отзыв ВНИИ ГОЧС (Методы ускоренных испытаний сверхбольших интегральных микросхем на надежность)

МЧС РОССИИФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕБЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ«ВСЕРОССИЙСКИЙ НАУЧНОИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ПОПРОБЛЕМАМ ГРАЖДАНСКОЙ ОБОРОНЫ ИЧРЕЗВЫЧАЙНЫХ СИТУАЦИЙ»(ФЕДЕРАЛЬНЫЙ ЦЕНТР НАУКИ ИВЫСОКИХ ТЕХНОЛОГИЙ)ФГБУ ВНИИ ГОЧС (ФЦ)ул. Давыдковская, 7, г. Москва, 121352Тел. (499)233-25-40, факс (499)233-25-36E-mail: vniigochs@vniigochs.ruhttp://www.vniigochs.ruНа№ОТотзывна автореферат диссертации Дорошевича Павла Викторовича «Методыускоренных испытаний сверхбольших интегральных микросхем на надежность»,представленный на соискание ученой степени кандидата технических наук поспециальности 05.02.23 - «Стандартизация и управление качеством продукции»Актуальность. К микросхемам предъявляютсявысокие требования понадежности (наработки до отказа).В настоящее время имеется увеличенная потребность наработки до отказа в 1,5- 2 раза. Подтверждение таких требований натурными испытаниями требуетбольших временных и материальных затрат.За последние годы ведущими отечественными предприятиями разрабатываютсямикросхемы с размерами элементов 0,6-0,13 мкм и менее.

Проводятся работы поразработке технологических процессов для производства указанных микросхем.Рецензируемая работа, посвящена проведению исследований по определениюэнергии активации, механизмов отказов для микросхем текущего производства иразработке метода ускоренных испытаний на безотказность и наработку до отказа сразмерами элементов 0,6-0,13 мкм и менее, что подтверждает актуальность данногоисследования.ВНИИ ГОЧС сертифицированпо требованиям ISO 9001:2008Достоверность научно-практических результатов диссертационной работыподтверждается результатами экспериментальных испытаний.Диссертация состоит из четырех глав.В первой главе проведен анализ и рассмотрены результаты испытанийсверхбольших интегральных схемы (СБИС) на безотказность, наработку до отказа иэлектротермотренировку.Во второй главе рассмотрены возможные виды и причины отказов СБИС покристаллу, фотолитографическим процессам, диффузии, ионной имплантации,металлизации и контактам,пассивации, соединению кристалл-вывод, креплениюкристалла к корпусу, герметизации, примесным эффектам и перенапряжению.Установлено, что ускоряющим фактором для большинства механизмов отказовСБИС является повышенная температура.

Рассмотрены и уточнены методикиопределениязначенияэнергииактивации-значениеэнергииактивациицелесообразно определить путем проведения параллельных испытаний выборок вразличных режимах с последующей обработкой результатов испытанийВ третьей главе Приведены результаты экспериментальных исследованийСБИС.

По результатам испытаний рассчитаны значения энергии активации дляСБИС с проектными нормами 0,6-0,13 мкм.В четвертой главе разработан метод ускоренных испытаний на безотказностьи наработку до отказа СБИС для проектных норм 0,6-0,13 мкм и менее.К основным научным результатам работы следует отнести:1. Уточненныеметодыускоренныхиэкспериментальныхиспытанийприменительно к СБИС в части режимов и планов контроля.2. Определение энергии активации для СБИС с проектными нормами 0,6-0,13мкм.3.

Разработанный метод ускоренных испытаний СБИС с проектными нормами0,6-0,13 мкм на безотказность и наработку до отказа.Практическая значимость диссертационной работы обусловлена тем, чторазработанный метод предложен и принят для включения в проект стандарта«Микросхемы интегральные. Методы ускоренных испытаний на безотказность инаработку до отказа».Следует отметить следующие замечания:1. Соискателем предложен метод ускоренных испытанийдля СБИС спроектными нормами 0,6-0,13 мкм, который целесообразно распространить длядругих групп однородной продукции.2. Целесообразно в автореферате привести обоснование выбора ускоряющегофактора при ускоренных испытаниях.Заключение.

Рассматриваемая диссертационная работа Дорошевича П.В.являетсязаконченнымнаучнымисследованием,проведеннымавторомсамостоятельно на высоком теоретическом и практическом уровне, что даетоснование считать её актуальной и своевременной разработкой, имеющей большоезначение для проведения ускоренных испытаний, работой, в которой авторомпредложено решение актуальных проблем ускоренной оценки и улучшениянадежности микросхем.В соответствии с требованиями п.9 Положения о присуждении ученыхстепеней диссертация представляет научно-квалификационную работу, в которой наосновании выполненных автором исследований решена проблема, имеющая важноеэкономическое значение для разработки и производства микросхем с проектныминормами 0,6-0,13 мкм и менее.

Считаю, что автор диссертационного исследования«Методыускоренных испытаний сверхбольших интегральных микросхем нанадежность», Дорошевич Павел Викторович, заслуживает присуждения ученойстепени кандидата технических наук по специальности 05.02.23 - «Стандартизацияи управление качеством продукции»..