5. Ионно-лучевое распыление (Ответы на экзаменационные вопросы)
Описание файла
Файл "5. Ионно-лучевое распыление" внутри архива находится в папке "Ответы на экзаменационные вопросы". Документ из архива "Ответы на экзаменационные вопросы", который расположен в категории "". Всё это находится в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" из 5 семестр, которые можно найти в файловом архиве МГТУ им. Н.Э.Баумана. Не смотря на прямую связь этого архива с МГТУ им. Н.Э.Баумана, его также можно найти и в других разделах. Архив можно найти в разделе "к экзамену/зачёту", в предмете "технология и оборудование микро и наноэлектроники" в общих файлах.
Онлайн просмотр документа "5. Ионно-лучевое распыление"
Текст из документа "5. Ионно-лучевое распыление"
5 . Принципиальная схема процесса нанесения тонких пленок в вакууме ионно-лучевым распылением, достоинства и недостатки.
Достоинствами метода осаждения тонких пленок ионным распылением являются:
-
универсальность (можно наносить металлы, сплавы, диэлектрики, магнитные композиции),
-
регулируемая скорость осаждения Vо
-
относительно простая конструкция.
К недостаткам относятся:
-
не высокая чистота осаждаемой пленки (из-за наличия рабочего раза),
-
низкая и нерегулируемая энергия осаждаемых частиц E.
При использовании в качестве рабочего газа смеси из Ar и химически активного газа (O2, N2 и т.п.) реализуется реактивный метод осаждения оксидов, нитридов и т.п. (типы - D10_R и D11_R).