отзыв 46 ЦНИИ (Методы ускоренных испытаний сверхбольших интегральных микросхем на надежность)

МИНИСТЕРСТВО ОБОРОНЫРОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ(МИНОБОРОНЫ РОССИИ)ФИЛИАЛФЕДЕРАЛЬНОГО ГОСУДАРСТВЕННОГОБЮДЖЕТНОГО УЧРЕЖДЕНИЯ46 ЦЕНТРАЛЬНЫЙНАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙИНСТИТУТ141006, Московская обл., г. Мытищи_2015 г. № 12Ученому секретарю диссертационного совета,доктору технических наук, доцентуМосковского государственного университетарадиотехники и электроникиС.С. ЗАМУРУЕВУ119454, г. Москва, пр.

Вернадского, д.78///^Направляю Вам отзыв на автореферат диссертации Дорошевича П.В.на тему: «Методы ускоренных испытаний сверхбольших интегральныхмикросхем на надежность», представленной на соискание ученой степеникандидата технических наук по специальности 05.02.23 - «Стандартизацияи управление качеством продукции».Приложение: 1. Отзыв экз. №№ 1-3 на 3 л. каждый, н/с,2. Экз.

№№ 1, 2 - в адрес, экз. № 3 - в дело.Заместитель начальника филиалапо научной работеД.В.МатюхинЭкз. № JОТЗЫВна автореферат диссертации Дорошевича Павла Викторовича«Методы ускоренных испытаний сверхбольших интегральныхмикросхем на надежность», представленный на соискание ученойстепени кандидата технических наук по специальности05.02.23 - «Стандартизация и управление качеством продукции»Актуальность.

К микросхемам предъявляются высокие требованияпо надежности (наработки до отказа).В настоящее время имеется потребность увеличения наработки до отказав 1 , 5 - 2 раза. Подтверждение таких требований натурными испытаниямитребует больших временных и материальных затрат.За последние годы ведущими отечественными предприятиямиразрабатываются микросхемы с размерами элементов 0,6-0,13 мкм и менее.Проводятсяработыпоразработкетехнологическихпроцессовдля производства сверхбольших интегральных схем (СБИС).Рецензируемаяработа,посвященапроведениюисследованийпо определению энергии активации, механизмов отказов для микросхеми разработке метода ускоренных испытаний на безотказность и наработкудо отказа СБИС с размерами элементов 0,6-0,13 мкм и менее,что подтверждает актуальность данного исследования.Диссертация состоит из четырех глав.В первой главе проведено обобщение и анализ результатов испытанийСБИС на безотказность, наработку до отказа и электротермотренировку.Установлено, что имеет место деградация основных параметров.Во второй главе рассмотрены возможные виды и причины отказовСБИС по основным технологическим операциям.

Рассмотрены методыускоренных и экспериментальных испытаний. Установлено, что ускоряющимфактором для большинства механизмов отказов СБИС является повышеннаятемпература.Значение энергии активации целесообразно определить путемпроведения параллельных испытаний выборок в различных режимахс последующей обработкой результатов испытанийВ третьей главе приведены результаты экспериментальныхисследований СБИС при трех значениях температуры.

По результатамиспытаний рассчитана энергия активации для СБИС с проектными нормами0,6-0,13 мкм.В четвертой главе разработан метод ускоренных испытаний набезотказность и наработку до отказа СБИС для проектных норм 0,6-0,13 мкми менее.К недостаткам автореферата следует отнести следующее:Отсутствиеобоснованиявыбранныхзначенийтемпературыпри испытаниях и температуры кристалла (очевидно автор имел ввидутемпературу р-n перехода), что особенно актуально при проведениииспытаний микросхем с большими значениями рассеиваемой мощности(до десятков ватт).К основным научным результатам работы следует отнести:1. Уточнение методов ускоренных и экспериментальных испытанийприменительно к СБИС по режимам и планам контроля.2. Определение энергии активации для СБИС с проектными нормами0,6-0,13 мкм, значение которой на 0,1-1,5 эВ больше для микросхемс проектными нормами 2,3 мкм и более.3.

Разработанный метод ускоренных испытаний СБИС с проектныминормами 0,6-0,13 мкм на безотказность и наработку до отказа.Обоснованностьи достоверностьполученных результатовдиссертационной работы подтверждается результатами экспериментальныхиспытаний.Практическая значимость работы заключается в том, чторазработанныйметодпозволяетпроводитьускореннуюоценкуработоспособности СБИС сократить длительность и затраты на испытания на30%. Рекомендации по устранению возможных причин отказов позволяютпроводить уточнение технологического процесса для повышения надежностиСБИС.Достоверность и обоснованность результатов подтверждаются тем,что основные результаты работы предложены и приняты для включения внормативно-техническуюдокументацию,регламентирующуюоценкунадежности микросхем («Методы ускоренных испытаний микросхем набезотказность и наработку»).Заключение.

Рассматриваемая диссертационная работа ДорошевичаП.В. является законченным научным исследованием, проведенным авторомна достаточном теоретическом и практическом уровне, что дает основаниесчитать её актуальной и своевременной разработкой, имеющей большоезначение для проведения ускоренных испытаний.В соответствии с требованиями п.9 Положения о присуждении ученыхстепеней диссертация представляет научно-квалификационную работу,в которой на основании выполненных автором исследований решенапроблема, позволяющая оценить в приемлемое время показателибезотказности микросхем с проектными нормами 0,6-0,13 мкм и менее.Считаю, что автор диссертации (исследования «Методы ускоренныхиспытаний сверхбольших интегральных микросхем на надежность»),Дорошевич Павел Викторович, заслуживает присуждения ученой степеникандидата технических наук по специальности 05.02.23 - «Стандартизацияи управление качеством продукции».Отзыв рассмотрен и одобрен на заседании научно-технического советаФилиала ФГБУ «46 ЦНИИ» Минобороны России протокол № 7 от 29 мая2015 г.Кандидат технических наук,Начальник отдела Филиала ФГБУ «46 ЦНИИ» Минобороны России, 141006,г.Мьггшци>44Д5^586-99-85 (272), 89037892355, andrei.7763ok@mail.ruАндрей Александрович ОрловУченый секретарь НТС Филиала ФГБУ «46 ЦНИИ» Минобороны России,кандидат технических наукАлексей Сергеевич Афанасьев.