Лекции Глотова А.Н., страница 11

Условноеграфическое обозначение приведено на рисунке.┌────┬───────┬────┐││ IOP │<──>│35───┤ SR ││BA0 ├─── 4│ __ ││BA1 ├─── 336───o WR ││BA2 ├─── 2│ __ ││BA3 ├─── 15───o RD ││BA4 ├───40│ __ ││BA5 ├───396───o CS ││BA6 ├───38│││BA7 ├───378───┤ A1 │├────┤│││<──>│9───┤ A0 ││BA0 ├───18├────┤│BA1 ├───19│││BA2 ├───207───x GND││BA3 ├───21│││BA4 ├───2226───x Ucc││BA5 ├───23│││BA6 ├───24│││BA7 ├───25├────┤├────┤│<──>││<──>│34───┤ D0 ││BA0 ├───1433───┤ D1 ││BA1 ├───1532───┤ D2 ││BA2 ├───1631───┤ D3 ││BA3 ├───1730───┤ D4 ││BA4 ├───1329───┤ D5 ││BA5 ├───1228───┤ D6 ││BA6 ├───1127───┤ D7 ││BA7 ├───10└────┴───────┴────┘Рисунок 9.8. Условное графическое обозначение КР580ВВ55А80Назначение выводов КР580ВВ55А┌───────┬───────────┬──────────┬──────────────────────────┐│ Вывод │Обозначение│Тип вывода│Функ.

назначение выводов │├───────┼───────────┼──────────┼──────────────────────────┤│1 - 4 │BA3 - BA0 │ Входы/Вы-│Информационный││37 - 40│BA7 - BA4 │ ходы│канал А││5│RD│ Вход│Чтение информации││6│CS│ Вход│Выбор микросхемы││7│ GND││Общий││ 8, 9 │ A1, A0│ Входы│Младшие разряды адреса││10 - 11│BC7 - BC4 │ Входы/Вы-│Информационный│││BC0 - BC3 │ ходы│канал C││18 - 25│BB0 - BB7 │ Входы/Вы-│Информационный││││ ходы│канал B││ 26│Ucc││Напряжение питания + 5 В ││27 - 34│ D7 - D0│ Входы/Вы-│Канал││││ ходы│данных││ 35│SR│ Вход│Установка в исходное сост.││ 36│WR│ Вход│Запись информации│└───────┴───────────┴──────────┴──────────────────────────┘Структурная схема КР580ВВ55АD0-D7 ┌───────┐┌───┐┌───────┐BA0-BA7/────\│ Канал │/────\│ В │/────\│ Канал │/────\\────/│данных │\────/│ н │\────/│A│\────/└───┬───┘│ у │└───┬───┘│┌───┤ т ├──────────┘└──────┤│ р │││ е │__┌───────┐ ││ н │┌───────┐BC4-BC7RD───>││ ││ н │/────\│ Канал │/────\__│Устрой-│ ││ я │\────/│C│\────/WR───>││ ││ я │└───┬───┘__│ ство │ ├───┤├──────────┘CS───>│├──┤│ м ││ Управ-│ ││ а │A0───>││ ││ г │┌───────┐BC0-BC3│ ления │ ││ и │/────\│ Канал │/────\A1───>││ ││ с │\────/│C│\────/└───┬───┘ ││ т │└───┬───┘│├───┤ р ├──────────┘SR────────┘││ а │││ л │││ ь │┌───────┐BB0-BB7│││/────\│ Канал │/────\││(8)│\────/│B│\────/│└───┘└───┬───┘Рисунок 9.9.└──────────────────┘81Обмен информацией между магистралью данных систем и микросхемойКР580ВВ55А осуществляется через трехстабильный канал данных (D).

Длясвязи с периферийными устройствами используются 24 линии ввода вывода,сгруппированныенаправлениепередачивтрикоторых8-разрядныхопределяютсяканалаBA,программнымBB,BC,способом.Микросхема может функционировать в трех основных режимах. В режиме 0обеспечиваетсявозможностьсинхроннойпрограммно-управляемойпередачи данных через два независимых 8-разрядных канала BA и BB идва 4-разрядных канала BC.Врежиме1обеспечиваетсявозможностьвводаиливыводаинформации в или из периферийного устройства через два независимых 8разрядных канала BA и BB.

При этом линии канала C используются дляприема и выдачи сигналов управления обменом.Врежиме2обеспечиваетсявозможностьобменаинформациейспериферийными устройствами через двунаправленный 8-разрядный каналBA. Для передачи и приема сигналов управления обменом используютсяпять линий канала BC. Выбор соответствующего канала и направлениепередачиинформациисоединяемыеобычночерезсканалмладшимиопределяютсяразрядамишинысигналамиадресаA0,A1,системы,исигналами RD, WR, CS.Режим работы каждого из каналов BA, BB, BC определяетсясодержимым регистра управляющего слова (РУС). Произведя записьуправляющего слова в РУС, можно перевести микросхему в один из трехрежимов работы: режим 0 - простой ввод/вывод;режим 1 - стробируемый ввод/вывод;режим 2 - двунаправленный канал.ПриподачесигналаSRРУСустанавливаетсявсостояние,прикотором все каналы настраиваются на работу в режиме 0 для вводаинформации.

Режим работы каналов можно изменять как в начале, так и впроцессе выполнения программы, что позволяет обслуживать различныепериферийныеустройствавопределенномпорядкеодноймикросхемой.При изменении режима работы любого канала все входные и выходныерегистры каналов и триггеры состояния сбрасываются.В дополнение к основным режимам работы микросхема обеспечиваетвозможность программной независимой установки в 1 и сброса в 0 любого82из разрядов регистра канала BC.Рассмотримпараллельнойодинизпередачинаиболееданных-распространенныхинтерфейсстандартастандартов"Centronics"(отечественный аналог "ИРПР-М").Параллельный интерфейс "Centronics".Основные характеристики:- скорость передачи данных до 1000 байт/сек;- синхронизация внешним импульсом строба;- ответ сигналом BUSY или ASK;- логические уровни напряжения совместимы с ТТЛ.BUSY├───────┐┌────────────────────────────────┐│└─────┘└─────ASK├─┐┌────────────────────────────────┐┌─────│ └─────┘└─────┘│ │5 мкс│DATA │ │<───>│┌──────────────┐┌────├────────┴──────────────┴───────────────────────┴────STROBE├────────│────┐┌────│───────────────────────────┐││└────┘│└│ 0,5│ 0,5│ 0,5││<──>│<──>│<──>│мкс (min)Рисунок 9.10.

Временная диаграмма одного цикла передачи байтапараллельным интерфейсом "Centronics".BUSY - высокий уровень означает неготовность принтера (или другогоприемника) к приему данных, низкий - готовность. Сигнал становитсявысоким во время ввода данных, во время печати, во время нахожденияпринтера в автономном режиме или в состоянии сбоя.ASK - (Asknowledge) - переход с высокого уровня на низкий означаетзавершение ввода данных.DATA - Данные D0..D7.STROBE - синхронизирующий сигнал для записи данных в приемник.Кроме того имеется ряд дополнительных управляющих сигналов.МСКР580ВТ57-четырехканальныйпрограммируемыйконтроллерпрямого доступа к памяти (ПДП), предназначен для высокоскоростногообменамеждугенерациипамятьюмассивапериферийногосистемыипериферийнымипоследовательныхустройства.МСадресовосуществляетустройствамипамятипопутемтребованиюдвунаправленныйобмен83данными между памятью и периферийными устройствами путем формированиявадресномканалемикропроцессорнойсистемыпараметровзаданногомассива адресов ячеек памяти и управляющих сигналов.

Массив адресов,покоторымпроисходитобменданнымимеждуперифериейипамятью,характеризуется начальным адресом, т.е. первым адресом начала обменаи числом циклов обращений к памяти. После предоставления системнойшины со стороны микропроцессора микросхема может осуществить обменмассивомданныхмеждупамятьюипериферийнымустройствамибездальнейшего вмешательства процессора.Каждыйпутемизчетырехканаловинкрементированиямикросхемывыработанногообеспечиваетадреса,адресацию,внешнейпамятимассивами объемом до 16 Кбайт с возможностью задания любого из 64 Кначальных адресов.МСКР580ВН59обслуживаетпоступающихдоот-восьмипрограммногообработкепрерыванийзаданияПриоритеты,запросоввнешнихсредстваАлгоритмпрограммируемыйнаустройств.контроллерпрерываниеМикросхемаиреальныевсприоритетамиприоритетазакрепленныеустанавливаетсязавнешнимимикропроцессора,позволяетобеспечениясистемахпрерываний,затратысократитьвременимногихуровней.программнымустройствами,припутем.могутбытьизменены в процессе выполнения программы. В микросхеме предусмотренавозможностьрасширениячислаобслуживаемыхзапросовдо64путемкаскадного соединения микросхем.МС КР580ГФ24 - генератор тактовых сигналов С1, С2, предназначендля синхронизации работы микропроцессора КР580ВМ80.Генератор формирует:две фазы С1, С2 с положительными импульсами, сдвинутыми во времени,амплитудой 12 В и частотой 0,5 - 3,0 МГц;тактовые сигналы опорной частоты амплитудой напряжения уровня ТТЛ;стробирующий сигнал состояния;тактовые сигналы С, синхронные с фазой С2, амплитудой уровня ТТЛ.МСКР580ИР82иКР580ИР83-8-разрядныеадресныерегистры,предназначенные для связи микропроцессора с системной шиной; обладаютповышенной нагрузочной способностью.

МС КР580ИР82 - 8-разрядный Dрегистр-"защелка" без инверсии и тремя состояниями на выходе, МС84КР580ИР83-8-разрядныйD-регистр-"защелка"синверсиейитремясостояниями на выходе.МС КР580ВА86 и КР580ВА87 - двунаправленные 8-разрядные шинныеформирователи,предназначенныедляобменаданнымимеждумикропроцессором и системной шиной; обладают повышенной нагрузочнойспособностью.МСКР580ВА86-формировательбезинверсииитремясостояниями на выходе, МС КР580ВА87 - формирователь с инверсией итремя состояниями на выходе..8510. ЗАПОМИНАЮЩИЕ УСТРОЙСТВА. МИКРОСХЕМЫ ПАМЯТИ.Полупроводниковые запоминающие устройства (ЗУ) являются одним изосновных типов ЗУ ЭВМ и устройств автоматики.

Полупроводниковые ЗУ этоБИС,предназначенныедляхраненияисчитываниядвоичнойинформации.Микросхемы ЗУ различают по большому набору параметров:Назначение (ОЗУ, ПЗУ);Способу хранения информации: статические,динамические,на ЦМД;Емкости;Быстродействию;Энергопотреблению и питанию;Технологии изготовления;Типу выхода (открытый коллектор, третье состояние, открытый эмиттер)и другим параметрам.Микросхемы памяти изготавливают по полупроводниковой технологиинаосновекремниясвысокойстепеньюинтеграциикристалле, что определяет их принадлежность ккомпонентовнаБИС.Конструктивно БИС ЗУ представляют собой п/п кристалл с площадью внесколько десятков квадратных миллиметров, заключенныйв корпус..8610.1.

АРХИТЕКТУРА БИС ЗУ┌──────┐┌─┬─┬─┬─┬─┬─┬─┬─┬─┬─┬─┐││├─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┤/ ──>││├─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┤│ : │ D C X├──────────>├─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┤│ : ││├ Н А К О П И Т Е Л Ь ┤│ ──>││┌>├─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┤Ao...An /│││ ├─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┤\└───A──┘│ ├─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┤│ ───────┼──────────┐ │ ├─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┼─┤│ :└──────┐│ │ └─┴─┴─┴A┴─┴─┴─┴A┴─┴┬┴─┘│ :││ ││││\ ──────────────┼─┐ │ ││││┌──────┐│ │ │ │ ┌──────┴──────┐│││││ │ │ │ ││││DI │││ │ │ │ │D C Y│││────>│ У З ├───┼─┼─┼─┘ └──A───A───A──┘│││││ │ └──────┘│││││││ └────────────┼───┘││││││││└──────┘││││__││││WR/RD ┌──────┐│││┌──V───┐────>│││││││__│├───┴──────────────┴───────┘││ DOCS│ У У ││ У С ├───>────>││││___ ___ │├──────────────────────────>││(RAS,CAS)││││└──────┘Рис.10.1.└──────┘Устройства ЗУ состоят из следующих узлов:- Накопителя (НК)- Дешифраторов строк и столбцов (DCX, DCY)- Устройства записи (УЗ)- Устройства считывания (УС)- Устройства управления (УУ)В зависимости от типа ЗУ те или иные типовые узлы могут в схемеотсутствовать,составнойнапример БИС ПЗУ не имеют устройства записи.

ОсновнойчастьюМСЗУявляетсямассивэлементовобъединенных в матрицу накопителя. Элемент памяти (ЭП) можетпамяти,хранить87один бит информации.необходимовыбратьКаждый ЭП имеет свой адрес. Для обращения к ЭПегоспомощьюкодаадреса,сигналыкоторогоподведены к соответствующим выводам микросхемы.Запоминающее устройство,ОЗУ или ПЗУ,которое допускаетобращение по адресу к любому ЭП в произвольном порядке,назы-вают ЗУ с произвольной выборкой (ЗУПВ).║║║║║Разрядность кода адреса m, равная числу двоичных единиц в немопределяет информационную емкость МС ЗУ, т.е.

число ЭП в матриценакопителя, которое можно адресовать:оно равно 2m .Например, МС ЗУ, у которой число адресных разрядов m = 10, содержит вматрице 210 = 1024 элемента памяти, т.е. имеет информационную емкость1024 слова. Для ввода и вывода информации служат входные и выходныевыводы МС. Многие МС ЗУ имеют совмещенный вход - выход.Для управления режимом работы микросхеме необходимы управляющиесигналы.