Заключение ДисСовета (Методы ускоренных испытаний сверхбольших интегральных микросхем на надежность)
Описание файла
Файл "Заключение ДисСовета" внутри архива находится в следующих папках: Методы ускоренных испытаний сверхбольших интегральных микросхем на надежность, Документы. PDF-файл из архива "Методы ускоренных испытаний сверхбольших интегральных микросхем на надежность", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой кандидатскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени кандидата технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
ЗАКЛЮЧЕНИЕ ДИССЕРТАЦИОННОГО СОВЕТАД 212.131.04, на базе Федерального государственного бюджетного образовательного учреждения высшего образования «Московский государственныйуниверситет информационных технологий, радиотехники и электроники»,по диссертации Дорошевича Павла Викторовича, на соискание ученой степеникандидата технических наукаттестационное дело № ______________________________решение диссертационного совета от 25.06.2015 № 52О присуждении Дорошевичу Павлу Викторовичу, гражданину РФ, ученойстепени кандидата технических наук.Диссертация «Методы ускоренных испытаний сверхбольших интегральныхмикросхем на надежность» в виде рукописи по специальности 05.02.23 - «Стандартизация и управление качеством продукции» принята к защите «21» апреля2015 г., протокол № 08/2015, диссертационным советом Д 212.131.04 на базеФГБОУ ВО «Московский государственным университет информационных технологий, радиотехники и электроники» (МИРЭА), 119454 г.
Москва, проспект Вернадского, дом 78, созданным по приказу Минобрнауки России № 105/нк от11.04.2012 для защиты кандидатских и докторских диссертаций по специальностям 05.02.22 «Организация производства» по техническим наукам, 05.02.23«Стандартизация и управление качеством продукции» по техническим наукам и05.26.01 «Охрана труда» по техническим наукам.Соискатель Дорошевич Павел Викторович, 1990 года рождения, гражданинРФ, в 2012 году окончил МИРЭА по специальности «Стандартизация и сертификация.
В 2013 году Дорошевич Павел Викторович окончил МИРЭА по специальности «Экономика и управление на предприятии (в приборостроении)».Удостоверение о сдаче кандидатских экзаменов № 17-22/01-2015 выдано 12марта 2015 г. ФГБОУ ВО «Московский государственным университет информационных технологий, радиотехникии электроники».Диссертация выполнена на кафедре метрологии и стандартизации ФГБОУВО «Московский государственным университет информационных технологий,радиотехники и электроники».В период подготовки диссертации в 2009 - 2014 год был соискателем кафедры метрологии и стандартизации ФГБОУ ВО «Московский государственнымуниверситет информационных технологий, радиотехники и электроники». С 2009года работал в ООО «Эленорд», в должности начальника службы контроля качества, занимаясь системой качества поставок электронной компонентной базы российских предприятий, выполняющих государственный оборонный заказ.
Соискатель Дорошевич П.В. участвовал в проведении исследований и ускоренных испытаниях сверхбольших интегральных схем совместно с ФГУ «22 ЦНИИИ Минобороны России» (Факультет электроники ФГБОУ ВО «Московский государственным университет информационных технологий, радиотехники и электроники» Базовая кафедра № 141). В 2012 году продолжил работу в должности главногоспециалиста ОАО «Радиотехническом институте имени академика A.JI.
Минца».Научный руководитель - Марин Владимир Петрович, гражданин Российской Федерации, доктор технических наук, профессор кафедры метрологии истандартизации факультета электроники ФГБОУ ВО «Московский государственным университет информационных технологий, радиотехники и электроники».Официальные оппоненты:1. Николаев Василий Николаевич, гражданин Российской Федерации, доктортехнических наук, профессор, главный научный сотрудник Филиала ФГБУ «46ЦНИИ Министерства обороны»;2. Гамкрелидзе Сергей Анатольевич, гражданин Российской Федерации, доктор технических наук, профессор, главный научный сотрудник Федерального государственного бюджетного учреждения науки Института сверхвысокочастотнойполупроводниковой электроники Российской академии наук;дали положительные отзывы на диссертацию.Ведущая организация Центр микроэлектроники ОАО «Ангстрем» г.
Москва, Зеленоград, в своем положительном заключении, подписанном МинаевымВ.В., доктором физико-математических наук, секретарем НТС, ведущим научнымсотрудником ОАО «Ангстрем» и утвержденном заместителем председателя НТС,директором центра микроэлектроники - главным конструктором, кандидатом технических наук Машевичем П.Р., указала, что диссертация выполнена на высокомнаучном уровне, изложена четким научным языком, содержание автореферата соответствует содержанию диссертации. В отзыве отмечается, что в работе содержится решение актуальной и важной для обороноспособности страны научной задачи - ускоренная оценка надежности сверхбольших интегральных схем (СБИС)с проектными нормами 0,6-0,13 мкм.
Работа соответствует паспорту специальности 05.02.23 «Стандартизация и управление качеством продукции».Соискатель имеет 7 опубликованных научных работ общим объемом 1,54печатных листов (из них 0,83 автора), в том числе по теме диссертации 7 работ,опубликованных в рецензируемых научных изданиях.Наиболее значимые научные работы по теме диссертации:1. Дорошевич В.К., Дорошевич П.В. Определение оптимального состава отбраковочных испытаний пластин и микросхем. "Наукоемкие технологии" №4,2012.
- с.40 - 44.2. Дорошевич К.К., Поздеев А.П., Дорошевич П.В., Попова Н.В. Результатыиспытаний сверхбольших интегральных микросхем с топологическими нормами0,6-0,13 мкм на наработку до отказа и электротермотренировку. МО РФ "Военнаяэлектроника и электротехника", вып. 64, ч. 1, 2012. - с. 132 - 138.3. Дорошевич П.В. Возможные виды отказов сверхбольших интегральныхсхем. МО РФ "Военная электроника и электротехника", вып. 65 (Ф), ч.
2, 2013. с. 67 - 73.4. Дорошевич П.В. Исследования по определению энергии активации сверхбольших интегральных схем. МО РФ "Военная электроника и электротехника",вып. 65 (Ф), ч. 2, 2013. - с.85-92.На диссертацию и автореферат поступили отзывы из:- Филиала ФГБУ «46 ЦНИИ» Минобороны России от начальника отдела,к.т.н., А.А. Орлов, ученого секретаря НТС, к.т.н., А.С. Афанасьева (утвержден отзыв заместителем начальника филиала ФГБУ «46 ЦНИИ» МО по научной работе,к.т.н., доцентом Д.В. Матюхиным);- ФГБУ ВНИИ ГОЧС (ФЦ) от заместителя начальника ФГБУ ВНИИ ГОЧС(ФЦ), заслуженного деятеля науки РФ, д.т.н., профессора С.А.
Качанова;- АО «НЛП «Геофизика-Космос» от начальника отдела применения ЭКБП.Р. Прокофьева (утвержден отзыв главным конструктором АО «Н1111 «ГеофизикаКосмос» М.Г. Пироговым);- ОАО «ЦКБ «Дейтон» от главного конструктора Ю.Н. Смирнова;- Филиала научно-технического центра «Белмикросистемы», холдинга«ИНТЕГРАЛ» от заместителя директора филиала научно-технический центр «Белмикросистемы» холдинга «ИНТЕГРАЛ», член-кор.
НАН РБ, лауреата Государственной премии республики Беларусь, заслуженного изобретателя республики Беларусь, д.т.н., профессора А.И. Белоуса;- ФГБУ «Научно-производственный комплекс «Технологический центр»МИЭТ» от главного контролёра, к.т.н., А.С. Федорова;- АО «Концерн «Созвездие» от руководителя проекта электронной компонентной базы, к.т.н., доцента B.C.
Цымбалюка;- ФГУП «Научно-производственный центр автоматики и приборостроенияимени академика Н.А.Пилюгина» от начальника отделения Р.Б. Назьмова (отзывутвержден первым заместителем генерального директора по научной работе ФГУП«НГТПАП», д.т.н., профессором В.А. Немкевичем);- ОАО «Экситон» от начальника управления контроля качества В.Н. Богрова(отзыв утвержден генеральным директором ОАО «Экситон» О.Э. Хукеяном);- ФГБУ «16 ЦНИИИ» МО РФ от старшего научного сотрудника, к.т.н., с.н.с.,B.C. Качалубы, начальника отдела А.И.
Таранова;- ОАО «НИИМА «Прогресс» от заместителя генерального директора поСАПР, АСУ и разработке СБИС специального назначения Ю.В. Завалина (отзывутвержден главным научным руководителем ОАО «НИИМА «Прогресс» В.Г. Немудровым);- ОАО «Восход»-КРЛЗ от главного конструктора Ю.А. Зайцева.Все отзывы положительные.Наиболее существенные замечания, содержащиеся в отзывах:1.В автореферате не приведено обоснование выбора метода проведения экспериментальных испытаний.2. В автореферате не приведено обоснование выбора ускоряющего факторапри ускоренных испытаниях.3.
Предложенный метод ускоренных испытаний для СБИС с проектныминормами 0,6-0,13 мкм целесообразно распространить для других групп однородной продукции.4. В космической технике применяются микросхемы с более низкими топологическими нормами и в перспективе требуется проведение аналогичных исследований для технологий 180-65 нм.Отмеченные недостатки не снижают достоинств и общего положительноговпечатления от работы.Выбор официальных оппонентов и ведущей организации обоснован новизной представленной диссертационной работы, которая состоит в создании методаускоренных испытаний сверхбольших интегральных схем с проектными нормами0,6 -0,13 мкм и менее, и практической значимостью исследования, состоящей всокращении длительности и затрат на испытания на 30 %.Это потребовало привлечения для оппонирования данной работы, имеющейглубокий как теоретический, так и прикладной характер, следующих специалистов:-для анализа правильности теоретической постановки выбранной авторомпроблемы, а также для оценки получаемых выводов и заключений;-для анализа предлагаемого метода ускоренных испытаний СБИС;-для оценки результатов реализации авторских разработок в конкретнойпредметной области - предприятий - разработчиков, производящих микросхемы.Диссертационный совет отмечает, что на основании выполненных соискателем исследований:разработаны программа испытаний СБИС с проектными нормами 0,6 - 0,13мкм и менее, методические подходы к определению энергии активации, коэффициента ускорения, констант моделей ускорения, границы допустимого форсирования при проведении ускоренных испытаний на наработку до отказа указанныхСБИС; типовой состав видов и причин отказов указанных СБИС;предложен метод ускоренных испытаний на безотказность и наработку доотказа СБИС с проектными нормами 0,6 - 0,13 мкм и менее позволяющий сократить длительность и затраты на испытания на 30 %;доказано, что:- определяющим фактором ускоренных испытаний на наработку до отказаявляется повышенная температура;- значение энергии активации целесообразно определять путем проведенияпараллельных испытаний выборок в различных режимах;- среднее значение энергии активации на 0,1-0,15 эВ больше, чем значениеэнергии активации для микросхем с проектными нормами 2,3 мкм и более.введены понятия коэффициента ускорения, констант моделей ускорения,границы допустимого форсирования для СБИС с проектными нормами 0,6-0,13мкм и менее, а также определен типовой состав видов и причин отказов для указанных СБИС, введены требования для проведения ускоренных испытаний поподтверждению наработки до отказа СБИС с проектными нормами 0,6 - 0,13 мкми менее.Теоретическая значимость исследования обоснована тем, что:доказано на основе проведенных испытаний что, для ускоряющего факторанеобходимо определить температуру, энергию активации необходимо определятьпутем проведения параллельных испытаний выборок в различных режимах;применительно к проблематике диссертации эффективно использован существующий метод ускоренных испытаний для СБИС с проектными нормами 2,3 и более мкм;изложены: типовой состав видов и причин отказов СБИС с проектныминормами 0,6-0,13 мкм и менее, возможные методы проведения ускоренных испытаний, экспериментальных испытаний по определению энергии активации;раскрыты проблемы при проведении ускоренных испытаний СБИС с проектными нормами 0,6-0,13 мкм и менее;изучены существующие методы ускоренных и экспериментальных испытаний СБИС, а также методы проведения испытаний для определения энергии активации, виды и причины отказов СБИС с проектными нормами 2, 3 и более мкм;проведена модернизация существующих методов ускоренных испытаний набезотказность и наработку до отказа СБИС с проектными нормами 2, 3 мкм и более, апробация разработанного метода на ряде предприятий оборонной промышленности.Значение полученных соискателем результатов исследования дляпрактики подтверждается тем, что:разработаны и внедрены методические подходы к определению энергииактивации, коэффициента ускорения, констант моделей ускорения, границы допустимого форсирования при проведении ускоренных испытаний на наработку доотказа СБИС с проектными нормами 0,6 - 0,13 мкм и менее; разработанный методпредложен и принят для включения в проект стандарта «Микросхемы интегральные.