Отзыв на автореферат 1 (Физикотехнологические принципы разработки и производства алмазных ультрафиолетовых детекторов и приборов на их основе)
Описание файла
Файл "Отзыв на автореферат 1" внутри архива находится в следующих папках: Физикотехнологические принципы разработки и производства алмазных ультрафиолетовых детекторов и приборов на их основе, Документы. PDF-файл из архива "Физикотехнологические принципы разработки и производства алмазных ультрафиолетовых детекторов и приборов на их основе", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технические науки" из Аспирантура и докторантура, которые можно найти в файловом архиве РТУ МИРЭА. Не смотря на прямую связь этого архива с РТУ МИРЭА, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "остальное", в предмете "диссертации и авторефераты" в общих файлах, а ещё этот архив представляет собой докторскую диссертацию, поэтому ещё представлен в разделе всех диссертаций на соискание учёной степени доктора технических наук.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
отзьк на автореферат диссертации Фещенко Валерик Сергеевича на тему кФизнкотехнологическне прннципь| разработки н производства алмазных ультрафиолетовых детекторов н приборов на нх основе», представленной на соискание ученой степени доктора технических наук по специальности 05.27,01 — Твердотельная электроника„ радиоэлектронные компоненты, микро- н нано- электроника, приборы на квантовых эффектах. Комплекс экспериментальных исследований способов в методов разработки, нзготовленил и испытаний алмазных ультрафиолетовых детекторов, представленный автором, в диссертации, безусловно, являетсн весьма актуальной работой.
Это подтверждается тем, что детекторы УФ излучения н новые материалы для УФ диапазона востребованы в инновационных технологиях фотолитографии, в атмосферных н аэрокосмических исследованиях, прецизионной микрообработке материалов, фотохимни, биологии, медицине, в элементах нанотехнологий н фотонике. Кроме того интерес к УФ-С диапазону спектра обусловлен тем, что он имеет предельно низкий уровень фоновых помех. Спектральный диапазон от 280 нм и меньше можно охарактеризовать как свободный от воздействил солнечного излучения /солнечно-слепой). Отсутствие естественных помех, обусловленных солнечной радиацией, и низкий уровень фоновых помех в УФ-С диапазоне делает солнечно-слепой диапазон весьма привлекательным для создания фотоприймной аппаратуры, решающей различные технические задачи. Алмазные фотоприемники УФ излучения обладают преимуществом перед своими конкурентам я благодари своим уникальным свойствам: высокая *гувствнтельность в диапазоне 190-250 нм в низкая чувствительность к солнечному излучению 1отношение чувствителыюсти к видимому света на 5 гюрядков меньше, чем к УФ излучению), высокая подвижность носителей заряда /<2500 1см'/В.с) у электронов, и <2100 (см /В с) у дырок), высокая теплопроводность /2000 Вт//м К).
Кроме того, алмаз обладает рекордной твердостью, хюахческой инертностью и радиационной стойкостью. Автором разработан ряд новых методик, созданы экспериментальные установки, отработана технологнл изготовления ультрафиолетовых детекторов на основе алмаза. Ызготовлены н нспьпаны как алмазные датчики, так н приборы на их основе. Диссертация Фешенко В.С. представляет собой цельное„завершенное и системное исследование, и открывает новые возможности прн решении задач по изготовлению алмазной твердотельной электроники и регистрации УФ излучения. Среди наиболее значимых научных результатов, впервые полученных автором, можно выделить следуюш е: разработана технология производства одноэлементных алмазных детекторов основанная на классической полупроводниковой технологии; а разработана конструкцнл многоэлементных детекторов матричного и линейного тяпа,, от.'шчаюшаксл тем, что детектирование УФ-излучения происходит в алмазных фотоприемниках, а обработка электрического сигнала 1накопление, опрос) - в кремниевом мультиплексоре„ е впервые в мире была изготовлена алмазнак матрица форматом 128х128, спектральным диапазоном от 180 ло 270 нм, с геометрическим |аумом 8,5О'~„состыкованнак с мулл.,типлексором посредством нндиевых столбцов н с ее помощью было получено УФ- изображение:, на основе алмазной матрицы бь1ло разработано н изготовлено устройство наблюдения с пороговой чувствительностью 3,6 1О" Вт/см; впервые в мире на ~с~~~е атмазной четырйхэлементноЙ матрицы был разр~бо~~н и изготовлен высокоскоростной четырехканальный детектор ультрафиолетового излучения, который имеет постокнную времени не хуже 1„8 нс.
Полученные автором впервые результаты г одтверждены пятью патентамн Доктор технических, наук, Г$изфессор, зам. заведуюхцего кафедрой с Х1рикладная ядерная физика» телефон: 8-916-554-3 7-57 е"пзап: у1заглояайоу~азперЫ. Гс В.Т. Самосадный l~ а,5 ~ф. В.Г. Цыганов Практическая цечность работы тааке не вызывает сомнений — начата разработка отечественной лриборной базы для создания как новых оптических приборов для регистрации и метрологии УФ-излучения, так и для создания пирокого спектра датчиков на основе алмаза.
Вместе с тем, по содержанию и тексту автореферата можно сделать следующие замечания: 1. Из данных приведйнных в автореферате не понятно, калева толщина платинового электрода на фотодноле и, соответственно, какую долю излучения он пропускает непосредственно на алмазный полупроводник, что затрудняет оценку эффективности этой конструкции. 2. Для описания приборов разработанных в четвйртой главе диссертации используются разные характеристики, что затрудняег их сравнение между сооой. Данные замечания.
однако, не влжпот на общую высокую оценку научного уровня и качества работы соискателя как серьезного и значимого вклада в конструирование и технологию производства алмазной твердотельной микро- и наноэлектроники. Результатзя и~~~ед~~~н~й В.С. Фещенко хорощо известны российской и мировой научной общественности, они неоднократно обсуждались на различных отечественных и международных мероприятиях, Научное содержание диссертации достаточно полно отражено в публикациях автора, в том числе и в монографии.
В целом, судя по автореферату и публикациям автора., диссертационная работа отвечает требованиям, предьявляемьлч к докторсны диссертациям, а ее автор Фещенко Валерий Сергеевич ~аслуживае~ присуждения ему ученой степени доктора технических наук по специальности 05.27Я1 — лТвердотельная электроника, микро- и нано- электроника„ приборы на к~а~~о~ы~ эффектах» .