шпора (Шпоры по Созинову), страница 3
Описание файла
Файл "шпора" внутри архива находится в папке "Шпоры по Созинову". Документ из архива "Шпоры по Созинову", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "электроника" из , которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "электроника и микропроцессорная техника" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "шпора"
Текст 3 страницы из документа "шпора"
Варикап – нелин-ый конденсатор на основе p-n-переходов, где барьерная ёмкость перестраивается с изменением U на нём.
Коэффициент перекрытия по ёмкости:
Варактор – варикап в умножителях частоты (силовой варикап).
Исп-ся в радиопередатчиках, где нужно генерировать сигналы мощности.
12. Туннельные и обращенные диоды.
-
Т уннельный диод – ПП-ый прибор на p-n-переходе, образцоговырожденными ПП-ми. В этих VD-ах тунн. эффект проявляется уже при “+” U на p-n-пер-ах.
Туннельный VD – СВЧ прибор, работает в сантиметровом диапазоне волн ( см).
Туннельные VD-ды - негатроны n-типа с участком ““ R-ия.
О бозначение:
-
Обращённый диод.
О тличие от туннельных VD-ов: степень легирования областей p и n туннельный эффект проявляется только при Uобр.
Отсутствует Cдифф-ная.
Max fрабочая = 50 ГГц.
Исп. при построении смесителей.
О бозначение:
13. Сверхвысокочастотные диоды (СВЧ-VD).
С ветодиоды (LED) и фотодиоды (FED).
СВЧ-VD для работы в сантим-вом и дец-вом диапазоне волн.
В зависимости от выполняемой фун-ии делятся на:
-
Смесительные
-
Детекторные
-
Параметрические
-
Ограничительные, переключателиные
-
Умножительные и настроечные
-
Генераторные:
-
Лавинно-пролётные диоды (ЛПД)
-
Диоды Ганна
-
Предназначены для встраивания в волноводы.
LED и VD инфракрасного диапазона.
И сп. для преобраз-я элементарной Е-ии в Е-ию некогерентного излучения в соответствующем диапазоне волн. Излучение возникает при рекомбинации неосновных носителей в “Б” прямосмещённого p-n-перехода с шириной запрещ. зоны > 1,8эВ.
( запр. зона частота)
Ф отодиод исп. для преобраз-я Е-ии световой или инфракр. в эл. Е-ию.
Исп-ся в различных датчиках и оптронах.
Фотодиод:
14. Биполярный транзистор (БVT).
БVT – система 2 взаимодейств-щих p-n-переходов.
Физические процессы опред-ся носителями обоих знаков.
Бывают:
1) n-p-n (обратные)
2) p-n-p (прямые)
В реальных конструкциях одна из крайних областей имеет степень легирования и площадь – эмиттер (‘Э’).
Др. крайняя область – коллектор (‘К’), а средняя – база (‘Б’).
Переход образованный Э и Б - эмиттерный переход.
Переход образованный К и Б – коллекторный переход.
Взаимод-ие p-n-переходов обеспечивается выбором толщины Б.
Б д.б. достаточно тонкой
(толщина базы << длины диффузии неосновных носителей в Б).
ē из Э1 инжектируются в Б1
< 1 – стат. коэф-т передачи IЭ.
У словно графически обозначается:
1 5. Конструкция и технология изготовления сплавного VT.
Констр-ция и техн-гия изготовления эпитаксиально – планарного VT.
[1] Сплавной VT – p-n-p–VT-ы.
В обе грани вплавляется индий (3х валентный)
Sk => кол-во носителей инжект-ся в ‘К’.
[2] Эпитаксиально-планарный VT
Металлизируется (вывод с ‘K’)
Окислении (скрытие окна меньшего размера)
Получили n-p-n-VT
[3] Скрабирование – разрезание
16. Транзистор, как усилитель напряжения и мощности
VT обладает способностью усиливать U по мощности за счет источников питания.
В идеальном: КПД = 25%
В реальном: 1%
17. Эффект модуляции толщины базы и его следствия.
Э ффект модуляции толщины базы (эффектом Эрли /Ирли/ /Early/) - изменения толщины ‘Б’ при изменении UKБ.
Следствия эффекта модуляции толщины ‘Б’:
( Uk обедн. слой толщина ‘Б’ Ik )
-
UKБ быстродействие VT.
-
UKБ влияет на вх. цепь VT-а - внутр. отрицательная обр.связь по U.
Чтобы Iэ был = const, не должен меняться градиент концентрации, (график параллелен начальному).
18. Схемы включения и режимы работы транзисторов
(1) схема с общей ‘Б’ | (2) схема с общим ‘Э’ | (3) схема с общим ‘K’ |
|
|
|
Н езависимо от схемы включения VT-ы могут работать в одном из четырёх, отличающихся полярностью UЭБ и UБК:
-
Нормальный активный режим (НАР) - Э-переход смещён в прямом направлении, К-переход смещён в обр. направлении
-
Режим насыщения – Э- и К-переходы смещены в прям. направлении
-
Режим отсечки - Э- и К-переходы смещены в обр. направлении
-
Инверсный активный режим (ИАР) - Э-переход смещён в обр. направлении, К-переход смещён в прям. направлении.
IЭ = IК + IЭБ.обр (инверсный режим)
I < N
Инверсный режим исп. в аналоговых ключах и в ТТЛ – элементе.
НАР исп. в усилительных устр-вах;
РН, РО исп. в цифровых и импульсных устр-вах.
ключевые (0/1) схемы.
ИАР
Аналоговый ключ будет лучше при прим-нии ИАР.
19 Статические характеристики биполярного транзистора в схеме с общей базой. Влияние температуры.
Основные характеристики: вх. и вых. хар-ки.
Вх. хар-ка – зависимость IВХ от UВЫХ = const.
Вых. хар-ка – зависимость IВЫХ от UВЫХ при IВХ = const
Cемейство хар-ик – хар-ки, снятые при разл. значениях параметра.
Схема с общей базой.
Смещение хар-ки при изменении U-ия обусловлено эффектом Эрли.
вх. хар-ки смещаются влево с ТКН -2мВ/К.
В схеме с общей базой выходные хар-ки термостабильны.
20 Статические хар-ки БVT в схеме с общим “Э”-ом. Связь IK с IБ. Стат. коэффециент передачи IБ. Влияние температуры на стат. хар-ки БVT.
Основные характеристики: вх. и вых. хар-ки.
Вх. хар-ка – зависимость IВХ от UВЫХ = const.
Вых. хар-ка – зависимость IВЫХ от UВЫХ при IВХ = const.
Cемейство хар-ик – хар-ки, снятые при разл. значениях параметра.
Uкэ3- сдвиг из-за эффекта Эрли
- стат-кий коэфф-т передачи IБ
0,9 | 0,99 | 0,999 | |
9 | 99 | 999 |
вх. хар-ки смещаются влево с ТКН -2мВ/К.
вых. хар-ки существенно смещаются вверх.
21. Полевые транзисторы (ПVT): классификация, устройство и принцип действия ПVT с управляющим p-n-переходом, условные граф-ие обозначения. Конструкция ПVT c управляющим переходом Шотки.
ПVT (канальные, униполярные) – ПП-ые приборы на основе модуляции тонкого ПП-ого канала поперечным эл. полем.
По типу проводимости ПVT м.б. с p-каналом и n-каналом.
2 типа ПVT:
-
ПVT с управляющим переходом
-
ПVT с управляющим p-n-переходом
-
ПVT с управляющим переходом Шотки
-
ПVT со структурой Me-диэлектрик-ПП (МДП-VT).
Частный случай – Ме-оксид-ПП (МОП-VT).
Упрощённая конструкция ПVT с управляющим p-n-переходом:
|
|
Берётся пластина слаболегированного ПП-ка n-типа. На противоположных концах – металлизация (омические контакты). Методом локальной диффузии формируются p-области на верхних и нижних гранях. На p-областях тоже делается омический контакт. Верхние и нижние грани соединяются.
Если между торцами подключить ист. U-ия, то буде протекать ток по каналу между обеднёнными слоями.
IС = 0 UЗИ - U отсечки (один из основных параметров ПVT).
На практике U отсечки определяют при малом значении IСИ.
22. Статические характеристики ПVT с управляющим p-n-переходом. UОТСЕЧКИ, начальный IС, RВХ. Влияние to на передаточную хар-ку.
Вых. хар-ка, передаточная хар-ка – осн-ые хар-ки.
Вых.(стоковая) хар-ка – зависимость IC от UСИ при UЗИ = const.
Перед-ная(С-З) хар-ка – зависимость IС от UЗИ при UСИ = const.
[1] Выходная характеристика
IС = f(UСИ) ; UЗИ = const
РН – режим насыщения
ОР – омический режим
UСИ изменяется вид канала:
Эффектом модуляции длины канала - длины перекрытой части канала с UСИ.
РН – этот область вых. хар-к, где тока практически прекращается.
[ 2] Передаточная характеристика
IС = f(UЗИ) ; UСИ = const
UЗИ мс - термостабильная точка
IС.нач - начальный IС (при UЗИ = 0)
температуры высота потенц. барьера подвижность носителей в канале.
В нормальном режиме работы в цепи затвора протекает ток обратно смещённого p-n-перехода (ток чрезвычайно мал)