Диссертация (Оптические и электрические свойства систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов), страница 54
Описание файла
Файл "Диссертация" внутри архива находится в папке "Оптические и электрические свойства систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов". PDF-файл из архива "Оптические и электрические свойства систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве МГУ им. Ломоносова. Не смотря на прямую связь этого архива с МГУ им. Ломоносова, его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой докторскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени доктора физико-математических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст 54 страницы из PDF
Lett. – 1992. V. 61. - №12. – P. 1414-1416.313 Ookubo, N., Ono, H., Ochiai, Y., Mochizuki, Y., Matsui, S. Effects of thermalannealing on porous silicon photoluminescence dynamics // Appl. Phys. Lett. – 1992. V. 61. - № 8. – P. 940-942.314 Lehmann, V., Hofmann, F., Möller, F., Grüning, U. Resistivity of porous silicon: asurface effect // Thin Solid Films. – 1995. – V. 255.
- №1. – P. 20-22.315 Polisski, G., Kovalev, D., Dollinger, G.G., Sulima, T., Koch, F. Boron in mesoporousSi — Where have all the carriers gone? // Physica B. – 1999. - V. 273-274. – P. 951954.316 Timoshenko, V. Yu., Dittrich, Th., Koch, F. Infrared free carrier absorption inmesoporous silicon // Phys. Stat.
sol (b). – 2000. - V. 222. – P. R1-R2.317 Timoshenko, V.Yu., Dittrich, Th., Lysenko, V., Lisachenko, M. G., Koch, F. Freecharge carriers in mesoporous silicon // Phys. Rev. B. – 2001. – V. 64. – P. 085314085321.318 Киселев, В.Ф., Крылов, О.В. Электронные явления в адсорбции и катализе наполупроводниках и диэлектриках // М.: Наука, 1979. – С. 357.319 Boarino, L., Baratto, C., Geobaldo, F., Amato, G., Comini, E., Rossi, A.M., Faglia, G.,Lerondel, G., Sberveglieri, G. NO2 monitoring at room temperature by a porous silicongas sensor // Mat. Sci.
Engin. B. – 2000. –V. 69-70. – P. 210-214.320 Бонч-Бруевич, В.Л., Калашников, С.Г. Физика полупроводников // М.: Наука,1990. – С. 688.302321 Шалимова, К.В. Физика полупроводников // М.: Энергоатомиздат, 1985. – С. 392.322 Борн, М., Вольф, Э. Основы оптики // М.: Наука, 1970. – С. 720.323 Кашкаров, П.К., Константинова, Е.А., Тимошенко, В.Ю. Механизмы влиянияадсорбции молекул на рекомбинационные процессы в пористом кремнии // ФТП.– 1996. – Вып.
30. – С. 1479-1489.324 Hara, H., Nishi, Y. Free carrier absorption in p-type silicon // J. Phys. Soc. Jpn. – 1966.- V. 21. - P. 1222 -1222.325 Spitzer, W., Fan, H.Y. Infrared Absorption in n-type silicon // Phys.Rev. – 1957. - V.108. - №2. – P. 268-271.326 Аверкиев, Н.С., Казакова, Л.П., Лебедев, Э.А., Смирнова, Н.Н. Дрейфоваяподвижность носителей заряда в пористом кремнии // ФТП. – 2001.
– Т. 35. - № 5.– С. 609-611.327 Lebedev, E.A., Smorgonskaya, E.A., Polisski, G. Drift mobility of excess carriers inporous silicon // Phys. Rev. B. – 1998 . – V. 57. – P. 14607-14610.328 Лебедев, Э.А., Дитрих, Т. Ток, ограниченный пространственным зарядом, впористом кремнии и анатазе (TiO2) // ФТП. – 2002.
– Т. 36. – Вып. 10. – С. 12681271..
