3 (Технология изготовления прецизионных коммутационных плат на кремниевом основании)

Способы получения SiO2МетодыCVDИонное распылениеPVDТермическийТермическое испарениеСхема процесса химического осаждения из газовой фазы (ТА при ПД).Схема магнетронного ВЧ распыления.Схема электронно-лучевого испарения.Установка оксидирования при помощи влажногокислородаКонденсация газообразных (парообразных) элементов или соединений с образованием твердых осадков.При термическом оксидировании кислород взаиВещество при нагревании испаряется и осаждается модействует с кремнием, образуя SiO2, и диффунИонизированный рабочий газ, ускоренный в напровлении мидирует через слой SiO2, поскольку коэффициентна подложке.

Виды нагрева: резистивный, ВЧ нашени, выбивает молекулы вещетва, осождаемые на подложке.диффузии O2 в SiO2 во много раз больше, чем анагрев, электронно-лучевой, лазерный.логичный коэффициент диффузии Si в SiO2.СхемаПринципдействияСравнение методовПараметры | методыТемпература подложкиАдгезия пленкиОднородность толщины пленкиСкорость (мкм/ч)CVDPVD (ионное распыление)PVD (термическое испарение)Термический~1000°C~300°C~700°C1000 ~ 1200 °CУдовлетворительнаяХорошаяУдовлетворительнаяХорошаяХорошаяХорошаяУдовлетворительнаяХорошая6 ~ 1501 мкм за 1 ~ 15 часов(толщина растет логорифмическиa·lg(t) + b = h, где a и b коэффициенты)1.2 ~ 550 ~ 100МинимальноСущественноМинимальноМинимальноТоксичность материаловДаНетНетНетОстаточные напряженияГПа (Па·109)SiH4 + 02: +0.13 ~ + 0.38 (40 nm/min ~ 400 nm/min)Si(OC2H5)4: + 0.38Si(OC2H5)4 + O2: + 0.15-0.15-0.15-0,20 до -0.30 (при 900~1200°C)ДаДаДаДаМеталлыСплавыДиэлектрикиМеталлыСплавыДиэлектрикиМеталлыСплавыДиэлектрикиОксидыНетДаНетДаНизкийНизкийВысокийНизкийИнтеграция с АИИНетДаНетНетСовмещение с операциями диффузииНетНетНетДаРесурс мишени—ВысокийНизкий—Расположение подложек по гор.

и верт.ДаДаНетДа1-81-81-450 - 100Химическое осаждениеРаспыление материалаИспарение материалаВыращивание оксидаЗагрязнениеВозможность контролировать синтез пленкиПолучаемые материалыПростота конструкцииКоэффициент использования материалаКолличество подложек за один циклПринцип действия.