Куликова - Дил Гроув (Готовые ДЗ по Цветкову)
Описание файла
Файл "Куликова - Дил Гроув" внутри архива находится в папке "Готовые ДЗ по Цветкову". PDF-файл из архива "Готовые ДЗ по Цветкову", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "курсовые/домашние работы", в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" в общих файлах.
Просмотр PDF-файла онлайн
Текст из PDF
Модель роста оксида Дила-Гроува (Deal-Grove)Выводы предыдущего раздела позволяют рассмотреть в процессетермического окисления три потока молекул кислорода (рис. ).1. Поток молекул из газовой среды к внешней поверхности пластины, накоторой в начальной стадии происходит реакция (кислорода с кремнием), азатем – адсорбция кислорода на формирующемся оксиде - поток F12. Поток молекул, диффундирующих через оксид SiO2 к кремнию Si поток F23. Поток молекул O2, вступающих в реакцию с Si на границе разделаSiO2 /Si - поток F3В равновесных условиях три рассмотренных потока равны между собой,при этом скорость формирования оксида определяется самым медленным изних.Поток F1 определяется разностью междуповерхностной концентраций окислителя:F1 = h(C* - C0),максимальнойиреальнойгдеC0 - поверхностная концентрация окислителя,h - коэффициент переноса.Значение концентрации окислителя C0 зависит от температуры, скоростигазового потока и растворимости окислителя в SiO2.Для того чтобы определить скорость роста окисла, рассмотрим потокиокислителя в объеме окисла F2 и на его границе с кремнием F3.
Согласнозакону Фика, поток через объем окисла определяется градиентом концентрацииокислителя:F2 = - D(dC/dz) = D(C0 - Ci)/z0,(1)где Ci - концентрация окислителя в молекулах на кубический сантиметр при z= z0,D - коэффициент диффузии при данной температуре,z0 - толщина окисла.Величина потока F3 на границе окисла с полупроводником зависит отпостоянной K скорости поверхностной реакции и определяется как:F3= kCi(2)При стационарных условиях эти потоки равны, так что F3 = F2 = F1 = F.Следовательно, приравняв соотношения (1) и (2), можно выразить величины Ciи C0 через C*:Процесс окисления происходит на границе Si - SiO2, поэтому молекулыокислителя диффундируют через все предварительно сформированные слоиокисла и лишь затем вступают в реакцию с кремнием на его границе.
Согласнозакону Генри, равновесная концентрация твердой фазы прямопропорциональна парциальному давлению газа P:C* = HP, гдеC* - максимальная концентрация окислителя в газе для данного значениядавления P,H - постоянный коэффициент Генри.В неравновесном случае концентрация окислителя на поверхности твердоготела меньше, чем C*..