Автореферат (Методы ускоренных испытаний сверхбольших интегральных микросхем на надежность), страница 3

На основе исследований получены следующие результаты.Проведен анализ и уточнение существующих методов ускоренных иэкспериментальных испытаний на безотказность и наработку до отказа,разработанных применительно к микросхемам с проектными нормами 2, 3 мкм иболее, разработана программа испытаний, методология испытаний СБИС;проведено обобщение, анализ результатов испытаний на безотказность инаработку до отказа СБИС. На основе проведенного анализа определеныметодические подходы к определению энергии активации, коэффициентаускорения, констант моделей ускорения, границы допустимого форсированияпри проведении ускоренных испытаний на наработку до отказа СБИС;определен типовой состав видов и причин отказов СБИС.3.

В результате экспериментальных исследований установлено, что:– определяющим фактором ускоренных испытаний на наработку до отказаявляется повышенная температура;– значение энергии активации целесообразно определять путем проведенияпараллельных испытаний выборок в различных режимах;– среднее значение энергии активации на 0,1–0,15 эВ больше, чем значениеэнергии активации для микросхем с проектными нормами 2,3 мкм и более.Разработан метод ускоренных испытаний на наработку до отказа СБИС дляпроектных норм 0,6–0,13 мкм и менее.Основой данного метода является методика проведения ускоренныхиспытаний при повышенной температуре.174.

Полученная энергия активации для микросхем с проектными нормами0,6–0,13 мкм и менее позволяет сократить время проведения ускоренныхиспытаний на безотказность и наработку до отказа.5. Результаты работы реализованы.Разработанные предложения по обеспечению качества, в том числе и методускоренных испытаний на наработку до отказа предложены для внесения встандарт «Микросхемы интегральные. Методы ускоренных испытаний набезотказность и наработку до отказа».6. Внедрение разработанных предложений по обеспечению качества, в томчисле метода ускоренных испытаний на наработку до отказа позволит сократитьвремя и затраты на испытания по подтверждению наработки до отказа 100-200тысяч часов порядка 30 %.Апробация положений диссертационной работы подтверждается тем, чтовсе основные результаты предложены для включения в нормативно-техническую документацию, регламентирующую проведение ускоренных испытаний поподтверждению наработки до отказа.ОСНОВНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ1.

Дорошевич П.В. Возможные виды отказов сверхбольших интегральныхсхем. МО РФ "Военная электроника и электротехника", вып. 65 (Ф),ч. 2, 2013. – с. 67 – 73.2. Дорошевич П.В. Исследования по определению энергии активациисверхбольшихинтегральныхсхем.МОРФ"Военнаяэлектроникаиэлектротехника", вып. 65 (Ф), часть 2, 2013.

– с. 85 – 92.3. Дорошевич К.К., Дорошевич П.В., Поздеев А.П. Методологияпроведения ускоренных испытаний перспективных больших интегральных схеми сверхбольших интегральных схем на надежность. МО РФ "Военнаяэлектроника и электротехника", вып. 63, ч. 2, 2011. – с. 39 – 43.184. Дорошевич К.К., Поздеев А.П., Дорошевич П.В., Попова Н.В. Результатыиспытаний сверхбольших интегральных микросхем с топологическими нормами0,6-0,13 мкм нанаработку до отказа и электротермотренировку. МО РФ"Военная электроника и электротехника", вып. 64, ч.

1, 2012. – с. 132 – 138.5. Дорошевич К.К., Поздеев А.П., Дорошевич П.В., Попова Н.В. Методыгерметизациимикросхем,гарантирующиевыполнениетребованийпосодержанию влаги в подкорпусном объеме. МО РФ "Военная электроника иэлектротехника", вып. 65, часть 1, 2013. – с. 174 – 178.6. Дорошевич В.К., Дорошевич П.В. Определение оптимального составаотбраковочных испытаний пластин и микросхем. "Наукоемкие технологии" №4,2012.

– с.40 - 44.7.ДорошевичК.К.,ДорошевичВ.К.,ДорошевичП.В.Системанормативного обеспечения и контроля качества изделий микроэлектроники навсех этапах их жизненного цикла. МО РФ "Военная электроника иэлектротехника", вып. 66 (Ф), ч. 2, 2014. – с. 55 – 63..