отзыв НПЦАП (Методы ускоренных испытаний сверхбольших интегральных микросхем на надежность)
Описание файла
Файл "отзыв НПЦАП" внутри архива находится в следующих папках: Методы ускоренных испытаний сверхбольших интегральных микросхем на надежность, Документы. PDF-файл из архива "Методы ускоренных испытаний сверхбольших интегральных микросхем на надежность", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
УТВЕРЖ ДАЮПервый заместительгенерального директора понаучной работе ФДУП«НПЦАП», д.т.1ОТЗЫВна автореферат диссертации Дорошевича Павла Викторовича«Методы ускоренных испытаний сверхбольших интегральныхмикросхем на надежность», представленный на соискание ученойстепени кандидата технических наук по специальности 05.02.23 «Стандартизация и управление качеством продукции»Актуальность. Проблемы определения возможных видов и причинотказов СБИС, уточнения методов ускоренных и экспериментальныхиспытаний в части режимов и планов контроля, определения энергииактивации актуальны и востребованы в современном микроэлектронномпроизводстве.Диссертационная работа Дорошевича П.В. посвящена проблемамускоренной оценки и улучшения надежности микросхем.
Все изложенноеуказывает на актуальность рецензируемой работы.Диссертация состоит из четырех глав.В первой главе проведен анализ и рассмотрены результаты испытанийсверхбольших интегральных схем (СБИС) на безотказность, наработку доотказа и электротермотренировку с проектными нормами 1 -0 ,0 9 мкм.Во второй главе рассмотрены возможные виды и причины отказовСБИС по кристаллу, фотолитографическим процессам, диффузии, ионнойимплантации, металлизации и контактам, пассивации, соединению кристаллвывод, креплению кристалла к корпусу, герметизации, примесным эффектами перенапряжению.
Установлено, что ускоряющим фактором длябольшинства механизмов отказов СБИС является повышенная температура.Рассмотрены и уточнены методики определения значения энергии активации- значение энергии активации целесообразно определить путем проведенияпараллельных испытаний выборок в различных режимах с последующейобработкой результатов испытаний.В третьейглавеприведены результатыэкспериментальныхисследований СБИС. По результатам испытаний рассчитаны значенияэнергии активации для СБИС с проектными нормами 0,6 - 0,13 мкм и менее.f a.£>С/<РЗ<ХOS-об.z o S iВ четвертой главе разработан метод ускоренных испытаний набезотказность и наработку до отказа СБИС для проектных норм 0,6 - 0,13мкм и менее.Диссертационные исследования, направленные на решение проблемыпроведения ускоренных испытаний на безотказность и наработку до отказадля СБИС с размерами элементов 0,6 - 0,13 мкм, являются актуальными.Достоверность и обоснованность результатов подтверждаются тем,что основные результаты работы приняты для включения в нормативнотехническую документацию, регламентирующую оценку надежностимикросхем.Научная новизна.1.
Произведён анализ и обобщение статистики результатов испытанийСБИС с проектными нормами 0,6-0,13 мкм на безотказность, наработку доотказа и электротермотренировку, позволяющие определить виды и причиныотказов, изменения (деградацию) параметров в процессе испытаний.2. Разработаны уточненные методы ускоренных и экспериментальныхиспытаний применительно к СБИС в части режимов и планов контроля.3.
Определена энергия активации для СБИС с проектными нормами0,6 - 0,13 мкм (значение энергии активации составляет величину на 0,1 - 0,15эВ больше, чем значение энергии активации для микросхем с проектныминормами 2, 3 мкм и более).4. Разработан метод ускоренных испытаний СБИС на безотказность инаработку до отказа, позволяющий сократить время и затраты на испытанияна 30 %.Практическая значимость работы заключается в том, чторазработанный метод позволяет сократить сроки и стоимость проведенияускоренных испытаний, проводить ускоренную оценку работоспособностиСБИС.Заключение.РассматриваемаядиссертационнаяработаП.В.Дорошевича является законченным научным исследованием, проведеннымавтором самостоятельно на высоком теоретическом и практическом уровняхи является актуальной и своевременной разработкой, имеющей большоезначение для подтверждения необходимой наработки до отказа микросхем.В соответствии с требованиями п.9 Положения о присуждении ученыхстепеней диссертация представляет научно-квалификационную работу, вкоторой на основании выполненных автором исследований решена проблемапроведения ускоренных испытаний СБИС с проектными нормами 0,6 ст.0,13 мкм и менее, имеющая важное экономическое и практическоезначения.К текстовым неточностям диссертации можно отнести использованиенаименования параметров «напряжение верхнего уровня ...» и «ток утечкиверхнего уровня ...».
В современной НТД приняты наименования «напряжение высокого уровня ...» и «ток утечки высокого уровня ...».Однако это не снижает научной и практической ценности диссертации.Считаю, что автор диссертационного исследования «Методыускоренных испытаний сверхбольших интегральных микросхем нанадежность», Дорошевич Павел Викторович, заслуживает присужденияученой степени кандидата технических наук по специальности 05.02.23 «Стандартизация и управление качеством продукции».Начальник отделения Ф ГУП«Научно-производственный центравтоматики и приборостроенияимени академика Н.А.Пилюгина»(ФГУП «НПЦАП»)Адрес: 117342, г.
Москва, ул. Введенского, д. 1Тел./факс: (495)334-9420, e-mail: info@npcap.ruOS~(?£,Р.Б.Назьмов.