лифшиц, Е.М. Электродинамика сплошных сред // М.: Наука, 1982.297 Shi, H., Zheng, Y., Wang, Y., Yuan, R. Electrically induced light emission and novelphotocurrent response of a porous silicon device // Appl. Phys. Lett.- 1993.

– V.63. №6 – P. 770-772.298 Kaifeng, L., Yumin, W., Lei, Zh. Shenyi W. Xiangfu Z. Photoconductivitycharacteristics of porous silicon // Chin. Phys. Lett. – 1994. – V. 11. - №5. – P. 289292.299 Каганович, Э.Б., Манойлов, Э.Г., Свечников, С.В. Фоточувствительные структурына пористом кремнии // ФТП.

– 1999. – Т. 33. – Вып. 3. – С. 327-331.300 Canham, L.T., Groszek, A.J. Characterization of microporous Si by flow calorimetry:Comparison with a hydrophobic SiO2 molecular sieve // J. Appl. Phys. – 1992. – V. 72.– P. 1558-1565.301 Накамото, К. Инфракрасные спектры неорганических и координационныхсоединений // М.: Мир, Пер.

с англ., 1966. – C. 536.302 Bai, G.R.,. Qi, M.W, Xie, L.M., Shi, T.S. The isotope study of the Si---H absorptionpeaks in the FZ---Si grown in hydrogen atmosphere // Sol. Stat. Comm. – 1985. – V. 56.- №3. – P. 277-281.303 Borghei, A., Sassella, A., Pivac, B., Pavesi, L. Characterization of porous siliconinhomogeneties by high spatial resolution infrared spectroscopy // Sol. St. Comm. –1993.

– V. 87. - №1. – P. 1-4.304 Литтл, Л. Инфракрасные спектры адсорбированных молекул // М.: Мир, Пер. сангл., 1969. – C. 514.305 Xie, Y.H., Wilson, W.L., Ross, F.M., Mucha, J.A., Fitzgerald, Macaulay, J.M., Harris,T.D. Luminescence and structural study of porous silicon films // J. Appl. Phys. – 1992.– V. 71. - №5. – P. 2403-2407.306 Tsai, C., Li, K.H., Campbell, J.C., Hance, B.V., White, J.M. Laser-induced degradationof the photoluminescence intensity of porous silicon // J. Electr.

Mater. – 1992. – V. 21.- №10. – P. 589-591.307 Anderson, R.C., Muller, R.S., Tobias, C.W. Chemical surface modification of poroussilicon // J. Electrochem. Soc. – 1993. – V. 140. - №5. – P. 1393-1396.301308 Bisi, O., Ossicini, S., Pavesi, L. Porous silicon: a quantum stronge structure for siliconbased optoelectronics // Surface Science Report. – 2000.

– V. 38. – P. 1-126.309 Salonen, J., Lehto, V-P., Laine, E. Thermal oxidation of free-standing porous siliconfilms // Appl Phys. Lett. – 1997. – V. 70. – P. 637.310 Yon, J.J., Barla, K., Herino, R., Bomchil, G. The kinetics and mechanism of oxide layerformation from porous silicon formed on p-Si substrates // J. Appl. Phys. – 1987. - V.62. - №3. – P. 1042-1048.311 Mawhinney, D.B., Glass, J.A., Yates, J.T. FTIR study of the oxidation of porous silicon// J. Phys. Chem. B. – 1997. - V. 101. - №7. – P. 1202-1206.312 Robinson, M.B., Dillon, A.C., Haynes, D.R., George, S.M. Effect of thermal annealingand surface coverage on porous silicon photoluminescence // Appl. Phys.

Характеристики

Список файлов диссертации

Свежие статьи
Популярно сейчас
Почему делать на заказ в разы дороже, чем купить готовую учебную работу на СтудИзбе? Наши учебные работы продаются каждый год, тогда как большинство заказов выполняются с нуля. Найдите подходящий учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
6384
Авторов
на СтудИзбе
308
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее