ЛК16 (Лекции в ворде), страница 2

Усилительные свойства полевого транзистора принято характеризовать крутизной δ:

С ростом напряжения затвора крутизна для полевого транзистора с управляющим pn-переходом падает.

Рассмотрим влияние температуры на параметры транзистора с управляющим переходом. Изменение ВАХ ПТУП с температурой определяется температурной зависимость начальной проводимости канала. R_к0 и, соответственно, максимального тока I_cmax, а также напряжения отсечки U , эти значения влияют как на вид ВАХ, так и на величину крутизны.

Изменение с температурой R_к0 определяется температурной зависимостью электропроводности материала канала, т.е. температурными зависимостями концентрации основных носителей заряда и подвижности. На изменение напряжения отсечки, в основном, влияет изменение контактной разности потенциалов. Из уравнения (17.3)

С увеличением температуры контактная разность потенциалов линейно уменьшается, следовательно, с ростом температуры напряжение отсечки будет возрастать.

В настоящее время разработаны ПТУП на основе GaAs, SiC, Ge, однако наибольшее распространение получили приборы на основе Si. Существует большое количество вариантов технологического и конструктивного выполнения ПТУП, отличающихся диапазоном рабочих температур, требуемыми частотными характеристиками, величиной крутизны передаточной характеристики, диапазоном рабочих токов и напряжений, возможностью изготовления интегральных схем. Хотелось бы отметить ПТУП на основе барьера Шоттки, не требующего pn-перехода. Важным достоинством ПТУП является малый уровень собственных шумов и высокая стабильность параметров во времени. Причина этих достоинств в том, что канал в ПТУП отделен от поверхности pn-переходом, благодаря чему на границе канала с ОПЗ отсутствуют поверхностные дефекты. Следует подчеркнуть также высокую радиационную стойкость ПТУП.