Диссертация (Оптические и электрические свойства систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов), страница 49

PDF-файл Диссертация (Оптические и электрические свойства систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов), страница 49 Физико-математические науки (29456): Диссертация - Аспирантура и докторантураДиссертация (Оптические и электрические свойства систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов) - PDF, страница 49 (29456) - СтудИзба2019-03-13СтудИзба

Описание файла

Файл "Диссертация" внутри архива находится в папке "Оптические и электрические свойства систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов". PDF-файл из архива "Оптические и электрические свойства систем, содержащих ансамбли кремниевых нанокристаллов", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "физико-математические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве МГУ им. Ломоносова. Не смотря на прямую связь этого архива с МГУ им. Ломоносова, его также можно найти и в других разделах. , а ещё этот архив представляет собой докторскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени доктора физико-математических наук.

Просмотр PDF-файла онлайн

Текст 49 страницы из PDF

Phys. A. – 2008. – V. 91. - P. 349-352.66Kaneko, T., Wagashi, M., Onisawa, K., Minemura, T. Change in crystallinemorphologies of polycrystalline silicon films prepared by radio[frequency plasma[enhanced chemical vapor deposition using SiF4+H2 gas mixture at 350 °C // Appl. Phys.Lett. – 1994. – V. 64. – P. 1865-1867.67Gogoi, P., Dixit, P.N., Agarwal, P. Amorphous silicon films with high deposition rateprepared using argon and hydrogen diluted silane for stable solar cells // Sol.

EnergyMater. Sol. Cells. – 2007. – V. 91. – P. 1253-125768Campbell, I.H., Fauchet, P.M. The effects of microcrystal size and shape on the onephonon Raman spectra of crystalline semiconductors // Solid State Commun. – 1986. –V. 58(10). – P. 739-741.69Голубев, В.Г., Давыдов, В.Ю., Медведев, А.В., Певцов, А.Б., Феоктистов, Н.А.Спектры рамановского рассеяния и электропроводность тонких пленок кремниясо смешанным аморфно-нанокристаллическим фазовым составом: определениеобъемной доли нанокристаллической фазы // ФТТ. – 1997. – Т. 39. – С. 1348-1353.70Zi, J., Buscher, H., Falter, C., Ludwig, W., Zhang, K., Xie, X. Raman shifts in Sinanocrystals // Appl. Phys.

Lett. – 1996. – V. 69. - P. 200-202.71Viera, G., Huet, S., Boufendi, L. Crystal size and temperature measurements innanostructured silicon using Raman spectroscopy // J. Appl. Phys. – 2001. – V. 90. - P.4175 - 4183.72Soro, M.Y., Gueunier-Farret, M.E., Kleider, J.P. Structural and electronic properties ofhydrogenated polymorphous silicon films deposited at high rates // J. Appl. Phys.

–2011. – V. 109. – P. 023713-1-10.73Brinza, M., Adriaenssens, G.J., Cabarrocas P.R. Time-of-flight measurements of carrierdrift mobilities in polymorphous silicon // Thin Solid Films. – 2003. – V. 427. –P. 123126.28174Kleider, J.P., Cabarrocas, P.R. Reverse bias annealing of Schottky diodes: evidence forthe lower defect density and better stability of polymorphous silicon compared toamorphous silicon // J. Non-Cryst. Solids. – 2002.

– V. 299-302. – P. 599-604.75Voutsas. A.T., Hatalis, M.K., Boyce, J., Chiang, A. Raman spectroscopy of amorphousand microcrystalline silicon films deposited by low-pressure chemical vapor deposition// J. Appl. Phys. – 1995. – V. 78. – P. 6999-7006.76Smit, C., van Swaaij, R.A.C.M.M., Donker, H., Petit, A.M.H.N., Kessels, W.M.M., vande Sanden, M.C.M. Determining the material structure of microcrystalline silicon fromRaman spectra // J. Appl.

Phys. – 2003. – V. 94. – P. 3582-3588.77Chen, C.-Z., Qiu, S.-H., Liu, C.-Q., Wu, Y.-D., Li, P., Yu, C.-Y., Lin, X.-Y. Lowtemperature fast growth of nanocrystalline silicon films by rf-PECVD from SiH4/H2gases: microstructural characterization // J. Phys. D: Appl. Phys. – 2008. – V.41. – P.195413-1-6.78Fogarassy, E., Pattyn, H., Elliq, M., Slaoui, A., Prevot, B., Stuck, R., de Unamuno, S.,Mathé, E.L. Pulsed laser crystallization and doping for the fabrication of high-qualitypoly-Si TFTs, Appl.

Surf. Sci. – 1993. – V. 69. – P. 231-241.79Hong, L., Wang, X., Rusli, Wang, H., Zheng, H., Yu, H. Crystallization and surfacetexturing of amorphous-Si induced by UV laser for photovoltaic application // J. Appl.Phys. – 2012. – V. 111. – P. 043106-1-6.80Fork, D.K., Anderson, G.B., Boyce, J.B., Johnson, R.I., Mei, P. Capillary waves inpulsed excimer laser crystallized amorphous silicon // Appl. Phys.

Lett. – 1996. – V. 68.– P. 2138-2140.81McCulloch, D.J., Brotherton, S.D. Surface roughness effects in laser crystallizedpolycrystalline silicon // Appl. Phys. Lett. – 1995. – V. 66. – P. 2060-2062.82Marmorstein, A., Voutsas, A.T., Solanki, R. A systematic study and optimization ofparameters affecting grain size and surface roughness in excimer laser annealedpolysilicon thin films // J. Appl. Phys. – 1997.

– V. 82. – P. 4303-4309.83Bruines, J.J.P., van Hal, R.P.M., Koek, B.H., Viegers, M.P.A., Boots, H.M.J. Betweenexplosive crystallization and amorphous regrowth: inhomogeneous solidification uponpulsed[laser annealing of amorphous silicon // Appl. Phys. Lett. – 1987. – V. 50. – P.507-509.28284Carluccio, R., Stoemenos, J., Fortunato, G., Meakin, D.B., Bianconi, M. Microstructureof polycrystalline silicon films obtained by combined furnace and laser annealing //Appl. Phys. Lett. – 1995. – V.

66. – P. 1394-1396.85Gontad, F., Conde, J.C., Filonovich, S., Cerqueira, M.F., Alpuim, P., Chiussi ,S. Studyon excimer laser irradiation for controlled dehydrogenation and crystallization of borondoped hydrogenated amorphous/nanocrystalline silicon multilayers // Thin Solid Films.– 2013.

– V. 536. – P. 147-151.86Sundaram, S.K., Mazur, E. Inducing and probing non-thermal transitions insemiconductors using femtosecond laser pulses // Nature Materials. – 2002. – V. 1. – P.217-224.87Saeta, P., Wang, J.-K., Siegal, Y., Bloemberger, N., Mazur, E. Ultrafast electronicdisordering during femtosecond laser melting of GaAs // Phys. Rev.

Lett. 1991. – V. 67.– P. 1023-1026.88Володин,В.А.,Качко,А.С.Кристаллизацияпленокаморфногогидрогенизированного кремния с применением фемтосекундных лазерныхимпульсов // ФТП. – 2011. – Т. 45. – С. 268-273.89Zhou, M., Zeng, D.Y., Kan, J.P., Zhang, Y.K., Cai, L., Shen, Z.H., Zhang, X.R., Zhang,S.Y. Finite element simulation of the film spallation process induced by the pulsed laserpeening // J.

Appl. Phys. – 2003. – V. 94. – P. 2968-2975.90Wang, X.C., Zheng, H.Y., Tan, C.W., Wang, F., Yu, H.Y., Pey, K.L. Femtosecond laserinduced surface nanostructuring and simultaneous crystallization of amorphous thinsilicon film // Optics Express. – 2010. – V. 18. - № 18. – P. 19379-19385.91Her, T.H., Finlay, R.J., Wu, C., Deliwala, S., Mazur, E. Microstructuring of silicon withfemtosecond laser pulses // Appl. Phys. Lett. – 1998. – V. 73(12). – P.

1673-1675.92Her, T.H., Finlay, R.J., Wu, C., Mazur, E. Femtosecond laser-induced formation ofspikes on silicon // Appl. Phys. A Mater. Sci. Process. – 2000. – V. 70(4). – P. 383-385.93Nayak, B.K., Gupta, M.C. Femtosecond-laser-induced-crystallization and simultaneousformation of light trapping microstructures in thin a-Si:H films, Appl. Phys. A. – 2007.– V. 89. – P. 663-666.94Wang, H., Kongsuwan, P., Satoh, G., Yao, Y.

L. Femtosecond laser-induced surfacetexturing and crystallization of a-Si:H thin film // Proceedings of the 2010 International283Manufacturing Science and Engineering Conference, Pennsylvania, USA. - 2010. – P.1-10.95Daminelli, G., Kruger, J., Kautek, W. Femtosecond laser interaction with silicon underwater confinement // Thin Solid Films. – 2004. – V. 467. – P. 334-341.96McCulloch, D.J., Brotherton, S.D. Surface roughness effects in laser crystallizedpolycrystalline silicon // Appl. Phys.

Lett. – 1995. – V. 66. – P. 2060-2062.97Asai, I., Kato, N., Fuse, M., Hamano, T. Poly-Silicon Thin-Film Transistors withUniform Performance Fabricated by Excimer Laser Annealing // Jpn. J. Appl. Phys. –1993. – V. 32. – P. 474-481.98Choi, T.Y., Hwang, D.J., Grigoropoulos, C.P. Ultrafast laser-induced crystallization ofamorphous silicon films // Opt.

Eng. – 2003. – V. 42(11). – P. 3383-3388.99Ma, Z., Liao, X., Kong, G., Chu, J. Raman scattering of nanocrystalline siliconembedded in SiO2 // Science in China (series A). - 2000. – V. 43(4). – P. 414-420.100 Köster, U. Crystallization of amorphous silicon films // Phys. Stat. Sol. (a). – 1978. – V.48(2). – P. 313-321.101 Grunthaner, F.J., Grunthaner, P.J., Vasquez, R.P., Lewis, B.F., Maserjian, J., Madhukar,A. High-resolution X-Ray photoelectron spectroscopy as a probe of local atomicstructure: application to amorphous SiO2 and the Si-SiO2 interface // Phys. Rev. Lett.

1979. – V.43. – P. 1683–1686.102 Hoh, K., Koyama, H., Uda, K., Miura, Y. Incorporation of Oxygen into Silicon duringPulsed-Laser Irradiation // Jpn. J. Appl. Phys. - 1980. – V. 19. – P. L375-L378.103 Finger, F., Muller, J., Malten, C., Carius, R., Wagner, H. Electronic properties ofmicrocrystalline silicon investigated by electron spin resonance and transportmeasurements // J.

Non-Cryst. Solids. – 2000. – V. 266-269. – P. 511-518.104 Finger, F., Muller, J., Malten, C., Wagner, H Electronic states in hydrogenatedmicrocrystalline silicon // Phil. Mag. B. – 1998. – V. 77. - №3. – P. 805-830.105 Vanecek, M., Poruba, A., Remes, Z., Rosa, J., Kamba, S., Vorlicek, V., Meier, J., Shah,A. Electron spin resonance and optical characterization of defects in microcrystallinesilicon // J.

Non-Cryst. Solids. – 2000. – V. 266-269. – P. 519-523.106 Finger, F., Malten, C., Hapke, P., Carius, R., Fluckiger, R., Wagner, H Free electronsand defects in microcrystalline silicon studied by electron spin resonance // Phil. Mag.B. – 1998. – V. 70. - №4. – P. 247-254.284107 Muller, J., Finger, F., Carius, R., Wagner, H. Electron spin resonance investigation ofelectronic states in hydrogenated microcrystalline silicon // Phys. Rev. B. – 1999. – V.60.

- №16. – P.11666-11677.108 Boulitrop, F., Chenevas-Paule, A., Dunstan, D.J. Luminescence and magnetic resonancein post-hydrogenated microcrystalline silicon // Solid State Commun. 1983. – V. 48(2).– P. 181-184.109 Lips, K., Kanschat, P., Brehme, S., Fuhs, W. An ESR study of bandtail states inphosphorus doped microcrystalline silicon // J. Non-Cryst. Solids. – 2002. – V. 299302. – P. 350-354.110 Stegner, A.R., Pereira, R.N., Klein, K., Wiggers, H., Brandt, M.S., Stutzmann, M.Phosphorus doping of Si nanocrystals: interface defects and charge compensation //Physica B.

– 2007. – V. 401-402. – P. 541-545.111 Lima, Jr., M.M., Taylor, P.C., Morrison, S., LeGeune, A., Marques, F.C. ESRobservations of paramagnetic centers in intrinsic hydrogenated microcrystalline silicon// Phys. Rev. B. – 2002. – V. 65. – P. 2353241-2353246.112 Zhou, J.H., Baranovskii, S.D., Yamasaki, S., Ikuta, K., Tanaka, K., Kondo, M.,Matsuda, A., Thomas, P. On the transport properties of microcrystalline silicon at lowtemperatures // Phys. Stat.

Свежие статьи
Популярно сейчас
Как Вы думаете, сколько людей до Вас делали точно такое же задание? 99% студентов выполняют точно такие же задания, как и их предшественники год назад. Найдите нужный учебный материал на СтудИзбе!
Ответы на популярные вопросы
Да! Наши авторы собирают и выкладывают те работы, которые сдаются в Вашем учебном заведении ежегодно и уже проверены преподавателями.
Да! У нас любой человек может выложить любую учебную работу и зарабатывать на её продажах! Но каждый учебный материал публикуется только после тщательной проверки администрацией.
Вернём деньги! А если быть более точными, то автору даётся немного времени на исправление, а если не исправит или выйдет время, то вернём деньги в полном объёме!
Да! На равне с готовыми студенческими работами у нас продаются услуги. Цены на услуги видны сразу, то есть Вам нужно только указать параметры и сразу можно оплачивать.
Отзывы студентов
Ставлю 10/10
Все нравится, очень удобный сайт, помогает в учебе. Кроме этого, можно заработать самому, выставляя готовые учебные материалы на продажу здесь. Рейтинги и отзывы на преподавателей очень помогают сориентироваться в начале нового семестра. Спасибо за такую функцию. Ставлю максимальную оценку.
Лучшая платформа для успешной сдачи сессии
Познакомился со СтудИзбой благодаря своему другу, очень нравится интерфейс, количество доступных файлов, цена, в общем, все прекрасно. Даже сам продаю какие-то свои работы.
Студизба ван лав ❤
Очень офигенный сайт для студентов. Много полезных учебных материалов. Пользуюсь студизбой с октября 2021 года. Серьёзных нареканий нет. Хотелось бы, что бы ввели подписочную модель и сделали материалы дешевле 300 рублей в рамках подписки бесплатными.
Отличный сайт
Лично меня всё устраивает - и покупка, и продажа; и цены, и возможность предпросмотра куска файла, и обилие бесплатных файлов (в подборках по авторам, читай, ВУЗам и факультетам). Есть определённые баги, но всё решаемо, да и администраторы реагируют в течение суток.
Маленький отзыв о большом помощнике!
Студизба спасает в те моменты, когда сроки горят, а работ накопилось достаточно. Довольно удобный сайт с простой навигацией и огромным количеством материалов.
Студ. Изба как крупнейший сборник работ для студентов
Тут дофига бывает всего полезного. Печально, что бывают предметы по которым даже одного бесплатного решения нет, но это скорее вопрос к студентам. В остальном всё здорово.
Спасательный островок
Если уже не успеваешь разобраться или застрял на каком-то задание поможет тебе быстро и недорого решить твою проблему.
Всё и так отлично
Всё очень удобно. Особенно круто, что есть система бонусов и можно выводить остатки денег. Очень много качественных бесплатных файлов.
Отзыв о системе "Студизба"
Отличная платформа для распространения работ, востребованных студентами. Хорошо налаженная и качественная работа сайта, огромная база заданий и аудитория.
Отличный помощник
Отличный сайт с кучей полезных файлов, позволяющий найти много методичек / учебников / отзывов о вузах и преподователях.
Отлично помогает студентам в любой момент для решения трудных и незамедлительных задач
Хотелось бы больше конкретной информации о преподавателях. А так в принципе хороший сайт, всегда им пользуюсь и ни разу не было желания прекратить. Хороший сайт для помощи студентам, удобный и приятный интерфейс. Из недостатков можно выделить только отсутствия небольшого количества файлов.
Спасибо за шикарный сайт
Великолепный сайт на котором студент за не большие деньги может найти помощь с дз, проектами курсовыми, лабораторными, а также узнать отзывы на преподавателей и бесплатно скачать пособия.
Популярные преподаватели
Добавляйте материалы
и зарабатывайте!
Продажи идут автоматически
5259
Авторов
на СтудИзбе
420
Средний доход
с одного платного файла
Обучение Подробнее